公开(公告)号：CN115261823A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202211032154.X

申请日：2022-08-26

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 杜林昕 ,  王磊磊 ,  邓晓军

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  H01L21/67

摘要： 本申请公开一种半导体工艺腔室的进气装置、半导体工艺设备及半导体加工工艺，属于半导体技术领域。进气装置包括用于通入工艺气体的第一进气管、用于通入保护气体的第二进气管、混气组件和导流件，混气组件设有第一混气腔和第二混气腔，第一混气腔的腔壁设有第一进气孔和第一射流孔，第一进气管通过第一进气孔与第一混气腔连通，第二混气腔的腔壁设有第二进气孔和第二射流孔，第二进气管通过第二进气孔与第二混气腔连通；导流件设于混气组件背向第一进气管和第二进气管的一侧，导流件内设有第一导流腔和第二导流腔，第一导流腔和第二导流腔均沿导流件的延伸方向延伸，且二者相邻设置，第一导流腔与第一射流孔连通，第二导流腔与第二射流孔连通。

公开(公告)号：CN110400768B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201910706810.1

申请日：2019-08-01

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 邓晓军

IPC分类号： H01L21/67 ,  C30B25/14

摘要： 本发明提供一种反应腔室，包括腔体、设置在腔体内的基座，还包括进气装置，该进气装置包括与所述基座的承载面相垂直的出气面，出气面上设置有中心出气口组、中间出气口组和边缘出气口组；其中，中心出气口组、中间出气口组和所述边缘出气口组分别与基座的中心区域、中间区域和边缘区域一一对应。通过本发明解决了大尺寸基板外延生长薄膜厚度分布不均匀，以及均匀性可调性差的问题。

公开(公告)号：CN112490141A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202011312584.8

申请日：2020-11-20

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 尹子剑 ,  赵海洋 ,  邓晓军

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  C23C16/52

摘要： 本申请实施例提供了晶圆放置状态检测方法、半导体工艺设备，该方法包括：基于预设目标温度，加热半导体工艺设备工艺腔室中的基座，以加热承载在基座的片槽中的晶圆；旋转基座，并通过工艺腔室的观测窗检测晶圆的表面温度；当检测到晶圆的表面温度低于预设表面温度阈值时，确定晶圆处于搭边放置状态。通过本申请实施例提供的技术方案，当晶圆处于搭边放置状态时，可以方便快捷地检测到这种异常状态。

公开(公告)号：CN111599716A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN202010373469.5

申请日：2020-05-06

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 邓晓军

IPC分类号： H01L21/67 ,  C23C16/54 ,  C23C16/455

摘要： 本发明公开一种用于外延生长设备的预热环以及外延生长设备，该预热环包括上环部和下环部，上环部与下环部同轴自上而下叠置，上环部的外径与下环部的外径相等，上环部的内径小于下环部的内径，上环部的一侧设有排气通道，从而使净化气体和处理气体快速排走，上环部的内径小于下环部的内径，使上环部对下环部的内周面形成遮蔽，避免净化气体通过基板支撑件和下环部之间的间隙向上流动，防止在基板边缘附近形成紊流及额外流阻，改善基板边缘沉积效率，提高基板成膜均匀性。

公开(公告)号：CN219195210U

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202223483490.4

申请日：2022-12-26

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 孙小芹 ,  李世凯 ,  徐爽 ,  邓晓军

IPC分类号： C30B25/14 ,  C23C16/455

摘要： 本申请公开了一种半导体工艺设备及其进气系统，属于半导体工艺技术领域，该进气系统包括混流器和工艺气体管路；混流器上设置有一个气体出口以及至少两个气体入口，每个气体入口连接有一个带第一气体流量控制器的进气管路；气体出口通过压力控制气体支路和流量控制气体支路同时连通工艺气体管路的第一端；工艺气体管路的第二端连通工艺腔室。本技术方案，其可在携带气体和掺杂反应气体进入工艺气体管路前进行充分混流处理，以确保掺杂反应气体参与工艺反应前在混合气体中的浓度稳定性，进而提升工艺腔室的工艺效果。

公开(公告)号：CN220224435U

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202321662076.1

申请日：2023-06-27

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 吴世民 ,  李轩 ,  董博宇 ,  袁福顺 ,  邓晓军 ,  王石 ,  王磊磊 ,  李世凯 ,  顾元钧 ,  余峰 ,  刘晶晶 ,  田惺哲

IPC分类号： C30B25/14 ,  C30B29/36 ,  H01L21/67

摘要： 本实用新型提供一种进气装置及半导体加工设备，该装置中，在第一方向上依次连通的进气座体和匀流件，且匀流件与进气座体可拆卸地连接；其中，进气座体具有混气腔，混气腔用于与至少一个进气管路连通；匀流件用于与半导体工艺设备的工艺腔室连通，匀流件中沿垂直于第一方向的第二方向依次设置有多个自进气座体向工艺腔室靠近的方向延伸的匀流通道，且每个匀流通道在第二方向上的宽度自进气座体向工艺腔室递减。本方案可以提高工艺气体进入工艺腔室中，并到达晶圆表面的时间一致性。

公开(公告)号：CN217895794U

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202221983590.0

申请日：2022-07-29

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 吴世民 ,  邓晓军 ,  王磊磊

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/67

摘要： 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其冷却装置。该冷却装置的排气组件包括至少一个排气盒，排气盒在其长度方向上具有与进气部件连通的连接端，在其宽度方向上具有相对设置的第一侧板和第二侧板，连接端上开设有沿排气盒宽度方向依次设置的多个进气口，第一侧板上开设有沿排气盒长度方向依次设置的多个出气口；排气盒内具有多个导流道，多个导流道沿排气盒的宽度方向并列排布，导流道的一端与进气口连通；多个导流道沿排气盒的长度方向延伸预设长度，导流道的另一端朝向第一侧板发生弧形弯折，以与出气口连通，并且多个出气口的通气截面面积沿排气盒的长度方向依次设置。本申请实施例能提高对工艺腔室的冷却效率及均匀性。