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公开(公告)号：CN109326655B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201810980459.0
申请日：2018-08-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/94 , H01L27/10 , H01L21/82 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种半导体变容器及其制造方法，该半导体变容器包括具有相对的第一表面和第二表面的衬底、衬底上的深孔、与衬底导电类型相反的第一高掺杂区和相同的第二高掺杂区、衬底的第一表面上的介质层和控制电极；深孔可为盲孔或通孔，填充有绝缘层和导电材料；控制电极位于介质层之上，并且两者的外缘与绝缘层和第一高掺杂区邻接。本发明通过利用两个金属‑氧化物‑半导体结构来实现变容器，使得变容器的可调范围和调制电压可以分别设计优化，具有较好的灵活性且制作工艺简单。
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公开(公告)号：CN112216784A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910627340.X
申请日：2019-07-12
Applicant: 茂丞科技(深圳)有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L41/047 , H01L41/113 , H01L41/23 , H01L41/31 , H01L41/333 , G01H11/08 , G06K9/00
Abstract: 本发明提供一种晶圆级超声波感测装置及其制造方法，所述晶圆级超声波感测装置包括基板组件、超声波元件、第一保护层、第一导电线路、第二导电线路、第二保护层、传导材料、电性连接层及焊接部。基板组件包含第一晶圆及第二晶圆，第二晶圆覆盖第一晶圆上的凹槽而界定出中空腔体。超声波元件与中空腔体的投影叠合。第一保护层围绕超声波元件。第一晶圆、第二晶圆、第一保护层在第一侧表面与第一导电线路共平面，在第二侧表面与第二导电线路共平面。第二保护层具有开口，传导材料在开口内且接触超声波元件。电性连接层设置于第一侧表面及第二侧表面，焊接部连接电性连接层。
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公开(公告)号：CN111141273A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911310476.4
申请日：2019-12-18
Applicant: 无锡北微传感科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了基于多传感器融合的组合导航方法及系统，该方法包括：在GPS信号有效时，获取初始GPS导航信息；获取里程计的数据，并根据里程计的数据判断载体是否为静止状态；若载体为运动状态，则判断GPS信号是否有效；若GPS信号有效，使用GPS导航信息修正惯性测量元件误差并输出导航结果；若GPS信号失效，使用里程计的数据修正惯性测量元件误差并输出导航结果。本发明提供的基于多传感器融合的组合导航方法及系统，在GPS失效时，使用里程计进行补偿以抑制误差发散，从而提供准确的位置和方位信息，符合自动驾驶车辆的导航需求，在GPS失效时，保持稳定可靠的导航，提高导航精度和抗干扰能力，提高导航系统的应用范围。
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公开(公告)号：CN109887898A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910257903.0
申请日：2019-04-01
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L23/467 , H01L23/473 , H01L23/42
Abstract: 一种基于超声换能器的电子器件散热装置，其包括一个或多个超声换能器，设置于电子器件形成的热源附近，超声换能器用于扰动形成流过热源的声流以对电子器件进行散热。一方面，由于采用超声换能器作为换热介质的动力部件，使得产生的超声波能够扰动换热介质从而形成流过电子器件热源的声流，与传统的风冷、液冷等散热方式相比，具有低功耗、静音、对灰尘不敏感、高可靠性的应用优点；另一方面，由于只需将超声换能器设置于经过热源的介质通道上，再辅助以简单的控制电路就能够正常工作，具有布设便捷、电路简单的特定，可应用于多种环境下的集成电路。
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公开(公告)号：CN108735693A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810330872.2
申请日：2018-04-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/473 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种高散热性硅/玻璃复合转接板。包括依次层叠的下层硅片、上层硅片及玻璃片；其中，所述下层硅片背面形成有叉指状冷却液进出流道，正面形成有与冷却液进出流道的两端连通的冷却液进出口；所述上层硅片背面形成有与冷却液进出流道连通的毛细微流道，正面形成有至少一键合凸起部；所述玻璃片通过该键合凸起部与上层玻璃片键合。该复合转接板具有高散热性能，流阻小的优点，且提供一个良好的电介质环境，为射频领域中实现高散热且良好电绝缘转接板提供一套成熟可行的解决方案。同时提供上述转接板的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105470240B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201510817569.1
