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公开(公告)号：CN119322245A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411466433.6
申请日：2024-10-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种面向多种新原理器件阵列的阵列测试装置，包括阵列测试主板、半导体参数分析仪、上位机，阵列测试主板包括微控制器、多块矩阵开关板卡，矩阵开关板卡包括移位寄存器、继电器组阵列，其中继电器组的公共端与待测阵列连接，接点端为与半导体参数分析仪连接的SMU端、无电学连接的Float端、连接外部源表的Vref端和GND端；微控制器接收上位机通信指令，向各矩阵开关板卡上的移位寄存器串行发送控制信号，移位寄存器再向所在矩阵开关板卡上继电器组的控制端口并行输出控制信号，通过继电器组的开关切换实现半导体参数分析仪对待测阵列上的器件进行测试。本发明所述装置具有可扩展性，能够对多种类新原理器件阵列高效测量，同时降低了各类噪声对待测信号的影响以及串扰影响，提高了测试精度。
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公开(公告)号：CN119208340A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411247146.6
申请日：2024-09-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146 , G06V10/82
Abstract: 本发明公开了一种可实现红外和可见双波段融合计算的二维材料视觉传感器及图像识别系统，从上至下依次包括：顶电极、表现出光导效应的第一材料层、第二材料层、第三材料层和底电极；所述第三材料层通过与底电极形成的肖特基势垒来产生光伏效应，光伏效应产生的开路电压对第一材料层的光导效应产生驱动效果，最终输出一个包含红外与可见信息的光电流；同时可在第一材料层施加一个外部偏压，通过控制该外部偏压相对于光伏效应产生的开路电压的方向，实现对输出电流的增强或抑制。
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公开(公告)号：CN114282478B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202111372955.6
申请日：2021-11-18
Applicant: 南京大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种修正可变电阻器件阵列点乘误差的方法，包括(1)将目标电导矩阵初始化写入可变电阻器件阵列；(2)计算可变电阻器件阵列的有效电导矩阵；(3)将步骤(2)所得的有效电导矩阵与目标电导矩阵对比，若满足收敛条件，则该方法执行完毕，否则继续执行以下步骤：将差值矩阵乘以调节系数η得到误差电导矩阵，根据此误差矩阵来调节实际硬件阵列上每个可变电阻器件的阻值，即调节实际可变电阻器件的电导矩阵Gwrite为Gwrite＝G′write‑Gerror；其中Gerror为误差电导矩阵，G′write为上一次实际写入可变电阻器件的电导矩阵；调节之后，重复执行步骤(2)和(3)，直到满足步骤(3)中的停止条件。本发明能够显著提高可变电阻器件阵列当中线路电阻引起的矩阵运算误差的修正效果，有广泛应用价值和潜力。
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公开(公告)号：CN116094882B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202211382599.0
申请日：2022-11-07
Applicant: 南京大学
IPC: H04L27/00
Abstract: 本发明公开了一种基于模拟存内计算的调制、解调方法及系统，本发明先将需要调制的二进制码流转换为IQ符号流，然后根据IQ符号流为构建的模拟存内计算阵列赋电导值，从而使得模拟存内计算阵列的输出实现调制；在解调中，通过离散傅里叶变换原理为模拟存内计算阵列赋电导值，再将待解调信号通过模拟存内计算阵列后的信号积分和模数转换为IQ符号，将IQ符号转换为二进制码，从而实现解调。本发明功耗低、时延小。
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公开(公告)号：CN114743572A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210392734.3
申请日：2022-04-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了基于2D1R单元结构的忆阻器阵列集成结构，包括m*n个2D1R单元结构，组成m行n列的忆阻器阵列，将每个2D1R单元结构分别记为Uij；所述2D1R单元结构包括忆阻器R、二极管D1、二极管D2，二极管D1正极和二极管D2负极相连，忆阻器R负极和两个二极管的连接节点相连；所述忆阻器R的正极连接电压信号输入总线，二极管D1负极连接正电流信号输出总线，二极管D2正极连接负电流信号输出总线。本发明的技术方案能够实现高密度集成，低功耗操作，能够有效解决阵列中单元结构间电流串扰问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108365092B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201810050297.0
