多超导量子比特中任意两个比特耦合的方法及其系统

    公开(公告)号:CN109583592A

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201810380235.6

    申请日:2018-04-25

    Abstract: 本申请涉及一种多超导量子比特中任意两个比特耦合的方法及其系统。应用于具有多超导量子比特阵列以及能够实现自旋波的磁性薄膜材料的场合下,包括:将磁性薄膜材料设置于多超导量子比特阵列下方;通过磁性薄膜材料中磁畴磁化方向的组合,以形成多个供自旋波通过的通道;多超导量子比特阵列中的量子比特对应设置于自旋波通过的通道上方,以实现单个量子比特与自旋波的耦合;自旋波通道上设有至少两个量子比特,通过单个量子比特与自旋波之间的耦合以实现两个量子比特之间的耦合。上述方法利用磁性薄膜材料层来传递超导量子比特层的量子比特的状态变化,同时利用自旋波的软连接,以实现任意两个超导量子比特的耦合。

    一种用于低温系统中的分段式热导开关装置

    公开(公告)号:CN115060109B

    公开(公告)日:2025-04-22

    申请号:CN202210743115.4

    申请日:2022-06-28

    Abstract: 本发明公开了一种用于低温系统中的分段式热导开关装置,包括:多个开关组件,用于和多个冷板连接,且沿低温系统的高度方向依次间隔设置,各所述开关组件包括传导杆,其中一个所述传导杆用于和冷源连接,各所述传导杆具有接合位置和断开位置,当所述传导杆处于所述接合位置时,各所述传导杆导热连接,当所述传导杆处于所述断开位置时,各所述传导杆断开连接。本发明的一种用于低温系统中的分段式热导开关装置能够减少漏热,提高降温效率。

    可编程的多量子态存储器及制备方法

    公开(公告)号:CN113540149B

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202110787366.8

    申请日:2021-07-12

    Abstract: 本发明涉及存储器技术领域,具体地说,涉及一种可编程的多量子态存储器及制备方法,方法包括以下步骤:一、制备磁性拓扑绝缘体材料;二、对样品的性质进行表征;三、将生长的磁性拓扑绝缘体材料剥离至非导电的衬底上;四、制备出霍尔条构型的金属电极;五、点焊样品电极后,进行电学信号测量,同时通过变换磁场完成四个量子态的转变;本发明能提升存储密度,具有非易失和极低功耗的双重优点。

    一种电子光学测试平台装置

    公开(公告)号:CN115616017A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202211215512.0

    申请日:2022-09-30

    Abstract: 本申请适用于电子光学实验技术领域,具体提供了一种电子光学测试平台装置,包括电子枪、真空腔室、衬管、载物盘;电子枪发生电子束;真空腔室处设置有物镜、电子束成像系统、电子束尺寸检测装置;衬管一端连接电子枪,衬管用于电子束通过,衬管另一端与真空腔室相连通,电子束成像系统利用二次电子和背散射电子信号以形成图像,光刻胶经过电子束的作用形成刻蚀痕迹,通过测量刻蚀痕迹获取电子束的尺寸;载物盘至少为两个,载物盘沿着衬管的长度方向移动,载物盘用于承载电子光学元件。旨在解决现有技术中存在的电子光学元件只能独立测试,收集分析数据有限,即使组成一个电子光学系统进行测试,当需要修改时也面临浪费和效率低下的技术问题。

    一种像素排列结构及显示面板
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115605056A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202110782558.X

    申请日:2021-07-09

    Abstract: 本申请提供了一种像素排列结构及显示面板,像素排列结构包括:若干个像素区,所述像素区内排列有三种发光颜色不同的子像素;所述三种子像素中的至少两种子像素分别与所述像素区的边邻接;相邻两个像素区形成重叠边,分别位于相邻两个像素区内且与所述重叠边邻接的两个发光颜色相同的子像素合并在一起。本申请解决了现有像素排列结构像素密度低的问题。

