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公开(公告)号：CN114105646A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111562121.1
申请日：2021-12-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/575 , C04B35/577 , C04B35/573 , C04B35/622
Abstract: 原位SiC‑BN(C)‑Ti(C,N)纳米晶复相陶瓷的制备方法，它涉及机械合金化结合反应热压烧结技术。它要解决现有陶瓷材料制备中存在加入润滑相会导致其力学性、可靠性和抗破坏性能变差的问题。方法1：h‑BN粉、石墨、立方硅粉和Ti粉球磨制备SiBCN‑xwt％Ti粉体，热压烧结。方法2：制备NB21混合粉，加立方硅粉、h‑BN粉和石墨，得SiBCN‑xwt％NB21粉体，热压烧结炉。方法3：TiN和TiB2球磨后加立方硅粉、h‑BN粉和石墨继续球磨，得非晶/纳米晶复合粉体，热压烧结炉。采用机械合金化结合热压烧结技术，制备具有优异力学和摩擦学性能及高温抗氧化性能的陶瓷；适用于制备纳米晶复相陶瓷。
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公开(公告)号：CN108706984B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201810779802.5
申请日：2018-07-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种二硼化锆和短碳纤维改性的抗热震、耐烧蚀SiBCN陶瓷材料及其制备方法，涉及一种SiBCN陶瓷材料及其制备方法。目的是解决SiBCN陶瓷抗热震和耐烧蚀性差的问题。本发明SiBCN陶瓷材料由SiBCN、短碳纤维和ZrB2复合而成。制备方法：将硅粉、石墨粉、六方氮化硼粉和二硼化锆粉球磨得到纳米SiBCN‑ZrB2粉末，与短碳纤维复合后分散和球磨处理得到陶瓷浆料，最后依次烘干，磨细和烧结，即完成。本发明制备通过ZrB2和Cf改性SiBCN，制备的SiBCN陶瓷具有优异的抗热震性和耐烧蚀性，拓展了SiBCN陶瓷材料高温服役的温度区间。本发明适用于制备SiBCN陶瓷。
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公开(公告)号：CN112851359A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110085694.3
申请日：2021-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/565 , C04B35/622 , D01F9/10
Abstract: 本发明提供了一种吸波型SiBCN纳米纤维及其制备方法，属于陶瓷吸波材料技术领域。所述吸波型SiBCN纳米纤维微观相结构由碳化硅相、自由碳相和硅硼碳氮非晶基体相组成，所述碳化硅相和所述自由碳相分散在所述硅硼碳氮非晶基体相中。本发明的SiBCN纳米纤维中的SiBCN非晶基体相为电绝缘基体，具有优异的透波性能，而SiC相和自由碳相具有良好的介电性能，可改善SiBCN纳米纤维与自由空间之间的阻抗失配，使得入射的电磁波会尽可能多地由空气介质渗透到SiBCN纳米纤维中，并转化为内部能量。而且均匀分布在电绝缘基体中的由SiC相和自由碳相组成的导电相可以进一步调节材料的介电常数，引起较高的介电损耗以增强SiBCN纳米纤维的电磁波吸收能力。
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公开(公告)号：CN119638443A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411808826.0
申请日：2024-12-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/589 , C04B35/596 , C04B35/5835 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/63 , C04B35/632 , B33Y70/10 , B33Y10/00
Abstract: 一种直写式3D打印用SiBCN陶瓷浆料及其制备方法和打印方法，它属于陶瓷增材制造领域。本发明要解决现有直写打印中SiBCN前驱体填料选择和分散不均的问题。浆料：它由固化后的聚硼硅氮烷PBSZ粉体、无机流变助剂、流变增效剂及聚硼硅氮烷PBSZ液体制备而成。制备方法：一、聚硼硅氮烷PBSZ固化；二、球磨破碎；三、称取；四、浆料制备。打印方法：一、打印初坯；二、固化和烧结。本发明用于直写式3D打印用SiBCN陶瓷浆料及其制备和打印。
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公开(公告)号：CN116947490B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310946144.5
