-
公开(公告)号：CN115980520A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211562637.0
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于GIS设备仿真技术领域，公开了一种GIS局部放电光检测及定位仿真方法、系统、介质及终端，通过对GIS实际形状进行分解，选中其中最典型的部分T型转角GIS使用Tracepro软件进行建模；然后在T形GIS模型里设置探测面和局部放电源；在Tracepro里进行仿真，得到各探测面上的总光通量分布图，代入公式计算得到光辐射度。通过建立对应探测位置的辐照度值与局部放电源位置的函数关系，当得到探测器位置的辐照度，就能够反向计算出局部放电源的位置。本发明的关键优势在于，通过仿真来模拟实际局部放电并进行光检测，节约了检测成本和检测时间，并且能通过反向计算对局部放电位置实现定位。
-
公开(公告)号：CN113991987A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111296521.2
申请日：2021-11-03
Applicant: 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种共模电流检测与抑制系统及其工作方法，所述系统包括：RC电路，用于与待检测与抑制电路的开关管并联；无源EMI滤波器，包括共模扼流圈、可调Y电容和X电容；提取模块，用于采集振荡波形；模数转换模块，用于进行数字化处理，获得离散数字信号；数字信号处理模块，用于进行分析处理，获得控制调节信号；调节模块，用于根据所述数字信号处理模块获得的控制调节信号，对可调电容的电容值进行调节，实现共模电流检测与抑制。本发明提供的系统，能够从根源和共模电流的传播路径上抑制共模电流而不影响有用信号；可减少高频干扰对功率转换器系统内部元件及其周围设备的干扰，同时不会衰减电路里面的驱动信号。
-
公开(公告)号：CN117236039A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311243731.4
申请日：2023-09-25
Applicant: 国网陕西省电力有限公司电力科学研究院 , 电子科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/17 , G06F119/04 , G06F119/08 , G06F119/14 , G06F119/02 , G06F30/23
Abstract: 本发明公开了一种传感器寿命预测方法、系统及设备，包括：利用预构建的传感器加速失效模型，对待测传感器进行加速老化实验仿真，获得待测传感器寿命预测结果；预构建的传感器加速失效模型的构建过程，具体如下：对典型传感器的装置级、板卡级及器件级依次进行多物理场失效分析，获得典型传感器的装置级应力集中区域、板卡级应力集中区域及器件级应力集中区域，进而获得典型传感器的失效机理；根据典型传感器的失效机理，分析典型传感器的关键零件或装置整体失效与工作寿命特征的影响规律，获得预构建的传感器加速失效模型；本发明充分考虑多物理场耦合环境下传感器的应力损伤，建立精确的传感器老化失效模型寿命预测，有效提升预测结果的精确性。
-
公开(公告)号：CN117054789A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311118672.8
申请日：2023-08-31
Applicant: 国网陕西省电力有限公司电力科学研究院 , 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电力传感器可靠性加速试验装置及方法，包括GTEM室以及设置在GTEM室内的加热装置、制冷装置、振动装置、加湿装置及电磁干扰装置；其中，振动装置上安装有待测传感器样品；加热装置，用于对GTEM室的内部环境进行加热；制冷装置，用于对GTEM室的内部环境进行降温；振动装置，用于模拟待测传感器样品所处的实际机械振动环境；加湿装置，用于调节GTEM室的内部湿度环境；电磁干扰装置，用于模拟待测传感器样品所处的实际电磁干扰环境；本发明满足在多个物理场耦合条件下的可靠性加速试验，分析多个物理场耦合下传感器的电‑热‑力性能，能够真实反映传感器的实际工况，确保了性能耦合分析结果的精确性。
-
公开(公告)号：CN116826681A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310642016.1
申请日：2023-06-01
Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 , 电子科技大学 , 国网陕西省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种GIS系统带电操作过程中暂态地电位升的抑制方法。其中，方法包括：通过电流探头获取地电位的升电压信号并通过线缆传输至控制器，包含控制器的控制器开关设置在GIS系统的接地母线上，包括控制器、两个晶闸管、旁路开关以及阻尼结构；控制器判断升电压信号是否超过预先设置的期望值，并在升电压信号超过期望值的情况下，发出第一控制信号至旁路开关以及晶闸管；旁路开关根据第一控制信号断开，晶闸管根据第一控制信号导通，将阻尼结构接入接地系统，实现暂态电位升的抑制。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117559936A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311567108.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H03H7/38
