公开(公告)号：CN107406332B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201580077101.1

申请日：2015-08-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 东野孝浩 ,  野田阳平 ,  平岩千寻 ,  水原奈保 ,  俵山傅匡 ,  竹内久雄 ,  真岛正利

IPC: C04B35/48 ,  C04B35/50 ,  H01B1/06 ,  H01B1/08 ,  H01M8/1246

Abstract: 固体电解质层包括：具有钙钛矿结构的质子导体，所述质子导体由下式(1)表示：BaxZryCezM1‑(y‑z)O3‑δ，其中，元素M是从包括Y、Yb、Er、Ho、Tm、Gd和Sc的组中选择的至少一种，0.85≤x

公开(公告)号：CN107925095A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680046472.8

申请日：2016-08-05

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 东野孝浩 ,  宫元一成 ,  野田阳平 ,  平岩千寻 ,  水原奈保 ,  俵山博匡 ,  竹内久雄 ,  真岛正利 ,  宇田哲也 ,  韩东麟

IPC: H01M8/02 ,  C04B35/00 ,  H01M4/86 ,  H01M8/12

Abstract: 一种电池结构体的制造方法，包括：通过烧制含有阳极材料的层和含有固体电解质材料的层的层叠体，从而得到阳极层和固体电解质层的接合体的步骤；以及通过将含有阴极材料的层层叠在固体电解质层的表面上，并烧制所得的层叠体从而得到阴极的步骤，并且其中阳极材料含有镍化合物和金属氧化物Ma1，该金属氧化物Ma1具有A1x1B11-y1M1y1O3-δ所示的钙钛矿结构(其中：A1是选自Ba、Ca和Sr中的至少一者；B1表示Ce和Zr中的至少一者；M1表示选自Y、Yb,Er、Ho、Tm、Gd、In和Sc中的至少一者；0.85≤x1≤0.99；0

公开(公告)号：CN100337310C

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200380100213.1

申请日：2003-12-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 难波晓彦 ,  今井贵浩 ,  竹内久雄

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/04 ,  C23C16/27

CPC classification number: C23C16/448 ,  C23C16/27 ,  C23C16/278 ,  C23C16/482 ,  C30B25/105 ,  C30B29/04 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634

Abstract: 本发明涉及掺杂锂的金刚石：掺杂了锂和氮的低电阻率的n-型半导体金刚石，以及制备这种金刚石的方法。低电阻率的n-型半导体金刚石一共包含1017cm-3或者更多的锂原子和氮原子，其中锂原子被掺杂到碳原子晶格间隙位置，氮原子被掺杂到碳原子的置换位置上，锂和氮保持互相相邻的排列。为了得到低电阻率的n-型半导体金刚石，在金刚石气相合成方法中，利用真空紫外光通过光激发光离解源材料和用准分子激光照射锂源材料以散射并提供锂原子，使得金刚石得以被制造出来。

公开(公告)号：CN1155918A

公开(公告)日：1997-07-30

申请号：CN96190428.3

申请日：1996-06-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山际正道 ,  西冈隆夫 ,  竹内久雄 ,  山川晃

IPC: F01L1/14

CPC classification number: F01L13/0042 ,  F01L1/14 ,  F01L1/16 ,  F01L2101/02 ,  F01L2103/00 ,  Y10T74/2107

Abstract: 本发明提供了一种滑动部件，即使使用了被排气部件污染的润滑油，该部件也可防止配对金属滑动部件的有害磨损和局部磨损。一种陶瓷滑动部件按下述方法制成，用做滑动面部件的氮化硅基材料连接到具有比滑动面部件高的热膨胀系数的金属基体上。滑动面部件的滑动面上的隆起部分是这样构造的：即相对于隆起部分中心线轴向对称的任意两个点处的隆起量(da，db)间的差值与两点平均隆起量的比值百分比大于等于10％并小于等于50％。

公开(公告)号：CN107112564B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201580061586.5

申请日：2015-10-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 东野孝浩 ,  野田阳平 ,  平岩千寻 ,  水原奈保 ,  俵山博匡 ,  竹内久雄 ,  真岛正利

IPC: H01M8/1253 ,  H01M8/126 ,  H01M8/1246

Abstract: 本发明提供了一种电池结构体，该电池结构体包括阴极、阳极、和具有质子传导性并介于所述阴极和所述阳极之间的固体电解质层。该固体电解质层包含具有钙钛矿结构并且含有锆、铈和除铈以外的稀土元素的化合物。如果T为所述固体电解质层的厚度，则在距离所述固体电解质层的阴极侧的表面0.25T的位置处的锆与铈的元素比：即ZrC/CeC，以及在距离所述固体电解质层的阳极侧的表面0.25T的位置处的锆与铈的元素比：即ZrA/CeA，满足ZrC/CeC>ZrA/CeA，且ZrC/CeC>1。