申请日：2023-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供了一种低温烧结致密块体陶瓷材料及其制备方法，涉及陶瓷材料技术领域。制备方法包括以无机陶瓷粉体和前驱体溶液/粉体为原料，经混合分散后，制得混合粉体，其中，前驱体溶液/粉体占混合粉体的重量百分比为10‑40wt％；将混合粉体在保护气氛下进行低温烧结，得到低温烧结致密块体陶瓷材料。本发明中，前驱体溶液/粉体在高温下发生裂解生成无机非晶陶瓷相，均匀包覆和填充在原有无机陶瓷粉体表面与空隙中，在烧结过程这些无机非晶陶瓷网络结构为原有无机陶瓷粉体颗粒的重排提供了驱动力，进而实现无机陶瓷粉体的低温烧结致密化得到致密的块体陶瓷材料。本发明所制备的块体陶瓷材料具有高的致密度,高的强度和良好的抗氧化性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117902903A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410082905.1
申请日：2024-01-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 一种大块致密非晶SiBCN陶瓷块体及其制备方法，它涉及非晶SiBCN陶瓷块体及其制备方法。本发明要解决现有技术难以实现大块致密非晶SiBCN块体陶瓷的制备。方法：一、有机‑无机混合块体素坯/粉体的制备；二、大块致密非晶SiBCN陶瓷块体的制备。本发明用于大块致密非晶SiBCN陶瓷块体及其制备。
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公开(公告)号：CN116947490A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310946144.5
申请日：2023-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供了一种低温烧结致密块体陶瓷材料及其制备方法，涉及陶瓷材料技术领域。制备方法包括以无机陶瓷粉体和前驱体溶液/粉体为原料，经混合分散后，制得混合粉体，其中，前驱体溶液/粉体占混合粉体的重量百分比为10‑40wt％；将混合粉体在保护气氛下进行低温烧结，得到低温烧结致密块体陶瓷材料。本发明中，前驱体溶液/粉体在高温下发生裂解生成无机非晶陶瓷相，均匀包覆和填充在原有无机陶瓷粉体表面与空隙中，在烧结过程这些无机非晶陶瓷网络结构为原有无机陶瓷粉体颗粒的重排提供了驱动力，进而实现无机陶瓷粉体的低温烧结致密化得到致密的块体陶瓷材料。本发明所制备的块体陶瓷材料具有高的致密度,高的强度和良好的抗氧化性能。
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公开(公告)号：CN116924819A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310892003.X
申请日：2023-07-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及高温结构陶瓷材料技术领域，具体而言，涉及一种SiBCN复合材料及其制备方法；所述SiBCN复合材料由短碳纤维、SiBCN粉末和混合助剂复合而成，其中，所述混合助剂包括BaCO3粉体、Al2O3粉体和SiO2粉体。本发明提供的SiBCN复合材料，同时具备较高的韧性和较高的强度；本发明提供的SiBCN复合材料的制备方法，不需要采用特殊的复合材料制备技术，操作简单。
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公开(公告)号：CN116693297A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310735099.9
申请日：2023-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/65 , C04B35/645 , C04B35/626 , C04B35/628
Abstract: 一种具有PDCs‑SiBCN三维网络包覆结构的亚稳态SiBCN陶瓷的制备方法，本发明属于陶瓷领域。本发明要解决现有方法无法制备大尺寸致密SiBCN亚稳态陶瓷的问题。方法：一、非晶MA‑SiBCN纳米粉体制备；二、包覆粉体的制备；三、包覆粉体的温压‑裂解‑烧结三段式烧结工艺。本发明用于具有PDCs‑SiBCN三维网络包覆结构的亚稳态SiBCN陶瓷的制备。
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公开(公告)号：CN116477952A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310515235.3
申请日：2023-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/626
Abstract: 一种碳化钽铪‑硅硼碳氮陶瓷扩散偶的制备方法，它涉及扩散偶的制备方法。本发明要解决现有Ta4HfC5/SiBCN陶瓷扩散偶难以结合，界面结合强度差，扩散行为不明显的问题。制备方法：一、高能球磨制备非晶相SiBCN粉体；二、粉体装填至模具；三、热压烧结。本发明用于碳化钽铪‑硅硼碳氮陶瓷扩散偶的制备。
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