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公开(公告)号：CN119144332A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411284030.X
申请日：2024-09-13
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及纳米材料制备技术领域，公开了一种海胆状ZnSe/ZnS量子点的制备方法以及应用，上述一种海胆状ZnSe/ZnS量子点的制备方法，包括以下步骤：使用Se‑DPP前体制备ZnSe晶种；将溶于ODE的Zn，Se前体注入步骤1制备得到的ZnSe晶种溶液中，得到ZnSe核；分别将TOP‑S前体和OT前体注入步骤2制备得到的ZnSe核溶液中，得到海胆状ZnSe/ZnS量子点，本发明提出的的制备方法合成需要的时间更短，合成效率更高；该方法合成的量子点发光符合健康显示要求，并且有着良好的电致发光性能。
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公开(公告)号：CN107978688A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711324202.1
申请日：2017-12-13
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H01L51/502 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种基于硫化铅包覆钙钛矿量子点的电致发光LED及制备方法。所述的电致发光LED包括：ITO玻璃作为底部电极；n型ZnO/聚乙烯亚胺作为电子传输层(ETL)和空穴阻挡层(HBL)；PbS包覆钙钛矿量子点作为发光层；p型4,4’，4”-三(咔唑-9-基)苯胺薄膜作为空穴传输层(HTL)和电子阻挡层(EBL)；MoO3/Au作为顶部电极。其制备方法包括：首先制备铯油酸溶液，之后经制备PbS包覆的CsPbI3量子点、电子传输层和空穴阻挡层、发光层、空穴传输层和电子阻挡层等步骤，获得PbS包覆钙钛矿量子点电致发光LED。本发明通过采用PbS包覆钙钛矿量子点，提高钙钛矿量子点光电性能，同时保证其稳定性和保持其良好的半导体性能，并以此作为发光层制备高效稳定的电致发光LED。
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公开(公告)号：CN103915553A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410161181.6
申请日：2014-04-21
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0054
Abstract: 本发明公开了一种基于碳量子点的载流子注入式蓝光和白光LED及制作方法，旨在克服现有技术存在的重金属污染、毒性大、价格昂贵等问题，以3.3nm碳量子点作为发光层，通过控制器件的电子迁移层和阴极的厚度及其材料，通过载流子注入发光层，从而实现碳量子点的电致发光。其结构包括：导电玻璃，即ITO薄膜的玻璃衬底（1），PEDOT:PSS空穴注入层（2），Poly-TPD空穴迁移层（3），碳量子点发光层（4），TPBi或ZnO电子迁移层（5），LiF/Al或Al阴极（6）。以碳量子点作为LED的发光层材料，不但具备传统半导体量子点的发光性能，如光饱和度高、寿命长等优势，而且具备无毒、制备成本低、绿色环保等独有优势。该方法可被广泛用于照明领域，具有良好的商业化前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118875325A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411390868.7
申请日：2024-10-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种用于梯度异质金属增材制造的仿生自动混料装置，涉及异质金属增材制造技术领域，包括双粉料仓、电驱下料组件和仿生混料组件；双粉料仓中部被隔板分隔成主料仓和辅料仓，主料仓和辅料仓共用一个下料口，主料仓和辅料仓斜侧壁设置有多个非对称结构的分隔梁，当电驱下料组的电机启动后，偏心轴在挡板上的长圆孔内做偏心运动带动挡板在水平方向发生运动，使得阀口相对下料口做线性运动，进而控制主料仓和辅料仓分别与混料室之间的连通或阻断，最终获得连续梯度混合的异质金属粉料，仿生叶轮的扇叶表面分布了若干仿骆驼蜘蛛刚毛结构的微刺，可有效减少金属粉料与扇叶表面直接产生磨损，从而使扇叶具有耐磨、耐冲蚀性能。
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公开(公告)号：CN114316971B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202111534941.X
申请日：2021-12-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种无氟MXene量子点的制备方法。该方法基于三元过渡金属化合物Mn+1AlXn中Al原子体积小，正电荷数高，可极化性较低等优势，采用含有硬碱离子的HCl作为反应溶剂，在室温下和Al原子层一步反应，即可得到MXene量子点，大大简化了反应步骤、反应条件温和，反应收率高。
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公开(公告)号：CN112786800A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110003313.2
申请日：2021-01-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于钙钛矿LED器件发光技术领域，公开了一种双界面修饰层钙钛矿纳米晶发光器件及其制备方法，双界面修饰层钙钛矿纳米晶发光器件中阳极上依次旋涂空穴注入传输层、第一界面修饰层，空穴传输层、第二界面修饰层、发光层等；空穴传输层中嵌入的界面修饰层。本发明通过多方面整合界面修饰功能来提高器件效率，器件中的第一界面修饰层调控界面接触能级，第二界面修饰层钝化钙钛矿与空穴接触面的缺陷：通过界面修饰使其接触能级受到管理，实现载流子注入平衡的浓度梯度调控。钙钛矿材料作为新型离子型半导体，稳定性差，不平整的界面容易引起较多缺陷，改善空穴传输层与钙钛矿发光层界面接触，降低器件中漏电流。
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公开(公告)号：CN112724969A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202010632230.5
申请日：2020-07-02
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种通过掺杂来增强卤化物钙钛矿量子点量子产率的方法，包括前驱体油酸铯的制备、CsPbBr3量子点的制备和量子点的提纯和保存，首先将碳酸铯，油酸和十八烯混合排除反应装置中的水氧，然后升温抽真空后在氮气氛围中升温直到固体物质全部溶解，将PbBr2、CoBr2和Co(AC)2和十八烯混合多次抽真空充氮气，然后升温抽真空充氮气并开始注入配体油胺和油酸，待溶液澄清后开始升温，注入前驱体油酸铯反应,然后迅速放到冰水里搅拌，将反应后的溶液分装到离心管中，离心机5000r离心10分钟，将上清液倒掉后，溶于正己烷中，并加入等量乙酸甲酯，继续10000r离心10分钟，倒掉上清液后再溶于正己烷中，最后放入冰箱中储存。本发明通过掺杂使得量子点量子产率达到80％以上。
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公开(公告)号：CN105720205A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610120516.9
申请日：2016-03-03
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H01L51/50 , C09K11/665 , H01L51/0035 , H01L51/502 , H01L51/56
Abstract: 本发明主要涉及一种新型发光薄膜，具体涉及的是基于PEI的高效钙钛矿量子点发光薄膜及其制备方法。采用PEI与ZnO作为电子输运层，钙钛矿量子点发光薄膜作为荧光层，其结构包括：ITO薄膜的衬底(1)、沉积在衬底上的ZnO层(2)、旋涂在ZnO纳米晶薄莫上的PEI层(3)、旋涂在被PEI包覆的ZnO纳米晶薄膜上的钙钛矿量子点(4)；所述的ZnO层与PEI层共同组合成电子迁移层；所述的无机铯铅卤化物钙钛矿量子点作为发光层(4)。本发明所制备的钙钛矿量子点发光薄膜相比现有工艺制备的钙钛矿量子点发光薄膜，其荧光量子产率可提高2～3倍。
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