公开(公告)号：CN115911100B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310192045.2

申请日：2023-03-02

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  鹿祥宾 ,  朱松超 ,  李君建 ,  安铁雷 ,  连亚军 ,  董子斌

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：初始衬底；阱区，形成于初始衬底；体区和漂移区，形成于阱区；源极，形成于体区靠近漂移区一侧；载流子吸附层，形成于体区，载流子吸附层为横向延伸的非平坦构型，载流子吸附层的一端延伸至体区远离漂移区一侧，另一端延伸至源极并紧贴源极底部，载流子吸附层为第一导电类型离子重掺杂；二氧化硅隔离层，形成于阱区，并位于体区底部；漏极，形成于漂移区；栅极，形成于体区上；场板，形成于漂移区上。通过本发明提供的晶体管，能够减少载流子在体区内聚集，提高横向双扩散场效应晶体管的击穿电压。

公开(公告)号：CN115863397A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202310056857.4

申请日：2023-01-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  邵亚利 ,  安铁雷 ,  连亚军 ,  朱亚星

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；阱区，形成于衬底；体区和漂移区，形成于阱区；异质结延伸区，形成于漂移区的上表面，异质结延伸区包括漂移延伸层和层叠设置于漂移延伸层之上的碳化硅延伸层，漂移延伸层与碳化硅延伸层具有不同的导电类型，漂移延伸层与漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于漂移区的上表面，位于异质结延伸区的两侧；栅极，形成于体区之上；源极，形成于体区；漏极，形成于漂移区。通过本发明提供的晶体管，能够减轻漂移区表面电子的聚集，改善自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。