公开(公告)号：CN104979369B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201510377722.3

申请日：2011-02-18

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 黑川义元 ,  池田隆之 ,  田村辉 ,  上妻宗广 ,  池田匡孝 ,  青木健

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/361

CPC分类号： H01L27/14616 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/1055 ,  H04N5/361 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

摘要： 半导体器件及其制造方法。在其中多个像素被以矩阵设置的CMOS图像传感器中，其中沟道形成区包括氧化物半导体的晶体管被用于位于像素部分中的电荷累积控制晶体管和重置晶体管中的每一个。在以矩阵设置的所有像素中执行信号电荷累积部分的重置操作之后，在所有像素中执行通过光电二极管的电荷累积操作，且逐行执行对来自像素的信号的读取操作。因此，可没有扭曲地获取图像。

公开(公告)号：CN106847952A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201611155285.1

申请日：2016-12-14

申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

发明人： 马英杰 ,  张永刚

IPC分类号： H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/105

CPC分类号： H01L31/028 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/1055

摘要： 本发明涉及一种Si基三维Ge量子点晶体光伏型近中红外双色探测器，所述探测器结构为PIN或NIP结构的光伏型光电二极管结构，其中以三维Ge量子点晶体作为光吸收区。本发明利用三维Ge量子点晶体内的高效基态微带带间跃迁和价带微带子带间跃迁形成强的近红外和中红外波段光吸收，从而同时实现对近中红外波段的高效双色探测，在红外传感技术领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN105550662A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610006717.6

申请日：2016-01-05

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 李昌峰 ,  董学 ,  陈小川 ,  王海生 ,  刘英明 ,  杨盛际 ,  丁小梁 ,  赵卫杰 ,  刘伟 ,  王鹏鹏 ,  王磊 ,  卢鹏程 ,  龙君

IPC分类号： G06K9/00 ,  H01L27/12

CPC分类号： G06K9/0004 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/14678 ,  H01L29/78669 ,  H01L31/1055 ,  G06K9/00114

摘要： 本发明实施例提供一种指纹识别装置及其制作方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，能够解决现有的光学式指纹识别装置的厚度较大的问题。该指纹识别装置包括第一栅线和读取信号线，第一栅线和读取信号线交叉界定多个指纹识别单元，每个指纹识别单元中设置有光敏器件和第一晶体管；光敏器件包括第一电极层，以及依次位于第一电极层表面第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层以及第二电极层；第一电极层与第二电极层之间用于形成电场；第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间形成PN结；第一晶体管的栅极连接第一栅线，第一晶体管的第一极连接读取信号线，第一晶体管的第二极与第二电极层相连接。

公开(公告)号：CN102792677B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201180012932.2

申请日：2011-02-18

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 黑川义元 ,  池田隆之 ,  田村辉 ,  上妻宗广 ,  池田匡孝 ,  青木健

IPC分类号： H04N5/361 ,  H01L27/146 ,  H04N5/3745

CPC分类号： H01L27/14616 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/1055 ,  H04N5/361 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

摘要： 在其中多个像素被以矩阵设置的CMOS图像传感器中，其中沟道形成区包括氧化物半导体的晶体管被用于位于像素部分中的电荷累积控制晶体管和重置晶体管中的每一个。在以矩阵设置的所有像素中执行信号电荷累积部分的重置操作之后，在所有像素中执行通过光电二极管的电荷累积操作，且逐行执行对来自像素的信号的读取操作。因此，可没有扭曲地获取图像。

公开(公告)号：CN104377249A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201310671614.8

申请日：2013-12-11

申请人： 力智电子股份有限公司

发明人： 林炳原

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/03762 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 一种光学传感器及其制造方法。光学传感器可耦接于基板，包含半导体传感器晶粒以及多个导电连接体。半导体传感器晶粒包含第一表面、第二表面以及传感部。当光学传感器耦接于基板时，第一表面面对基板。第二表面与第一表面相背，且向半导体传感器晶粒内部形成窗口。传感部设置于第一表面及第二表面间，且至少部分暴露于窗口。多个导电连接体设置于第一表面，并与传感部耦接，供光学传感器耦接于基板。

公开(公告)号：CN103840033A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310617114.6

