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公开(公告)号：CN105732024A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610035194.8
申请日：2016-01-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3298
Abstract: 新型二元系K0.5Bi0.5TiO3–BiMg0.5Zr0.5O3无铅压电陶瓷材料及制备，属于钙钛矿结构压电陶瓷领域。材料用通式(1?x)K0.5Bi0.5TiO3?x BiMg0.5Zr0.5O3(0
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公开(公告)号：CN105405923A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510729856.7
申请日：2015-10-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , C09K11/78
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1804 , C09K11/7766 , H01L31/02322
Abstract: 本发明属于固体发光材料领域，具体涉及同时具有减反与下转换转光的Y2O3:Bi,Yb薄膜制备方法。本发明是旨在减少晶体硅太阳能电池的光电损失，其特征在于将下转换转光机制与晶体硅材料表面减反陷光结构制备两种方式结合，在具有减反陷光结构的硅衬底上制备出Y2O3:Bi,Yb下转换转光薄膜，最终达到同时实现减反与下转换转光的目的。本发明的Y2O3:Bi,Yb薄膜在300-1100nm范围内具有较低的平均反射率，最低可至2.94％，同时，具有强的近红外光发射，其发射主峰位于800-1100nm能与硅的禁带宽度完美相匹配，可有效提高晶体硅太阳能电池对太阳光的利用，制备工艺十分简单，成本低廉，为实现大规模的工业生产提供了可能。
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公开(公告)号：CN104531152A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410805371.7
申请日：2014-12-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: C09K11/85
Abstract: 一种稀土氟化物发光材料的高效抗氧化退火方法属于固体发光材料领域。其特征在于由以下步骤组成：将稀土氟化物荧光材料进行研磨，过筛网后直接压制成素坯体；素坯体置于氧化铝坩埚中，用石英砂将素坯体掩埋并将氧化铝坩埚填满；在另一个更大的氧化铝坩埚底部铺满活性炭粉，将之前盖好的装有素坯体的坩埚置于大坩埚中，大坩埚的其他空隙用活性炭填满，盖好盖子；装好的大坩埚置于马氏炉中以每小时160℃-200℃的升温速率进行升温，达到退火温度后进行退火处理，最后随炉降温至室温。本发明氟化物转光材料结晶性良好，并且具有较强的上转换性能，有效减少了氟化物被氧化的几率以及杂相的生成，改善了氟化物稀土材料的加工性能，降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN104496460A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410669987.6
申请日：2014-11-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/45 , C04B35/622
Abstract: 一种调节CuAlO2陶瓷电导率的方法及CuAl1-xYxO2陶瓷制备方法，属于陶瓷技术领域。通过钇部分掺杂取代CuAlO2中的Al的方法来调节CuAlO2陶瓷电导率，钇部分掺杂取代CuAlO2得到化合式为CuAl1-xYxO2的物质，其中0.01≤x≤0.10。制备方法：按化学计量比称量原料；将原料放入球磨罐中球磨；将粉体放入坩埚中煅烧，煅烧温度时1100℃，然后进行二次球磨、烘干；将研磨得到的粉体压制成坯体，得到的坯体在炉子以560℃-600℃排胶、以1150℃-1250℃的温度进行烧结。通过简单的钇掺杂就能实现CuAlO2材料的电导率的改变。
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公开(公告)号：CN103194231B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201310119855.1
申请日：2013-04-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: C09K11/78 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明属于固体发光材料领域，具体涉及一种稀土/金属离子掺杂下转换发光增强材料及其制备方法。其化学组成表示式为：Y2O3：xBi3+，yYb3+，zZnO，其中x的掺杂量为0.01～40mol%，y的掺杂量为0.01～50mol%，z的掺杂量为0～70mol%。组成原料为：Y2O3、Bi2O3、Yb2O3和ZnO，其中Bi2O3掺杂量为0.005～20mol%，Yb2O3掺杂量为0.005～25mol%，ZnO掺杂量为0～70mol%。本发明的稀土/金属离子掺杂下转换发光增强材料在利用Yb3+离子发射的同时，通过加入金属氧化物ZnO改进了其在紫外-可见区的吸收，进一步提高了Yb3+离子在900～1100nm处的发光强度，是潜在的提高晶体硅太阳能电池效率的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102838351B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210351069.X
申请日：2012-09-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 一种多铁材料及制备方法，属于多铁材料技术领域。该材料为金红石结构，化学组成为FeTiNbO6；将Fe2O3、Nb2O5和TiO2球磨混合、烘干，放入密闭的坩埚中预烧，然后研碎，加入聚乙烯醇进行造粒，过80目筛后，压制成坯片；将坯片在700℃下排胶，置于密闭的坩埚中，在900~1400℃下烧结，保温2~6h。本发明金红石型多铁材料结构稳定、制备方法简单、成本低、易于操作。
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公开(公告)号：CN102875939B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201210404713.5
申请日：2012-10-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种铌酸钾/聚偏氟乙烯高介电复合材料的制备方法，属于介电复合材料技术领域。将聚偏氟乙烯加入DMF中，超声20～40min，得到聚偏氟乙烯的浓度为10～50wt%的透明溶液A；将铌酸钾加入到透明溶液A中，超声5～20min，把得到的悬浊液倒入玻璃皿中，置于80～120℃下烘干成膜，即可得到铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜B，铌酸钾与聚偏氟乙烯质量比为1∶9～5∶5；将铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜B折叠后放入热压模具中，然后将磨具放在粉末压片机上热压成型。本发明的复合材料介电常数较高、介电损耗较低、制备工艺简单、绿色环保的高介电常数聚合物基复合材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN102719251B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210193653.7
申请日：2012-06-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: C09K11/81
Abstract: 本发明属于固体发光材料领域，具体涉及一种下转换发光增强复合粉体材料及其制备方法。其化学组成表示式为：（Y1-x-yPrxYby）PO4/zTiO2，其中x的摩尔分数为1~20%，y的摩尔分数为1~30%，z的摩尔分数为0~50%。组成原料为：Y2O3、P2O5、Pr2O3、Yb2O3和TiO2，其中Pr2O3摩尔分数为1~20%，Yb2O3摩尔分数为1~30%，TiO2摩尔分数为0~50%。本发明的下转换发光增强复合粉体材料具有强的近红外光发射，特别是加入TiO2后可以使材料的发光强度进一步增强并使近红外光区800~1100nm处的发射光谱宽化，发射主峰位置与硅的禁带宽度完美相匹配，可有效提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率，是潜在的晶体硅太阳能电池用下转换发光增强复合粉体材料。
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公开(公告)号：CN102557636B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201210042176.4
申请日：2012-02-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/624
Abstract: 铋层高温压电陶瓷铌酸铋钠纳米粉体的溶胶-凝胶合成方法，属于压电陶瓷材料技术领域。将Nb2O5与KOH混合煅烧得到产物溶于去离子水，用硝酸滴定至pH＝2～3，收集沉淀溶解于草酸得到溶液A；用氨水滴定至pH＝10～11，离心分离获得白色沉淀B；将B溶解于柠檬酸中得溶液C；将Na2CO3和Bi(NO3)3溶于乙酸中，同时加入乙醇胺络合Bi3+离子，加热搅拌形成溶液D；将溶液C与D混合并加入乙醇胺调节pH＝7～9得溶胶E；将E于干燥得到干凝胶F；将干凝胶F于300～350℃下处理得中间产物G；将中间产物G650～850℃下晶化。本发明生产工艺简单、低成本、低能耗、制备的NBN纳米粉体成分均匀。
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