    一种用于低温系统中的分段式热导开关装置

    公开(公告)号:CN115060109A

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202210743115.4

    申请日:2022-06-28

    Abstract: 本发明公开了一种用于低温系统中的分段式热导开关装置,包括:多个开关组件,用于和多个冷板连接,且沿低温系统的高度方向依次间隔设置,各所述开关组件包括传导杆,其中一个所述传导杆用于和冷源连接,各所述传导杆具有接合位置和断开位置,当所述传导杆处于所述接合位置时,各所述传导杆导热连接,当所述传导杆处于所述断开位置时,各所述传导杆断开连接。本发明的一种用于低温系统中的分段式热导开关装置能够减少漏热,提高降温效率。

    一种升降机式低温真空样品更换装置

    公开(公告)号:CN114803147A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210256148.6

    申请日:2022-03-11

    Abstract: 本发明公开了一种升降机式低温真空样品更换装置,其包括:真空舱,所述真空舱具有竖直延伸的内腔,且所述内腔的上部具有样品更换舱门;样品放置架,所述样品放置架滑移设置在所述内腔中;以及升降组件,所述升降组件设置在所述真空舱上,所述升降组件通过带动所述样品放置架上升至所述内腔的顶部而使所述样品放置架与所述样品更换舱门相对应。本发明中通过所述升降组件来带动所述样品放置架上升至所述内腔的顶部,便可通过打开所述样品更换舱门对所述样品放置架上的样品进行更换,使得样品更换快速、便捷,同时在对样品进行更换后,仅需对所述样品放置架的上部空间进行真空恢复,真空恢复所需的时间也较短。

    单晶石墨烯薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN112921396A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202110102828.8

    申请日:2021-01-26

    Abstract: 本发明属于材料技术领域,具体涉及一种单晶石墨烯薄膜的制备方法。本发明单晶石墨烯薄膜的制备方法中,通过利用容器的限域空间作用,将化学气相沉积反应过程中的石英渣、灰尘颗粒等各种杂质隔离在容器的外面,从而避免上述杂质对所得单晶石墨烯薄膜造成杂质污染,不仅大大提高了所得单晶石墨烯薄膜的表面洁净度和制备效率,而且可以获得大尺寸的单晶石墨烯薄膜,使所得单晶石墨烯薄膜具有更优异的性能。本发明提供的制备方法操作简单,无需对衬底进行复杂多样的表面预处理,有利于实现单晶石墨烯薄膜的工业化制备。

    一种易拓展的、高保真度的超导量子芯片结构及操作方法

    公开(公告)号:CN112331693A

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN202011202959.5

    申请日:2020-11-02

    Abstract: 本发明涉及一种易拓展的、高保真度的超导量子芯片结构及操作方法,其特征在于包括:若干可调耦合器以及若干量子比特;所述量子比特与所述可调耦合器交替排布,且所述可调耦合器的静态频率、相邻的所述量子比特以及与同一所述可调耦合器相邻的各所述量子比特的频率均处于不同频带中;各所述量子比特均设置有单独的微波驱动线XY,各所述可调耦合器均设置有单独的磁通偏置线Z,通过在微波驱动线XY上或磁通偏置线Z上施加驱动信号,实现单比特门、两比特门或多比特受控相位门。本发明可以广泛应用于超导量子计算领域。

    量子信息交换装置及量子信息交换方法

    公开(公告)号:CN109450555B

    公开(公告)日:2020-12-15

    申请号:CN201811377865.4

    申请日:2018-11-19

    Abstract: 本发明实施例公开了一种量子信息交换装置及量子信息交换方法,包括微波发生器、超导磁通量子比特、钇铁石榴石块以及偏置磁场发生器;超导磁通量子比特为由连接导线将三个约瑟夫森结串联起来形成的环状结构;钇铁石榴石块与超导磁通量子比特沿第一方向依次设置,且钇铁石榴石块沿第一方向在环状结构所在平面的垂直投影位于环状结构围成的区域内;微波发生器用于产生微波,以激发超导磁通量子比特处于不同的能级中以及探测超导磁通量子比特当前所处能级;钇铁石榴石块位于偏置磁场发生器形成的磁场内;偏置磁场发生器形成的磁场的磁场方向平行于环状结构所在平面,以实现提供一种将超导磁通量子比特与自旋波耦合,以实现量子信息交换的装置。

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