公开(公告)号：CN119493328A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411118547.1

申请日：2024-08-15

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  高坂卓郎 ,  生越大河 ,  樱井敬佑 ,  三村祥平 ,  金子英雄

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54 ,  G03F1/76 ,  G03F1/80

Abstract: 作为包括含有钌(Ru)的保护膜的反射型掩模坯料，通过包括基板、多层反射膜、保护膜、吸收膜和在保护膜和吸收膜之间的含有铌(Nb)且不含钌(Ru)的蚀刻阻止膜的反射型掩模坯料来提供反射型掩模坯料，其中保护膜难以受损并可抑制厚度的降低。

公开(公告)号：CN109307982B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN201810840145.0

申请日：2018-07-27

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 高坂卓郎 ,  金子英雄 ,  入江重夫 ,  川浦直树

IPC: G03F1/80 ,  G03F1/66 ,  G03F1/76

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料、光掩模坯料制造方法和光掩模制造方法。提供光掩模坯料，其包括透明衬底、在该衬底上的含铬材料的第一膜和与该第一膜邻接设置的含有硅/氧的材料的第二膜。该第二膜包括与该第一膜邻接的第一层和在膜厚方向上与该第一层间隔的第二层。该第一层的氧含量低于该第二层的氧含量。在该第一膜的蚀刻过程中，该设置防止蚀刻速率在该第一膜与该第二膜之间的界面处加速。

公开(公告)号：CN115494692A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210690653.1

申请日：2022-06-17

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 高坂卓郎 ,  生越大河 ,  稻月判臣 ,  金子英雄

IPC: G03F1/24

Abstract: 本发明涉及反射型掩模坯料和制造反射型掩模的方法。对于在使用EUV光的EUV蚀刻法中使用的反射型掩模用反射型掩模坯料而言，提供包括基板、具有周期性层叠结构的多层反射膜、保护膜和吸收体膜的反射型掩模坯料，其中在所述周期性层叠结构中交替层叠高折射率层和包含含钼材料的低折射率层。所述低折射率层由一个或多个第一低折射率子层和一个或多个具有与所述第一低折射率子层的组成不同的组成的第二低折射率子层组成。

公开(公告)号：CN115016223A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210196580.0

申请日：2022-03-02

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 三村祥平 ,  金子英雄 ,  寺泽恒男

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/26

Abstract: 本发明涉及反射型掩模坯料和反射型掩模。反射型掩模坯料，其为在使用EUV光作为曝光光的EUV蚀刻法中使用的反射型掩模用材料，包括基板、在基板的一个主表面上形成的并反射曝光光的多层反射膜、和在多层反射膜上形成的并吸收曝光光的含有钨、和另一金属、半金属或轻元素的吸收体膜。

公开(公告)号：CN105319835B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201510458035.4

申请日：2015-07-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 笹本纮平 ,  金子英雄 ,  稻月判臣 ,  深谷创一

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/26

Abstract: 提供设计包含透明基材和其上的光学膜的光掩模坯料的方法。所述光掩模坯料被加工成具有光学膜图案的透射性光掩模使得在通过光掩模透射曝光光时可转印该膜图案。使用比反射率作为指标来选择该光学膜，该比反射率等于反射率除以膜厚度。

公开(公告)号：CN104635415B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201410638317.8

申请日：2014-11-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  樱田丰久 ,  金子英雄 ,  高坂卓郎 ,  笹本纮平

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/54

Abstract: 本发明提供包含透明基材和半色调相移膜的半色调相移光掩模坯料。相移膜由Si、N或Si、N和O组成，不具有过渡金属。相移膜具有厚度40‑70nm，相对于最大200nm波长的光提供10‑40％的透射率和150‑200°相移，并且耐清洁用化学品。

公开(公告)号：CN104460224B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201410499396.9

申请日：2014-09-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 吉井崇 ,  河合义夫 ,  稻月判臣 ,  渡边聪 ,  池田显 ,  桜田豊久 ,  金子英雄

IPC: G03F1/50 ,  G03F1/54 ,  G03F1/76 ,  H01L21/033

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/0076 ,  G03F1/32 ,  G03F1/50

Abstract: 本发明的课题是涉及一种光掩膜坯料，所述光掩膜坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩膜坯料的制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的无机膜，并在该无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩膜坯料的制造方法是在形成前述无机膜后，以高于200℃的温度，在含有氧气的环境中进行热处理，再进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜。

公开(公告)号：CN107430328A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680013518.6

申请日：2016-02-15

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 入江重夫 ,  吉井崇 ,  增永惠一 ,  稻月判臣 ,  金子英雄 ,  樱田丰久

IPC: G03F1/38 ,  G03F1/32

Abstract: 本发明为光掩模坯(1)，其具有：透明基板(10)；由通过氯氧系干蚀刻被蚀刻、对于氟系干蚀刻具有耐性的材料构成的第1膜(11)；与第1膜相接地形成的、用包含硅和氧、或者硅和氧和氮、具有Si-Si键、对于氯氧系干蚀刻而言基本上没有被蚀刻的材料构成的第2膜(12)，光致抗蚀剂的密合性提高，即使由光致抗蚀剂膜形成微细的抗蚀剂图案，抗蚀剂图案也没有发生劣化、倒塌、剥离，稳定地得以维持，在使用了抗蚀剂图案的下层的膜的蚀刻中获得良好的形状和尺寸精度。

公开(公告)号：CN102453862B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201110322364.8

申请日：2011-10-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 金子英雄 ,  稻月判臣 ,  吉川博树

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/564 ,  G03F1/54

Abstract: 本发明涉及溅射用靶材、含硅膜的形成方法和光掩模坯。本发明提供了在溅射过程期间不易产生粒子且形成低缺陷(高品质)含硅膜的硅靶材。将室温下的比电阻为20Ω·cm以上的硅靶材用于形成该含硅膜。所述硅靶材可以为多晶或非晶的。然而，当所述硅靶材为单晶时，可以获得更稳定的放电状态。另外，其中通过FZ方法生长晶体的单晶硅是作为高纯硅靶材的优选材料，因为其氧含量低。另外，具有n型导电性且含有施主杂质的靶材是优选的，从而获得稳定的放电特性。可以将根据本发明的仅一种或多种硅靶材用于含硅膜的溅射成膜。

公开(公告)号：CN106019810A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610195663.2

申请日：2016-03-31

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 笹本纮平 ,  高坂卓郎 ,  稻月判臣 ,  金子英雄

IPC: G03F1/32

Abstract: 本发明提供半色调相移掩模坯，包括透明基板和半色调相移膜，该半色调相移膜由具有至少90at％的Si+N+O含量、30-70at％的Si含量、30-60at％的N+O含量和30at％以下的O含量的硅基材料组成，并且具有70nm以下的厚度。该半色调相移膜对于掩模图案加工足够薄，在曝光于亚200nm辐照时经历最小的图案尺寸变动劣化并且保持必要的相移和透射率。