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公开(公告)号：CN103238375A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201180058067.5
申请日：2011-12-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L22/10 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/243 , H01L51/0011 , H01L51/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 使基板(10)与蒸镀掩模(70)在隔开固定间隔的状态下相对地移动，同时使从蒸镀源(60)的蒸镀源开口(61)放出的蒸镀颗粒(91)依次通过限制板单元(80)所具有的多个限制板(81)间的空间(82)和蒸镀掩模的掩模开口(71)并附着在基板上，形成覆膜(90)。判断是否需要对多个限制板中的至少一个的X轴方向位置进行校正，在需要进行校正的情况下，对多个限制板中的至少一个的X轴方向位置进行校正。由此，能够在大型基板上的预期位置上稳定地形成抑制了端缘的模糊的覆膜。
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公开(公告)号：CN103210113A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180054721.5
申请日：2011-12-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/243 , H01L51/0011 , H01L51/50
Abstract: 依次配置有蒸镀源（60）、限制板单元（80）和蒸镀掩模（70）。限制板单元具备沿第一方向配置的多个限制板（81）。在第一方向上规定限制空间的限制板的侧面构成为：相对于在第一方向上相邻的限制板间的限制空间（82）的第一方向尺寸最狭窄的最狭窄部（81n），至少在蒸镀源侧，形成限制空间的第一方向尺寸比最狭窄部宽的部位。由此，能够在大型基板上的期望位置形成端缘的模糊被抑制的覆膜。
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公开(公告)号：CN103154300A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180046926.9
申请日：2011-09-26
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H05B33/10 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/562 , H01L51/001
Abstract: 蒸镀装置(50)包括：掩模单元(54)，其包括蒸镀源(70)、蒸镀掩模(60)和掩模保持部件(80)；基板保持具(52)；掩模单元移动机构(55)和基板移动机构(53)中的至少一个。在基板保持具(52)和掩模保持部件(80)中的至少一个的与另一个相对的面，设置有辊(83)。
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公开(公告)号：CN102959121A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180029760.X
申请日：2011-08-17
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L51/0008 , C23C14/042 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L51/0011 , H01L51/56
Abstract: 依次配置蒸镀源(60)、多个控制板(80)和蒸镀掩模(70)。使基板(10)相对于蒸镀掩模以隔开一定间隔的状态相对地移动。从蒸镀源的蒸镀源开口(61)被放出的蒸镀颗粒(91)通过相邻的控制板间空间(81)，并且通过形成于蒸镀掩模的掩模开口(71)，附着在基板而形成覆膜(90)。覆膜的至少一部分由通过相互不同的两个以上的控制板间空间的蒸镀颗粒形成。由此，能够形成抑制了端缘的模糊和厚度不均的覆膜。
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公开(公告)号：CN100356641C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510083639.1
申请日：2005-07-13
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 川户伸一
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/227
Abstract: 提供了一种具有更高成品率的半导体激光器元件的制造方法。具有覆层、中间层和盖层的半导体激光器元件如下制造。在层压步骤中，沿层压方向层压多个层压层。接着，在突出步骤中，形成覆层、盖层和中间层的前体，使得覆层和盖层的宽度方向的长度沿层压方向变短或均匀，而中间层的前体沿宽度方向从覆层和盖层突出。在去除步骤中，去除中间层前体的突出体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1702929A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510073803.0
申请日：2005-05-24
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/1014 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2022 , H01S5/2214 , H01S5/2219 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/18
Abstract: 一种半导体激光装置，根据本发明的半导体激光装置，脊部(150)构成波导路，波导光沿脊部(150)被波导，该波导光的下部也存在于第一侧部(151)，但第二侧部(152)构成未达到所述波导光下面的区域。另一方面，由脊部(150)产生的散射光经由第一侧部(151)，在第二侧部(152)进行扩展，但在该第二侧部(152)上，由于在第一包层(108)上形成有成为光吸收体的光吸收层(127)，故散射光被吸收。通过由该第二侧部(152)吸收散射光，降低放射光的波动。另外，由于使光吸收层(127)与p侧欧姆电极(125)层电接触，故可避免向光吸收层(127)蓄积电荷的问题。
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公开(公告)号：CN110709918B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201780089086.1
申请日：2017-03-31
Applicant: 堺显示器制品株式会社 , 夏普株式会社
Abstract: 具备：反射型液晶显示元件(30)，其在TFT基板(20)的第一区域(R)中形成于绝缘层(25)的上方，并具有反射电极(31)、液晶层(32)以及对置电极(33)；和有机EL显示元件(40)，其在TFT基板(20)的绝缘层(25)上的第二区域(T)形成，并具有第一电极(41)、有机层(43)以及第二电极(44)。而且，为了包覆有机EL显示元件(40)的第二电极(44)以及有机层(43)，至少在有机EL显示元件(40)的表面形成有被覆层(45)，被覆层(45)的一部分与绝缘层(25)接合。作为其结果，得到不产生有机层的劣化且可靠性高的复合型的显示装置。
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公开(公告)号：CN109845404B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201780063427.8
申请日：2017-10-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 红色发光层(34R)在第一子像素(3B)、第二子像素(3G)和第三子像素(3R)共用地设置，蓝色发光层(34B)在第一子像素和第二子像素共用地设置，绿色发光层(34G)仅设置在第二子像素。
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公开(公告)号：CN108886856B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201780020050.8
申请日：2017-03-22
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供能够抑制驱动时的耗电和制造成本，并且即使高分辨率化，在相邻的子像素间也不发生混色和色偏的有机EL显示装置。在B子像素中，在共用蓝色发光层(7)与共用绿色发光层(9)之间设置有第一分隔层(8)，在G子像素中，在共用绿色发光层(9)与共用红色发光层(11)之间设置有第二分隔层(10)。
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公开(公告)号：CN108352455B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201680065166.9
申请日：2016-11-04
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 有机EL元件(10)具有：第一发光层(33a)，其在发光层(33)中发光峰值波长最短、且含有主体材料和TTF材料中的至少TTF材料；第二发光层(33b)，其至少含有TADF材料；和第三发光层(33c)，其在发光层(33)中发光峰值波长最长、且至少含有荧光材料，TTF材料的激发三重态能级低于TADF材料的激发三重态能级。
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