申请日：2018-01-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 基于二维原子晶体的耐高温忆阻器，所述忆阻器结构是基底上具有底电极/电介质/顶电极的三明治结构；所述的电介质厚度范围从单个原子层(约0.3nm)到1μm；所述的底电极和顶电极由惰性金属材料如铂、金、钯，柔性导电材料如氧化铟锡或包括石墨烯半金属型二维原子晶体材料；所述的电介质由二维原子晶体材料组成；所述基底包括衬底或生长于衬底表面的绝缘材料层，所述衬底材料包括硅、聚酰亚胺或聚二甲基硅氧烷，所述绝缘材料包括氧化硅、氮化硅或氧化铝。
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公开(公告)号：CN105675700B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201610018192.8
申请日：2016-01-12
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/60
Abstract: 一种基于层状材料的生物物质传感器，包括：绝缘层(2)、金属电极层(3)、二维材料薄膜层(4)、特异性吸附层(5)及介质层(6)；绝缘层(2)上为二维材料薄膜层(4)，特异性吸附层(5)位于二维材料薄膜层的上表面，吸附特异性的物质，改变二维材料薄膜层的表面掺杂状态；金属电极层，包括源电极层(31)，漏电极层(32)及顶栅电极层(33)；源电极层(31)和漏电极层覆盖在二维材料薄膜层的两端上，顶栅电极层位于二维材料薄膜层和特异性吸附层的旁边并与漏电极层保持一定距离，源电极层和漏电极层的表面覆盖有绝缘层进行保护；介质层覆盖在二维材料薄膜层，特异性附着层(5)和金属电极层表面。
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公开(公告)号：CN105489693B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201511028062.4
申请日：2015-12-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0352
Abstract: 基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件，所述的光伏探测器包括在基底上设有自下到上的结构：衬底绝缘层，所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底；p‑型二维层状薄膜材料薄膜层，所述p‑型二维层状薄膜材料薄膜层叠放在一个确定层数的石墨烯上，n‑型二维层状薄膜材料薄膜叠放在上述石墨烯下，整个异质结器件层置于所述绝缘层上，石墨烯将两半导体层完全分隔开；所述顶栅绝缘层包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铪等；顶栅金属电极层设置所述顶栅绝缘层上。所述的异质结探测器感器还包括：基底，设置在所述绝缘层下面。
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公开(公告)号：CN107021524A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710350595.7
申请日：2017-05-18
Applicant: 南京大学
IPC: C01G39/06
CPC classification number: C01G39/06 , C01P2002/82 , C01P2004/02 , C01P2004/22
Abstract: 本发明公开了一种水溶性盐辅助转移CVD二维过渡金属硫族化合物的方法。该方法首先将过渡金属物粉末和水溶性盐粉末混合后放入生长炉进行生长，利用水溶性盐的加热挥发，在生长衬底上生长一层水溶性盐层，再根据过渡金属物粉末的加热挥发与硫源物气体或硫源物固体加热挥发后进行化学反应得到过渡金属硫族化合物沉积在生长衬底上，最终在生长衬底上生长一层水溶性盐层和单层过渡金属硫族化合物。然后将其添加支撑层后，放入水中溶解掉水溶性盐层，再将支撑层和单层过渡金属硫族化合物转移至成品衬底上，之后再用支撑层溶解液溶解掉支撑层得到最终的单层二维过渡金属硫族化合物。
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公开(公告)号：CN109742165A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910003120.X
申请日：2019-01-02
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/107 , H01L31/112 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于二维层状材料的雪崩光电探测器及探测系统，包括绝缘层、金属电极层、二维材料薄膜层和二维材料薄膜层；金属电极层包括漏电极层，源电极层和栅电极层；二维材料薄膜层和二维材料薄膜层铺设在绝缘层上，两者部分堆叠，源电极层覆盖在二维材料薄膜层的非堆叠部位，漏电极层覆盖在堆叠部位上方或二维材料薄膜层的非堆叠部位，栅电极层与绝缘层连接。所述雪崩探测系统包括前述的探测器，电压源及电流表。本发明的探测器具有宽带隙的异质结、尺寸小、噪声小、偏压低等优良性能。
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