申请日：2013-11-27

申请人： 光引研创股份有限公司

发明人： 那允中

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/109

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/02327

摘要： 本发明公开了一种高效率频宽乘积锗光探测器，通过在硅基板上蚀刻一开口向下的凹槽，并于凹槽内部周缘镀制一金属反射镜面层，再于光探测器上加一介电质反射镜面层，且于金属反射镜面层与介电质反射镜面层间夹置一锗吸光层，其可为P-I-N结构或其它类型结构；通过上述结构配上共振腔的临界耦合公式调整，可将所有入射光完全闭锁于金属反射镜面层与介电质反射镜面层之间的腔体构造内而达成临界耦合，可具有接近百分之百吸收效率而不漏光，进而可在临界耦合的基础上突破频宽与效率之间的取舍而达到超过50GHz的高响应度与高频宽的目的，以增加光转电吸收的效率。

公开(公告)号：CN103762263A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201310753810.X

申请日：2013-12-31

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 戴天明

IPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L31/105 ,  H01L27/1214 ,  H01L31/1055 ,  H01L27/1296 ,  H01L31/035272 ,  H01L2021/775

摘要： 本发明公开了一种感光单元、显示面板的阵列基板及其制作方法。其中，感光单元采用P型掺杂区/本征区/N型掺杂区结构进行光电转换，产生的光电流不易因工作电压的波动而发生剧烈变化，准确度较高，此外，由于感光单元优选纵向设置P型掺杂区/本征区/N型掺杂区结构，因此当配置于显示面板的阵列基板上时，能够更加灵活地设置本征区长、宽、高的尺寸，尽可能地增大感光单元的光学感测区域，提升光电转换能力，从而使得包含有该感光单元的显示面板阵列基板、显示面板具有更好的环境光线感测能力，可靠性较高，灵敏度较高。本发明适用于各类型的显示面板。

公开(公告)号：CN103119402A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201180040006.6

申请日：2011-08-19

申请人： 埃勒斯塔继电器有限公司

发明人： 让雅克·瓦格纳

IPC分类号： G01D5/347 ,  G01D5/244 ,  H01L31/0203

CPC分类号： G01B11/14 ,  B23Q7/06 ,  G01B11/00 ,  G01D5/24442 ,  G01D5/347 ,  G01D5/34707 ,  G01D5/3473 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/1055

摘要： 本发明涉及一种位置测量装置，包括至少一个实物量具，具有光学结构，优选3D反射镜设置，至少一个光接收器，离实物量具一段距离设置，一个光源，离实物量具一段距离设置，并离光接收器一段距离设置，和至少一个透明基板，设置在实物量具和光接收器之间。光接收器以由多层叠加层组成的薄膜结构的形式直接沉积在透明基板上，在基板的朝向远离实物量具的侧面上。本发明其特征在于设置具有条形导体的一个载体板，其上设置有基板，透明基板和载体板通过倒装芯片装配以固定方式相互连接，实物量具包括至少两个具有光学元件的码道，第一码道用于产生增量信号，光接收器形成为感应区，由多个光接收器元件组成。设置至少一个第一和一个第二感应区，第一感应区以这样的方式实施以与第一码道配合用于产生增量信号，第二感应区以这样的方式实施以与作为索引码道或编码码道的第二码道配合。

公开(公告)号：CN102790067A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210262964.4

申请日：2012-07-26

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 阎长江 ,  谢振宇 ,  徐少颖 ,  李田生

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L31/1055 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14692 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L31/0256

摘要： 本发明公开了一种传感器及其制造方法，所述传感器包括：衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，每个感测单元包括薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件，其中，所述薄膜晶体管器件的沟道区倒置，源极和漏极位于有源层和栅极之间。对比于现有技术，本发明所提出的传感器在制造工艺上减少了掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。

公开(公告)号：CN101490855A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780027582.0

申请日：2007-07-05

申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司

发明人： P·J·范德扎格 ,  I·弗伦奇 ,  N·D·扬

IPC分类号： H01L31/105 ,  G01N21/25 ,  G01N21/64 ,  H01L31/103

CPC分类号： H01L31/1055 ,  G01N21/6428 ,  H01L31/103

摘要： 公开了一种光二极管(200)，例如PN或PIN光二极管。光二极管接收具有第一和第二谱分布的入射辐射，其中，第一谱分布从第二谱分布发生了谱移。光二极管具有第一半导体层(211)，第一半导体层(211)能够吸收具有第一谱分布的入射辐射(231)而不产生光电流，并同时透射具有第二谱分布的入射辐射到本征层(212)中用于产生光电流(213)。可以与探测目标分子的存在来结合使用光二极管，该目标分子标记有诸如荧光团或量子点的标记剂。标记剂的特征在于斯托克斯位移，并且因此它们发射具有第二谱分布的荧光辐射，第二谱分布从具有第一谱分布的照明辐射发生了谱移。