公开(公告)号：CN104460224B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201410499396.9

申请日：2014-09-25

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 吉井崇 ,  河合义夫 ,  稻月判臣 ,  渡边聪 ,  池田显 ,  桜田豊久 ,  金子英雄

IPC分类号： G03F1/50 ,  G03F1/54 ,  G03F1/76 ,  H01L21/033

CPC分类号： G03F1/26 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/0076 ,  G03F1/32 ,  G03F1/50

摘要： 本发明的课题是涉及一种光掩膜坯料，所述光掩膜坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩膜坯料的制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的无机膜，并在该无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩膜坯料的制造方法是在形成前述无机膜后，以高于200℃的温度，在含有氧气的环境中进行热处理，再进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜。

公开(公告)号：CN103998984B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201280048495.4

申请日：2012-09-13

申请人： 株式会社日立高新技术

发明人： 角田和之 ,  小野塚利彦 ,  松井繁 ,  江畠佳定 ,  长谷川昇雄

IPC分类号： G03F1/26 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/3065 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/26 ,  G03F1/28 ,  G03F1/30 ,  H01L21/3085

摘要： 提供一种可提高产品的精度以及缩短制作时间的、利用了相移掩模的非对称图案的形成技术、以及衍射光栅、半导体装置的制造技术。在利用了相移掩模(30)(周期性地配置遮光部和透过部(没有相移的第1透过部、有相移的第2透过部))的衍射光栅的制造方法中，使从照明光源(10)射出的光透过相移掩模(30)，使透过该相移掩模(30)而产生的0次光和+1次光在Si晶片(50)的表面产生干涉，使该Si晶片(50)的表面的光致抗蚀剂(60)曝光，在Si晶片(50)上形成具有闪耀状的截面形状的衍射光栅。

公开(公告)号：CN105278256A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510282331.3

申请日：2015-05-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 卢彦丞 ,  游信胜 ,  陈政宏 ,  严涛南

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70191 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/24 ,  G03F1/26 ,  G03F7/70091 ,  G03F7/70116 ,  G03F7/70125 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70308

摘要： 本发明提供一种用于极紫外线光刻(EUVL)工艺的方法。方法包括：将二元相位掩模(BPM)加载至光刻系统，其中BPM包括两种相位状态并且限定在其上的集成电路(IC)图案；根据IC图案将光刻系统的照射装置设定为照射模式；根据照射模式将光瞳滤波器配置在光刻系统中；以及通过照射模式的光刻系统，利用BPM和光瞳滤波器对靶子执行光刻曝光工艺。本发明还提供了一种印制低图案密度部件的极紫外线光刻工艺。

公开(公告)号：CN104460221A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410499354.5

申请日：2014-09-25

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 稻月判臣 ,  吉井崇 ,  桜田豊久 ,  池田显 ,  金子英雄 ,  渡边聪 ,  河合义夫

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F1/36 ,  G03F1/78

CPC分类号： G03F1/26 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/0076 ,  G03F1/32 ,  G03F1/38 ,  G03F1/50

摘要： 本发明涉及一种光掩模坯料，所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩模坯料及其制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜，所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。

公开(公告)号：CN103123442A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201210543966.0

申请日：2012-11-16

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 五十岚慎一 ,  吉川博树 ,  稻月判臣 ,  金子英雄

IPC分类号： G03F1/44 ,  G03F1/80 ,  G03F1/32

CPC分类号： G06F19/00 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/26 ,  G03F1/80

摘要： 本发明涉及图案形成膜的刻蚀条件的测评。具体地，连同光掩模坯料，其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜，通过如下方式测评所述图案形成膜的一组刻蚀条件：测量第一刻蚀完成时间(C1)，其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，测量第二刻蚀完成时间(C2)，其是在所述刻蚀条件下刻蚀该图案形成膜时所花费的时间，以及计算第一与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2)。

公开(公告)号：CN103123442B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201210543966.0

申请日：2012-11-16

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 五十岚慎一 ,  吉川博树 ,  稻月判臣 ,  金子英雄