Abstract: 本发明属于电源完整性与信号完整性技术领域，公开了一种基于耦合传输线的阻抗匹配电路及应用，本发明用于控制板卡电路中DSP与FPGA之间传输的高速单端信号质量的优化，阻抗匹配电路包括：初级耦合传输线与次级耦合传输线，用于实现源阻抗与负载阻抗之间的阻抗匹配；初级并联电容，用于调整所述阻抗匹配电路初级的品质因数；次级并联电容，用于调整所述阻抗匹配电路次级的品质因数；初级短传输线与次级短传输线，用于优化阻抗匹配电路的工作带宽。本发明用极小的尺寸实现了源阻抗与负载阻抗之间的阻抗匹配，并且相比传统的四分之一波长的传输线阻抗匹配，具有更强的灵活性以及更大的带宽。
-
公开(公告)号：CN117556768A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311569578.4
申请日：2023-11-23
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G06F30/367 , G06F30/23 , G06F115/12
Abstract: 本发明属于电力电子技术领域，尤其涉及一种碳化硅电机驱动系统辐射EMI建模方法及预测辐射方法。根据电路拓扑、印刷电路板寄生效应、开关波形和传递函数开发和量化电机驱动系统的辐射EMI模型；基于天线阻抗和天线传递函数，为逆变器电缆开发了天线模型；基于逆变器的EMI模型和电缆的天线模型开发了完整的辐射EMI模型。本发明基于SiCMOSFET的电机驱动系统开发并量化了具有明确物理意义的辐射EMI模型，本发明的模型可以预测辐射EMI并揭示PCB布局寄生对辐射EMI的影响；可以帮助电力电子工程师在转换器设计阶段预测辐射EMI。
-
公开(公告)号：CN117172173A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311133840.0
申请日：2023-09-04
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于电源完整性领域，公开了一种抑制集成电路供电电源纹波的系统、方法、介质、设备及终端，用谐振腔模型对传统平行平板结构进行建模，采用麦克斯韦方程组、二维波动方程、格林函数等得到平行平板的阻抗表达式，进而过孔等效电感表达式，理论分析得到过孔等效电感与过孔直径之间的关系，并且通过仿真验证，利用该关系对过孔结构进行优化，过孔的直径选择更加准确，可以更加有效地优化电源阻抗。本发明利用谐振腔模型对平行平板进行建模，很好地分析了PCB平行平板结构的特点。本发明通过理论分析和仿真分析过孔结构与过孔等效电感之间的关系进行电源纹波的优化，更加合理有效地降低了电源纹波。
-
公开(公告)号：CN115859051A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211514935.2
申请日：2022-11-29
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Inventor： 毕闯
Abstract: 本发明属于电磁兼容性测试技术领域，公开了一种高信噪比的电磁兼容测试系统、方法、介质、设备及终端，利用窄带信号提取模块实现窄带常驻干扰信号的提取，利用宽带信号提取模块通过阈值比较提取出测试结果中的宽带信号；利用窄带信号剔除模块对测试环境中常驻窄带干扰信号进行剔除；利用宽带信号剔除模块对宽带干扰信号进行剔除；利用小波分析多分辨率特性，通过小波分解与重构模块对差分方法处理后的信号进行分解与重构，实现二次降噪。本发明利用滤波方法进行消噪，可以保存有用信号中的尖峰与突变，保留原信号；通过将差分消噪法与小波消噪法结合互补进行环境噪声的降噪，提高了对环境中噪声剔除的有效性，还提高了电磁兼容测试的准确性。
-
公开(公告)号：CN115051549A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110256862.0
申请日：2021-03-09
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 电子科技大学长三角研究院(湖州) , 国网浙江省电力有限公司
Abstract: 本发明涉及一种IGBT半桥驱动电路，包括：两个无源米勒钳位电路，所述两个无源米勒钳位电路分别与IGBT半桥电路中上、下桥臂IGBT连接；其中，所述无源米勒钳位电路包括：钳位PNP型晶体管、钳位二极管、滤波电路和驱动电阻；所述钳位PNP型晶体管的基级与驱动电源正极连接，发射级与上桥臂IGBT或下桥臂IGBT的栅极输入电阻连接，集电极通过所述滤波电路与驱动电源负极连接；所述钳位二极管并联在钳位PNP型晶体管的集电极以及发射极之间；所述驱动电阻并联在钳位PNP型晶体管的基级和发射极之间。本发明提供的技术方案，利用无源器件抑制了IGBT通断产生的串扰，进而抑制了因桥臂串扰导致IGBT桥臂直通的发生和其它因串扰导致的IGBT异常情况。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
89
records
(took 0.361 seconds)
