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公开(公告)号：CN103296159A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310221246.7
申请日：2013-05-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱。本发明制备的InGaN/GaN多量子阱光致发光峰位是441nm，半峰宽24.3nm，显示出很好的光学性能。本发明还公开了上述InGaN/GaN多量子阱的制备方法。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的InGaN/GaN多量子阱结晶质量好，光学性能好。
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公开(公告)号：CN103296157A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310214607.5
申请日：2013-05-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜，长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片的制备方法。本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。
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公开(公告)号：CN103296066A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310214609.4
申请日：2013-05-31
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/20 , H01L21/203 , H01L33/00 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN薄膜，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的GaN薄膜。所述La0.3Sr1.7AlTaO6衬底以(111)面偏(100)方向0.5～1°为外延面。本发明还公开了上述GaN薄膜的制备方法。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，同时本发明制备的GaN薄膜具有缺陷密度低、结晶质量好等特点。
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公开(公告)号：CN206225325U
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201620979038.2
申请日：2016-08-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜，包括依次生长在ScMgAlO4衬底上的GaN缓冲层，GaN形核层，GaN非晶层以及GaN薄膜。所述ScMgAlO4衬底以(0001)面偏(11‑20)面0.5～1°为外延面。与现有技术相比，本实用新型具有制备成本低廉的优点，GaN薄膜具有晶体质量好、缺陷密度低等特点。
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公开(公告)号：CN204067412U
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201420369057.4
申请日：2014-07-03
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了生长在W衬底上的AlN薄膜，包括由下至上依次排列的W衬底和AlN薄膜，所述AlN薄膜为在400～500℃下生长的AlN薄膜。所述W衬底以(110)面为外延面。与现有技术相比。本实用新型的AlN薄膜具有缺陷密度低、结晶质量好等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN203339209U
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201320312782.3
申请日：2013-05-31
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/32 , H01L33/18 , H01L31/0304
Abstract: 本实用新型公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的掺杂GaN薄膜，所述掺杂GaN薄膜为n型掺杂GaN薄膜或p型掺杂GaN薄膜。本实用新型还公开了上述生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜的制备方法。与现有技术相比，本实用新型具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的n型或p型掺杂GaN薄膜缺陷密度低、结晶质量好，电学性能好。
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公开(公告)号：CN203339206U
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201320312662.3
申请日：2013-05-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱。本实用新型制备的InGaN/GaN多量子阱光致发光峰位是441nm，半峰宽24.3nm，显示出很好的光学性能。与现有技术相比，本实用新型具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的InGaN/GaN多量子阱结晶质量好，光学性能好。
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公开(公告)号：CN203339168U
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201320312725.5
申请日：2013-05-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN薄膜，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的GaN薄膜。所述La0.3Sr1.7AlTaO6衬底以(111)面偏(100)方向0.5～1°为外延面。本实用新型还公开了上述GaN薄膜的制备方法。与现有技术相比，本实用新型具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，同时本实用新型制备的GaN薄膜具有缺陷密度低、结晶质量好等特点。
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公开(公告)号：CN204067411U
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201420368656.4
申请日：2014-07-03
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了生长在W衬底上的GaN薄膜，包括生长在W衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的GaN薄膜；所述AlN缓冲层为在400～500℃生长的AlN缓冲层；所述GaN薄膜为在700～800℃生长的GaN薄膜。本实用新型制备的生长在W衬底上的GaN薄膜，具有位错密度低、晶体质量好的优点。
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公开(公告)号：CN203983322U
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201420397434.5
申请日：2014-07-17
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在Zr衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN多量子阱；所述GaN缓冲层为在500～700℃生长的GaN缓冲层；所述非掺杂GaN层为在600～800℃生长的非掺杂GaN层；所述InGaN/GaN多量子阱为在700～800℃生长的InGaN/GaN量子阱。本实用新型的InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好、光电性能好，生长工艺简单，制备成本低廉。
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