IPC分类号： G03F1/44 ,  G03F1/80 ,  G03F1/32

CPC分类号： G06F19/00 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/26 ,  G03F1/80

摘要： 本发明涉及图案形成膜的刻蚀条件的测评。具体地，连同光掩模坯料，其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜，通过如下方式测评所述图案形成膜的一组刻蚀条件：测量第一刻蚀完成时间(C1)，其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，测量第二刻蚀完成时间(C2)，其是在所述刻蚀条件下刻蚀该图案形成膜时所花费的时间，以及计算第一与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2)。

公开(公告)号：CN105278256B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201510282331.3

申请日：2015-05-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 卢彦丞 ,  游信胜 ,  陈政宏 ,  严涛南

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70191 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/24 ,  G03F1/26 ,  G03F7/70091 ,  G03F7/70116 ,  G03F7/70125 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70308

摘要： 本发明提供一种用于极紫外线光刻(EUVL)工艺的方法。方法包括：将二元相位掩模(BPM)加载至光刻系统，其中BPM包括两种相位状态并且限定在其上的集成电路(IC)图案；根据IC图案将光刻系统的照射装置设定为照射模式；根据照射模式将光瞳滤波器配置在光刻系统中；以及通过照射模式的光刻系统，利用BPM和光瞳滤波器对靶子执行光刻曝光工艺。本发明还提供了一种印制低图案密度部件的极紫外线光刻工艺。

公开(公告)号：CN107203091A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710066943.8

申请日：2017-02-07

申请人： 思而施技术株式会社

发明人： 南基守 ,  申澈 ,  李钟华 ,  徐成旼 ,  金世民

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F1/26

CPC分类号： G03F1/0046 ,  G03F1/26

摘要： 公开一种相移底板掩模和光掩模，其中相移膜形成为至少两个或更多层的多层膜或者连续膜，所述相移膜的膜由可以相对于一种蚀刻剂进行蚀刻并且成分彼此不同的材料组成，而且成分不同的所述膜中的每个堆叠一次或多次。因此，有可能减少所述相移膜的厚度，并且使边缘处的截面具有陡峭坡度，以使得在所述相移膜被图案化时相移膜图案可以具有清晰边界，从而保证所述相移膜图案的透射率和相移度的均匀性。另外，有可能改进所述相移膜图案和印刷图案的精度。

公开(公告)号：CN104460224A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410499396.9

申请日：2014-09-25

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 吉井崇 ,  河合义夫 ,  稻月判臣 ,  渡边聪 ,  池田显 ,  桜田豊久 ,  金子英雄

IPC分类号： G03F1/50 ,  G03F1/54 ,  G03F1/76 ,  H01L21/033

CPC分类号： G03F1/26 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/0076 ,  G03F1/32 ,  G03F1/50

摘要： 本发明的课题是涉及一种光掩膜坯料，所述光掩膜坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩膜坯料的制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的无机膜，并在该无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩膜坯料的制造方法是在形成前述无机膜后，以高于200℃的温度，在含有氧气的环境中进行热处理，再进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜。

公开(公告)号：CN103998984A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280048495.4

申请日：2012-09-13

申请人： 株式会社日立高新技术

发明人： 角田和之 ,  小野塚利彦 ,  松井繁 ,  江畠佳定 ,  长谷川昇雄

IPC分类号： G03F1/26 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/3065 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/26 ,  G03F1/28 ,  G03F1/30 ,  H01L21/3085

摘要： 提供一种可提高产品的精度以及缩短制作时间的、利用了相移掩模的非对称图案的形成技术、以及衍射光栅、半导体装置的制造技术。在利用了相移掩模(30)(周期性地配置遮光部和透过部(没有相移的第1透过部、有相移的第2透过部))的衍射光栅的制造方法中，使从照明光源(10)射出的光透过相移掩模(30)，使透过该相移掩模(30)而产生的0次光和+1次光在Si晶片(50)的表面产生干涉，使该Si晶片(50)的表面的光致抗蚀剂(60)曝光，在Si晶片(50)上形成具有闪耀状的截面形状的衍射光栅。