高强度氮化硅多孔体及其制造方法

    公开(公告)号:CN1159264C

    公开(公告)日:2004-07-28

    申请号:CN97102107.4

    申请日:1997-01-07

    IPC分类号: C04B35/584

    摘要: 本发明提供一种在保持高气孔率的同时还可提高强度、轻量的可作为结构构件使用的氮化硅多孔体。它是一种含有柱状氮化硅粒子和,相对于氮化硅按氧化物换算为2~15重量%的作为氧化物结合相的至少1种稀土元素,SiO2和稀土氧化物的重量比SiO2/(SiO2+稀土类氧化物)为0.012~0.65、平均细孔径为3.5μm以下,高气孔率且高强度的氮化硅多孔体。重量比SiO2/(SiO2+稀土类氧化物)通过控制成形体中的氧量和碳量进行调整。

    陶瓷滑动部件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1155918A

    公开(公告)日:1997-07-30

    申请号:CN96190428.3

    申请日:1996-06-21

    IPC分类号: F01L1/14

    摘要: 本发明提供了一种滑动部件,即使使用了被排气部件污染的润滑油,该部件也可防止配对金属滑动部件的有害磨损和局部磨损。一种陶瓷滑动部件按下述方法制成,用做滑动面部件的氮化硅基材料连接到具有比滑动面部件高的热膨胀系数的金属基体上。滑动面部件的滑动面上的隆起部分是这样构造的:即相对于隆起部分中心线轴向对称的任意两个点处的隆起量(da,db)间的差值与两点平均隆起量的比值百分比大于等于10%并小于等于50%。

    氮化硅烧结体的制造方法

    公开(公告)号:CN1131650A

    公开(公告)日:1996-09-25

    申请号:CN95118717.1

    申请日:1995-10-18

    IPC分类号: C04B35/58

    CPC分类号: C04B35/584

    摘要: 一种制造氮化硅烧结体的方法,包括在一个温度范围内对氮化硅烧结体的坯料进行热处理,该温度范围从坯料的内摩擦达到最大峰值时的温度-150℃至该温度+150℃。一种用于本发明的代表性的坯料是这样来制得的:将氮化硅粉末与助烧剂粉末混合,得到的粉末混合物含5-15%(重量)(以氧化物计)的至少一种选自由稀土元素和铝组成一组的元素,0.5-5%(重量)(以氧化物计)选自由Mg、Ti和Ca组成一组的元素,以及余量的Si3N4,将粉末混合物成型,在含氮气氛中于1500-1700℃烧结所得素坯。

    氮化硅陶瓷及其制备工艺

    公开(公告)号:CN1368486A

    公开(公告)日:2002-09-11

    申请号:CN01121735.9

    申请日:1996-11-08

    CPC分类号: C04B35/591

    摘要: 涉及一种由淤浆状硅基组合物制备的Si3N4陶瓷,所述的淤浆状硅基组合物基本上由表面氧化膜厚度在1.5到15nm范围的Si粉末、50到90%重量的水、0.2到7.5%重量的以氧化物表示的烧结助剂和0.05到3%重量的分散剂组成,其中烧结助剂是选自IIa族、IIIa族和稀土元素的化合物中的至少一种,所说的陶瓷具有至少96%的相对密度和至少800MPa的弯曲强度。还涉及一种该Si3N4陶瓷的制备工艺。

    氮化硅烧结体及其制造方法

    公开(公告)号:CN1059652C

    公开(公告)日:2000-12-20

    申请号:CN95191835.4

    申请日:1995-12-26

    IPC分类号: C04B35/591

    CPC分类号: C04B35/591

    摘要: 本发明缩短了制造氮化硅烧结体时反应烧结中的氮化时间,从而提高了生产率;并且通过反应烧结得到致密且高强的氮化硅烧结体。Si3N4烧结体的未配对电子浓度为1015~1021/cm3。市售Si粉末在非氮气气氛中于300~800℃下煅烧3~5小时得到未配对电子浓度为1015~1020/cm3的Si粉末,使用所得的Si粉末进行反应烧结得到氮化硅烧结体。特别是,在所得的Si粉末中添加烧结助剂的同时添加价态尤其为+1~+3价且其共价键半径RM与Si的共价健半径RSi之间有(RM-RSi)/RSi<0.5的关系的元素或其化合物作为氮空位形成剂,并把所得的混合体进行反应烧结制造出Si3N4烧结体。

    氮化硅陶瓷、制备它们的硅基组合物以及它们的制备工艺

    公开(公告)号:CN1151387A

    公开(公告)日:1997-06-11

    申请号:CN96114533.1

    申请日:1996-11-08

    IPC分类号: C04B35/584 C01B21/068

    CPC分类号: C04B35/591

    摘要: 一种淤浆状硅基组合物,它包含有表面氧化膜厚度在1.5到15nm范围的Si粉末、50到90%重量的水、0.2到7.5%重量的以氧化物表示的烧结助剂和0.05到3%重量的分散剂,硅基组合物的pH值被调节到8-12。该硅基组合物的制备工艺包括在空气中于200至800℃对硅粉末进行氧化处理,向氧化后的Si粉末中添加50到90%重量的水、0.2到7.5%重量的以氧化物表示的烧结助剂和0.05到3%重量的分散剂,调节pH值使最终混合物的pH值为8到12。