公开(公告)号：CN101469452A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810188586.3

申请日：2008-12-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  佐藤一成 ,  竹内久雄 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/00

CPC classification number: C30B23/005 ,  C30B29/403 ,  Y10T117/10

Abstract: 本发明涉及一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法以及用于III族氮化物半导体晶体的生长装置。一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法，其提供有以下步骤：首先，准备包括用于屏蔽来自在腔中材料(13)的热辐射的热屏蔽部的腔。然后，将材料(13)设置在腔中的热屏蔽部的一侧。接下来，通过加热要被升华的材料，将材料气体沉积在腔中热屏蔽部的另一侧，使得生长III族氮化物半导体晶体。

公开(公告)号：CN1692186A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100213.1

申请日：2003-12-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 难波晓彦 ,  今井贵浩 ,  竹内久雄

IPC: C30B29/04 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/448 ,  C23C16/27 ,  C23C16/278 ,  C23C16/482 ,  C30B25/105 ,  C30B29/04 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634

Abstract: 本发明涉及掺杂锂的金刚石：掺杂了锂和氮的低电阻率的n－型半导体金刚石，以及制备这种金刚石的方法。低电阻率的n－型半导体金刚石一共包含1017cm－3或者更多的锂原子和氮原子，其中锂原子被掺杂到碳原子晶格间隙位置，氮原子被掺杂到碳原子的置换位置上，锂和氮保持互相相邻的排列。为了得到低电阻率的n－型半导体金刚石，在金刚石气相合成方法中，利用真空紫外光通过光激发光离解源材料和用准分子激光照射锂源材料以散射并提供锂原子，使得金刚石得以被制造出来。

公开(公告)号：CN1081290C

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN96190381.3

申请日：1996-06-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山际正道 ,  西冈隆夫 ,  竹内久雄 ,  山川晃

IPC: F01L1/14 ,  F01L1/18 ,  C21D9/00 ,  C21D9/32 ,  C21D9/40

CPC classification number: F01L1/143 ,  Y10T428/12576

Abstract: 本发明提供了通过对钢制部分进行表面淬火处理形成凸起部分的滑动部件及其制造方法。凸起的形状及量可由表面淬火后进行热处理或机加工而控制。滑动部件可只由钢制成，或者通过把通过表面淬火形成凸起的滑动面的元件的至少一部分连接或装到钢制的滑动部件主体上，而该部分材料是陶瓷，这样一种方法形成。

公开(公告)号：CN1059652C

公开(公告)日：2000-12-20

申请号：CN95191835.4

申请日：1995-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  竹内久雄 ,  山川晃

IPC: C04B35/591

CPC classification number: C04B35/591

Abstract: 本发明缩短了制造氮化硅烧结体时反应烧结中的氮化时间，从而提高了生产率；并且通过反应烧结得到致密且高强的氮化硅烧结体。Si3N4烧结体的未配对电子浓度为1015～1021/cm3。市售Si粉末在非氮气气氛中于300～800℃下煅烧3～5小时得到未配对电子浓度为1015～1020/cm3的Si粉末，使用所得的Si粉末进行反应烧结得到氮化硅烧结体。特别是，在所得的Si粉末中添加烧结助剂的同时添加价态尤其为+1～+3价且其共价键半径RM与Si的共价健半径RSi之间有(RM-RSi)/RSi＜0.5的关系的元素或其化合物作为氮空位形成剂，并把所得的混合体进行反应烧结制造出Si3N4烧结体。

公开(公告)号：CN1130714A

公开(公告)日：1996-09-11

申请号：CN95119250.7

申请日：1995-11-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山川晃 ,  竹内久雄 ,  西冈隆夫 ,  山际正道

IPC: F01L1/14

CPC classification number: F01L1/14 ,  F01L1/16 ,  F01L1/185 ,  F01L2101/02 ,  F01L2103/00 ,  F02B3/06

Abstract: 本发明提供了凸轮推杆、气门等发动机阀系零件、燃料喷射泵零件及轴承等具有滑动面的滑动零件。滑动零件本体与陶瓷滑动构件A及经硬化处理的金属滑动构件B构成滑动零件，其制造方法为本体与滑动构件A以650℃以上的温度接合，而金属滑动构件B在650℃以下温度中以不损害硬化处理效果的方法安装。由于在安装时不损害硬化处理的效果，因此对本体的硬化处理性等无需限定，能够采用加工性能好的材料，可以降低金属材料的成本。