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公开(公告)号：CN117542657A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311513541.X
申请日：2023-11-14
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01G4/12 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C14/35 , C23C28/00 , H01G4/33 , H01G4/008 , H01G4/005 , H01G4/14
Abstract: 本发明实施例提供一种基于绝缘层缓冲的有机铁电聚合物电容器及其制备方法，该电容器依次包括衬底，第一电极层，第一绝缘层，铁电层，第二绝缘层，第二电极层，通过在铁电层和第一电极层以及铁电层和第二电极层之间增加氧化物陶瓷材料绝缘层，减少了漏电流的产生，提高了该电容器件的抗疲劳特性，同时还兼容了不能和铁电层直接接触的电极材料。本发明实施例提供的制备基于绝缘层缓冲的有机铁电聚合物电容器的方法，通过旋涂方式将铁电材料形成于第一绝缘层上，通过磁控溅射或者热蒸发的方式将第一电极层形成于衬底上，将第二电极层形成于第二绝缘层上，第一第二绝缘层均采用原子层沉积，该方法操作方便，成本低，易于实施，并且安全、环保。
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公开(公告)号：CN113948519A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110979542.8
申请日：2021-08-25
IPC: H01L27/11507 , G11C11/22
Abstract: 本发明涉及一种非破坏性读取的铁电忆容器及其制作方法和应用，铁电存储器的结构为“电极‑铁电层‑电极‑绝缘介质层‑半导体”；制作方法为：首先在半导体衬底上生长一层绝缘材料介质层，其次在“半导体‑绝缘介质层”基底上制作中间电极，然后在“半导体‑绝缘介质层‑电极”上生长铁电材料形成铁电薄膜层，最后在“半导体‑绝缘介质层‑电极‑铁电层”上制作顶电极，形成忆容器；应用为：使顶电极作为输入端，基底半导体用银浆引出作为输出端，两端之间的电容可在正负脉冲作用下改变并保存，然后在小信号三角波下实现非破坏性读取。本发明实现了电容作为存储信息，并满足非易失存储的要求，读取和写入的速度快，且热损耗低，能量利用率高。
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公开(公告)号：CN110797459B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910967931.1
申请日：2019-10-12
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种铁电调控的两端导电聚合物人工突触器件及制备方法和应用，其制备方法是在电极表面旋涂有导电聚合物薄膜，然后再在导电聚合物薄膜表面旋涂一层有机铁电聚合物薄膜，最后在有机铁电聚合物薄膜上热蒸发一层导体作为上电极，形成三明治的器件结构。其中所述电极为金、银、铜、铝、铟锡氧化物等导体。本发明所制备的人工突触器件能够实现生物突触相似的功能，具有低功耗、响应速度快及记忆时间长等优点。其制备方法操作步骤简单、成本低、易于实施，并且安全、环保。
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公开(公告)号：CN111081875A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911265570.2
申请日：2019-12-11
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明涉及了一种铁电极化调控的人工突触器件及其制备方法，其特点是衬底上依次制备二维半导体层、源/漏电极、铁电功能层和栅电极，组成铁电极化调控的人工突触结构，所述二维半导体为MoS2或WSe2过渡金属硫族化合物涂层；所述铁电功能层为聚偏氟乙烯基铁电聚合物薄膜；突触器件的制备包括：SiO2/Si层、过渡金属硫族化合物曾、背栅结构、聚偏氟乙烯层和金属顶栅电极的制备。本发明与现有技术相比具有超低功耗、寿命长等优点，这些特性使得该有机铁电晶体管突触非常有前景，可以促使大规模的神经结构网络模拟人类大脑，并启发人脑算法网络中的大规模并行性和低功耗操作。
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公开(公告)号：CN114582632B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202210024974.8
申请日：2022-01-11
