一种pH调控碲化铋纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN113697780B

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202111220991.0

    申请日:2021-10-20

    Abstract: 一种pH调控碲化铋纳米线的制备方法,属于功能纳米材料形貌调控技术领域。所述方法为:采用氯化铋、亚碲酸钾作为Bi2Te3纳米线的Bi源和Te源,加入去离子水,搅拌处理10~30min,充分混匀后,加入葡萄糖,室温下搅拌备用;在搅拌和冷水浴的条件下,滴加酸液控制溶液的pH在0~6;将溶液置于聚四氟乙烯内衬中将内衬置于不锈钢反应釜中,反应釜拧紧密封,随后置于烘箱加热;反应结束后,自然冷却至室温,将产物置于离心管中,加入乙醇溶液,随后离心,收集下层沉淀样品,进行多次洗涤,最后干燥即可。本发明的Bi2Te3纳米线产品分散性好、稳定性高、纯度高。整个合成方法绿色环保、相对简单,反应条件温和,安全可靠性好,原料价廉易得,对环境友好。

    一种三维刺猬状ZnO/SnO2异质结构及其制备方法与其在紫外探测器中的应用

    公开(公告)号:CN112071652B

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202010968833.2

    申请日:2020-09-15

    Abstract: 本发明公开了一种三维刺猬状ZnO/SnO2异质结构及其制备方法与应用,所述异质结构由ZnO纳米棒和SnO2八面体块构成,SnO2八面体生长在衬底上,ZnO纳米棒生长在SnO2八面体块的表面,整体呈刺猬状结构。本发明使用溶液合成的方法在衬底上生长大面积的刺猬状ZnO/SnO2异质结构,进一步将其作为工作电极,Pt作为对电极,两电极通过热封膜连接,器件中间注入碘电解质或去离子水,获得具有良好自供能特性的紫外探测器,应用于紫外探测领域。该方法操作简单、成本低、适合大规模生产,具有很高的实用价值。

    一种鱼鳞状中空SnSe纳米管自供能红外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112113669B

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN202010884901.7

    申请日:2020-08-28

    Abstract: 一种鱼鳞状中空SnSe纳米管自供能红外探测器及其制备方法。本发明属于光电探测器件及其制备领域。本发明的目的在于解决SnSe纳米管需要高温合成,并且要使用化学试剂去除硬模板,易引入杂质的技术问题。红外探测器件包括工作电极、对电极和电解液;所述工作电极与对电极通过热封膜相连接,内部形成空腔,空腔内注入电解液,工作电极为表面旋涂有SnSe纳米管的ITO玻璃或FTO玻璃;所述SnSe纳米管表面呈鱼鳞片状,内部呈现中空结构。方法:一、Se纳米线的制备;二、Se@SnSe纳米材料的制备;三、SnSe纳米管的制备;四、红外探测器的制作。本发明利用溶液法合成的SnSe纳米管结构具有独特的鱼鳞状中空结构,且方法具有成本低、易操作、环境友好等优点,适合大规模生产及应用。

    一种MoS2微球/PtCo合金纳米颗粒复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109331844B

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201811250748.1

    申请日:2018-10-25

    Abstract: 本发明公开了一种MoS2微球/PtCo合金纳米颗粒复合材料及其制备方法,所述MoS2微球/PtCo合金纳米颗粒复合材料以MoS2微球为基体材料,在MoS2微球表面负载PtCo合金纳米颗粒,具体制备步骤如下:首先通过水热法制备MoS2微球;然后通过PVP产生自组装所需的结合力;最后通过共还原的方式制备PtCo合金纳米颗粒,并使其负载于MoS2微球表面,得到MoS2微球/PtCo合金纳米颗粒复合材料。MoS2/PtCo合金纳米颗粒复合材料具有与铂相近的催化能力且含铂量很低,并具有强于铂的催化稳定性,这对代替主流的贵金属催化剂具有重要意义。

    一种缺陷浓度可调的硒化铋薄膜的制备方法及其在光电突触器件上的应用

    公开(公告)号:CN119364893A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202411353142.6

    申请日:2024-09-26

    Inventor: 王金忠 陈磊 贺雯

    Abstract: 一种缺陷浓度可调的硒化铋薄膜的制备方法及其在光电突触器件上的应用,属于二维光电材料和光电突触器件制备技术领域。具体方案如下:采用化学气相沉积制备Bi2Se3薄膜,通过避免空气接触和保持原有气氛的原位热处理对所制备的Bi2Se3薄膜进行二次处理得到缺陷浓度可调的硒化铋薄膜。本发明制备的硒化铋薄膜光电突触器件为MSM结构,结构简单,有集成潜力;本发明的Bi2Se3薄膜光电突触器件的光电响应具备明显的类生物突触的长时程增强、短时程增强、对脉冲增强等基本突触行为,能够应用于人工智能领域。

    一种大面积铋氧硒薄膜的制备方法及其在超稳定、宽光谱成像探测器中的应用

    公开(公告)号:CN116555901A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202310510507.0

    申请日:2023-05-08

    Abstract: 一种大面积铋氧硒薄膜的制备方法及其在超稳定、宽光谱成像探测器中的应用,所述大面积铋氧硒薄膜的尺寸至少能够达到2×2cm,是由大量的平均尺寸为1‑2μm的二维单晶纳米片组成。所述大面积铋氧硒薄膜具有较好的均匀性,厚度约为100μm。基于所制备的大面积铋氧硒薄膜设计了宽光谱光电探测器,其能够实现从紫外、可见到红外波段的多波段探测,并且具有高的响应度以及快的响应速度。该器件在无任何封装的情况下在空气中储存一年后仍具有出色的循环稳定性和空气稳定性。本发明由大量二维单晶纳米片组成的大面积铋氧硒薄膜,并基于其构建了超稳定、高性能的宽光谱成像探测器,该器件可以在复杂系统中长时间稳定运行。

    铋铜氧硒纳米材料的制备方法

    公开(公告)号:CN114940482A

    公开(公告)日:2022-08-26

    申请号:CN202210474735.2

    申请日:2022-04-29

    Abstract: 本发明公开了铋铜氧硒纳米材料的制备方法,所述方法采用简单的水热法,并辅以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)进行调控,得到了窄带隙的铋铜氧硒纳米材料。水热法操作简单、反应可控,所制备的铋铜氧硒纳米材料尺寸小、均匀性和分散性好,呈现一个规则的四方纳米片状结构。这种纳米结构带来的界面散射效应使得铋铜氧硒的热导率降低,从而提高其热电转换效率,这对材料的热电性能的提高具有重要的意义。

    一种硒化铋纳米片/四硒化三铋纳米线复合材料的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN114935592A

    公开(公告)日:2022-08-23

    申请号:CN202210474732.9

    申请日:2022-04-29

    Abstract: 本发明公开了一种硒化铋纳米片/四硒化三铋纳米线复合材料的制备方法及应用,属于光电材料和探测器的制备技术领域。本发明使用操作简便、过程可控的一步溶剂热法制备出了Bi2Se3纳米片/Bi3Se4纳米线复合材料,其中两种组分的比重可以通过调节Se源的摩尔量来调控。制备方法简单,纳米结构接触紧密,以该复合材料为工作电极制备的自供能光电探测器响应迅速,在近红外‑可见‑紫外波段均有较强的光电流响应,相比基于纯相Bi2Se3纳米片制备的自供能光电探测器,其探测性能有很大提升,能够有效地抑制光生电子‑空穴的复合。Bi2Se3纳米片/Bi3Se4纳米线复合材料的制备对未来发展Bi‑Se双元素材料的异质结构具有较高的参考价值。

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