基板结构
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105224120B

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201410315562.5

    申请日:2014-07-03

    IPC分类号: G06F3/041

    摘要: 本发明涉及触控技术领域,提供了种基板结构,包含基板、导电图案、第层迭结构以及钝化层。导电图案位于基板上。第层迭结构位于导电图案与基板上,其中第层迭结构包含第上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜,第上薄膜邻接导电图案与基板,第上薄膜、第二上薄膜和第三上薄膜依序堆栈。钝化层位于第层迭结构上,第三上薄膜邻接钝化层,其中导电图案、第上薄膜、第二上薄膜、第三上薄膜和钝化层之折射率依序递减。本发明减少导电图案与其上下层材料的折射率差异,借此改善导电图案的可视性。

    一种四元单层超硬薄膜材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN106917066A

    公开(公告)日:2017-07-04

    申请号:CN201710160391.7

    申请日:2017-03-17

    发明人: 韩克昌 林国强

    IPC分类号: C23C14/32 C23C14/02 C23C14/06

    摘要: 本发明提供了一种四元单层超硬薄膜材料及其制备方法,属于金属材料表面改性和机械加工技术领域。一种Zr‑Al‑O‑N四元单层超硬薄膜材料和利用电弧离子镀技术在工模具材料表面制备该薄膜的方法。该材料的成分设计依据化学键合及电子能带结构理论,遵循共价性耦合能带理论来完成;该制备方法利用电弧离子镀设备并通过分离靶弧流调控及氮、氧分压调控来进行,可沉积合成原材料简单、成本低、却硬度高于40GPa的耐磨损、抗腐蚀和抗氧化性能良好的高性价比Zr‑Al‑O‑N四元单层薄膜。该方法沉积速度快、生产效率高、操作简单、利于批量生产,特别适于机械加工技术领域。

    膜构件及其制造方法
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103958726B

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201280056671.9

    申请日:2012-09-14

    发明人: 笹井建典

    IPC分类号: C23C14/06 B32B9/00

    摘要: 膜构件具有由树脂膜构成的基材和配置于该基材的表背中至少一侧的氮氧化铝(AlON)膜,该氮氧化铝膜的组成为Al:39at%~55at%、O:7at%~60at%、N:1at%~50at%。膜构件阻气性优异。此外,膜构件的制造方法具有:减压工序,在溅射成膜装置(1)的腔室(8)内,以与铝制的靶材(30)相面对的方式配置基材(20),并将腔室(8)内保持在规定的真空度;以及成膜工序,向腔室(8)内导入载气和含有氮的原料气体,在规定的真空度下且在腔室(8)内的氧气压相对于氮气压的比率为20%以下的气氛中,在基材(20)的成膜面上形成氮氧化铝膜。