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于动态目标提取的铁电电容阵列及其制备方法，其特点是在衬底上制备底电极层、铁电功能层和顶电极层组成铁电电容阵列，构建的阵列网络与目标视频的像素点一一对应，通过输入像素点对应的脉冲序列，改变铁电功能层的极化状态，探测相应的极化反转电流，根据电流值的大小得到相应的像素值，实现对视频动态信息的提取。本发明与现有技术相比具有传输过程中所需内存更小，并且处理速度快，器件结构简单，能耗低等优势，较好地模拟了某些生物如青蛙的视觉行为，促进类脑神经网络的进一步发展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114989464A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210625387.4
申请日：2022-06-02
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种PVDF/PMMA复合薄膜及其制备方法，该制备方法先将PVDF、PMMA材料按照一定质量比混合，获得预混物；然后将预混物以预定的速度送入共混装置，将预混物经一个及以上的温区进行加热、搅拌呈熔融态，获得熔融共混物；将获得的熔融共混物推送到流延成膜装置，经流延成膜装置流出成膜；最后对流延形成的膜经冷却辊冷却，经收卷辊以预定转速收卷，完成PVDF/PMMA复合薄膜的制备。通过该制备方法制备的PVDF/PMMA复合薄膜具有类反铁电电滞回线，高储能密度，储能效率高的特点。采用本发明提供的PVDF/PMMA复合薄膜制备方法可高速、连续制备聚合物薄膜，具有良好的产业化前景。
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公开(公告)号：CN114582632A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210024974.8
申请日：2022-01-11
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于动态目标提取的铁电电容阵列及其制备方法，其特点是在衬底上制备底电极层、铁电功能层和顶电极层组成铁电电容阵列，构建的阵列网络与目标视频的像素点一一对应，通过输入像素点对应的脉冲序列，改变铁电功能层的极化状态，探测相应的极化反转电流，根据电流值的大小得到相应的像素值，实现对视频动态信息的提取。本发明与现有技术相比具有传输过程中所需内存更小，并且处理速度快，器件结构简单，能耗低等优势，较好地模拟了某些生物如青蛙的视觉行为，促进类脑神经网络的进一步发展。
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公开(公告)号：CN109755385B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201910004480.1
申请日：2019-01-03
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于功能化聚噻吩类导电聚合物的人工突触两端器件及制备方法和应用。其制备方法是在功能化噻吩单体的溶液中采用电化学聚合的方法在电极表面生成薄膜作为人工突触器件的功能层，然后在功能层薄膜上面热蒸发一层导体作为上电极，形成三明治的器件结构。其中所述电极为金、银、铜、铝、铟锡氧化物等导体。本发明所制备的人工突触器件能够实现生物突触相似的功能，具有低功耗，响应快等优点。其制备方法操作步骤简单，成本低，易于实施，并且安全、环保。
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公开(公告)号：CN109755385A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910004480.1
申请日：2019-01-03
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于功能化聚噻吩类导电聚合物的人工突触两端器件及制备方法和应用。其制备方法是在功能化噻吩单体的溶液中采用电化学聚合的方法在电极表面生成薄膜作为人工突触器件的功能层，然后在功能层薄膜上面热蒸发一层导体作为上电极，形成三明治的器件结构。其中所述电极为金、银、铜、铝、铟锡氧化物等导体。本发明所制备的人工突触器件能够实现生物突触相似的功能，具有低功耗，响应快等优点。其制备方法操作步骤简单，成本低，易于实施，并且安全、环保。
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公开(公告)号：CN114989464B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210625387.4
申请日：2022-06-02
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种PVDF/PMMA复合薄膜及其制备方法，该制备方法先将PVDF、PMMA材料按照一定质量比混合，获得预混物；然后将预混物以预定的速度送入共混装置，将预混物经一个及以上的温区进行加热、搅拌呈熔融态，获得熔融共混物；将获得的熔融共混物推送到流延成膜装置，经流延成膜装置流出成膜；最后对流延形成的膜经冷却辊冷却，经收卷辊以预定转速收卷，完成PVDF/PMMA复合薄膜的制备。通过该制备方法制备的PVDF/PMMA复合薄膜具有类反铁电电滞回线，高储能密度，储能效率高的特点。采用本发明提供的PVDF/PMMA复合薄膜制备方法可高速、连续制备聚合物薄膜，具有良好的产业化前景。
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