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公开(公告)号：CN104176781B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201410392616.8
申请日：2014-08-11
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开一种片状纳米二硫化钼的制备方法，将原料具有层状晶体结构的二硫化钼分散在硝酸和盐酸的混合溶液中，采用加热或超声方法进行液相剥离，反应完成后，得到片状纳米二硫化钼。本发明还提出复合纳米金属防腐涂层材料及其制备方法，通过将所述纳米片状二硫化钼与纳米二氧化硅溶胶复合得到。本发明制备工艺简单，原料易得，广泛应用于金属材料的防锈处理及性能改进，延长金属使用寿命和降低能耗。
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公开(公告)号：CN104986802A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510397841.5
申请日：2015-07-08
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开一种片状纳米材料的制备方法，将具有层状晶体结构的微粉材料分散在盐酸和硝化物的混合溶液中，将所述混合溶液进行加热超声处理，得到所述纳米片状材料。本发明的片状纳米材料的制备方法具有简单，原料易得，高效率，高产率，适合大规模生产等优点。本发明得到的片状纳米材料厚度小于20纳米，分散性好。可适用于纳米材料制备领域的广泛应用。
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公开(公告)号：CN104409639A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410610403.8
申请日：2014-11-03
Applicant: 华东师范大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/0008 , H01L51/0032 , H01L51/42 , H01L2251/10 , H01L2251/30 , H01L2251/301
Abstract: 本发明公开了一种有机钙钛矿薄膜的制备方法，通过超声雾化方法将含铅、锡或镉前驱体沉积到衬底材料上，然后将衬底材料置于有机胺和卤化氢的混合气体中一步法制备钙钛矿薄膜。本发明操作步骤简单，有利于大面积有机钙钛矿薄膜的制备，成本低，易于实施，并且安全、环保。本发明方法制得的有机钙钛矿薄膜具有很好的薄膜质量和稳定性。
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公开(公告)号：CN104176781A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410392616.8
申请日：2014-08-11
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开一种片状纳米二硫化钼的制备方法，将原料具有层状晶体结构的二硫化钼分散在硝酸和盐酸的混合溶液中，采用加热或超声方法进行液相剥离，反应完成后，得到片状纳米二硫化钼。本发明还提出复合纳米金属防腐涂层材料及其制备方法，通过将所述纳米片状二硫化钼与纳米二氧化硅溶胶复合得到。本发明制备工艺简单，原料易得，广泛应用于金属材料的防锈处理及性能改进，延长金属使用寿命和降低能耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112687792B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202011507915.3
申请日：2020-12-18
Applicant: 华东师范大学
IPC: H10N70/00
Abstract: 本发明公开了一种光刺激两端人工突触器件及制备方法和应用，其制备方法是采用真空热蒸镀的方式在电极表面依次蒸镀酞菁铜有机半导体、小分子铁电体和酞菁铜有机半导体薄膜，形成金属/有机半导体/小分子铁电体层/有机半导体/金属的器件结构。其中所述电极为金、银、铜、铝、铟锡氧化物等导体，所述小分子铁电层为高氯酸胍和四乙基高氯酸胺小分子铁电体。本发明所制备的人工突触器件能够实现生物突触相似的功能，具有低功耗，低串扰等优点。其制备方法操作步骤简单，成本低，易于实施，并且安全、环保。
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公开(公告)号：CN112436092B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202011353795.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种双端光电人工突触器件及制备方法和应用，其特点是上、下电极之间设置有机铁电聚合物和有机半导体为功能层，组成具有薄膜结构的光控神经突触器件；制备方法包括：在衬底上依次蒸镀下电极、旋涂有机铁电聚合物、蒸镀有机半导体和上电极，制得具有薄膜结构的光控神经突触器件，该器件应用于构建人工神经网络系统，能够模拟生物神经突触的功能。本发明与现有技术相比具有利用电刺激和光脉冲实现生物突触相似的功能，制备方法简单、成本低、易于实施，低功耗操作和低串扰等优点，在光电学习能力的神经形态功能开发中具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN110339838B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201910571547.X
申请日：2019-06-28
Applicant: 华东师范大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/031 , C25B11/054 , C25B11/061 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属掺杂纳米α‑氢氧化钴材料的制备方法及应用，其制备方法：将钴盐和过渡金属盐分散在水和醇的混合溶液中，加入氨和胺混合溶液，在室温下快速生成过渡金属掺杂纳米α‑氢氧化钴材料，直接在体系中加入全氟磺酸聚合物，将制备得到的溶液负载到泡沫镍上，干燥后得到电极材料，该电极材料可以应用于催化电解水。本发明提供了一种简单且低成本的合成过渡金属掺杂纳米α‑氢氧化钴材料的方法，该材料对催化水裂解具有高效的活性。
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公开(公告)号：CN110797459A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910967931.1
申请日：2019-10-12
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种铁电调控的两端导电聚合物人工突触器件及制备方法和应用，其制备方法是在电极表面旋涂有导电聚合物薄膜，然后再在导电聚合物薄膜表面旋涂一层有机铁电聚合物薄膜，最后在有机铁电聚合物薄膜上热蒸发一层导体作为上电极，形成三明治的器件结构。其中所述电极为金、银、铜、铝、铟锡氧化物等导体。本发明所制备的人工突触器件能够实现生物突触相似的功能，具有低功耗、响应速度快及记忆时间长等优点。其制备方法操作步骤简单、成本低、易于实施，并且安全、环保。
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公开(公告)号：CN110167257A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910486076.2
申请日：2019-06-05
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种限位固定且具有边角防护功能的集成电路板，包括集成电路板、边角防护机构、限位固定机构和焊接结构，所述集成电路板的四角设置有边角防护机构，所述集成电路板四角周边设置有限位固定机构，所述集成电路板上设置有焊接结构；将限定板一侧设置的限定柱卡进限位圈的内部，使限定板通过限定柱在限位圈内部进行滑动，在进行滑动的时候，弹片之间的角度会增加，进而使弹片外侧设置的限位圈半径增加，限定柱一侧设置的滑槽移动到限位圈的内部，在这个过程中，限位圈外侧设置的弹片之间的夹角会变小，进而使限位圈固定安装在卡槽处，不需要通过螺丝进行固定电路板，就可以对电路板起到限位固定的作用。
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