申请日：2015-11-23
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 本申请涉及硅通孔及三维集成电路中硅通孔组的测试电路和方法，包括：激励源，其与TSV的输入端相连接，用于提供激励信号；并联的两条电路支路，其与TSV的输出端相连接，其中一电路支路包括反相器件，另一电路支路包括电平触发器件和开关器件，开关器件用于控制电平触发器件所处电路支路的通断；第三电路支路，其与并联的两条电路支路的输出端相连接，用于根据电路支路当前处于的导通或断开状态，予以相应的输出；检测电路支路，用于根据第三电路支路的输出的信号表现，确定TSV是否存在开路缺陷或短路缺陷。本申请通过分析两条电路支路输出端的信号表现，来判断TSV缺陷，实现采用同一套测试电路即可覆盖开路缺陷和短路缺陷测试。
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公开(公告)号：CN104880190A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510294532.5
申请日：2015-06-02
Applicant: 无锡北微传感科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: G01C21/16
Abstract: 本发明公开了一种用于惯导姿态融合加速的智能芯片，所述智能芯片将姿态解算的梯度极值算法固化成硬件加速逻辑，将软件解算与硬件加速结合在一起，所述智能芯片按照数据流的顺序从输入到输出依次包括：SPI通信接口模块（1）、四元数初始化模块（2）、高速寄存模块（3）、四元数更新模块（4）和四元数反馈及输出模块（5），以提升惯导系统姿态融合的速度和精度。
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公开(公告)号：CN103515467A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210219111.2
申请日：2012-06-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/18
CPC classification number: H01L25/043 , H01L31/085 , H01L31/1055 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种基于基片键合的ΔE-E核辐射探测器及其制备方法，属于半导体核辐射探测器技术领域。本发明的ΔE-E核辐射探测器包括薄型PIN探测器，厚型PIN探测器以及两者之间的金属键合层；所述薄型PIN探测器是在键合基片上形成的；所述薄型PIN探测器键合基片由器件层硅片、支撑层硅片以及两层硅片之间的二氧化硅层组成，支撑层硅片上通过TMAH腐蚀开窗口形成空腔结构，所述空腔为八边形结构，呈倒扣桶状，且空腔侧壁与底面的夹角为54.74°。本发明还公开了所述基于基片键合的ΔE-E核辐射探测器的制造方法。本发明可用于空间探测，核物理，医学检测，和环境检测等多个领域。
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公开(公告)号：CN102544186A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210015141.1
申请日：2012-01-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/118 , H01L31/18 , G01T3/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制备方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于硅片正面和背面的P型和N型有源区，两个有源区中一个为圆形，另一个为圆环形。本发明通过将P型有源区和N型有源区设计成上下非对称结构，使得P区和N区之间的距离大于硅片的厚度，有效增大了两个有源区的距离，即增大了探测器I区的有效厚度，突破了硅片厚度对PIN管I区厚度的限制。此外，环形有源区通过其结构本身的对称性产生比较均匀的电流分布。
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公开(公告)号：CN102496632A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110452444.5
申请日：2011-12-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/0203 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于键合基片的超薄硅PIN高能粒子探测器及其制备方法。该探测器包括键合在一起的器件层硅片和支撑层硅片，以及二者之间的二氧化硅层，其中：所述器件层硅片的正面有掺杂形成的P+区，所述P+区之外的硅表面覆盖有二氧化硅层，所述P+区上面覆盖有薄金属层，该薄金属层边缘具有场板结构；所述支撑层硅片在对应于器件层硅片P+区的位置开有窗口形成空腔结构，暴露出器件层硅片的背面，该空腔结构为下宽上窄的倒扣桶状；所述器件层硅片暴露的背面区域为掺杂形成的N+区；所述N+区表面覆盖有厚金属层。本发明的超薄探测器可测量粒子能量及鉴别粒子种类，应用于核物理探测等领域中。
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