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公开(公告)号：CN1702929A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510073803.0
申请日：2005-05-24
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/1014 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2022 , H01S5/2214 , H01S5/2219 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/18
Abstract: 一种半导体激光装置，根据本发明的半导体激光装置，脊部(150)构成波导路，波导光沿脊部(150)被波导，该波导光的下部也存在于第一侧部(151)，但第二侧部(152)构成未达到所述波导光下面的区域。另一方面，由脊部(150)产生的散射光经由第一侧部(151)，在第二侧部(152)进行扩展，但在该第二侧部(152)上，由于在第一包层(108)上形成有成为光吸收体的光吸收层(127)，故散射光被吸收。通过由该第二侧部(152)吸收散射光，降低放射光的波动。另外，由于使光吸收层(127)与p侧欧姆电极(125)层电接触，故可避免向光吸收层(127)蓄积电荷的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100394653C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200510073803.0
申请日：2005-05-24
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/1014 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2022 , H01S5/2214 , H01S5/2219 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/18
Abstract: 一种半导体激光装置，根据本发明的半导体激光装置，脊部(150)构成波导路，波导光沿脊部(150)被波导，该波导光的下部也存在于第一侧部(151)，但第二侧部(152)构成未达到所述波导光下面的区域。另一方面，由脊部(150)产生的散射光经由第一侧部(151)，在第二侧部(152)进行扩展，但在该第二侧部(152)上，由于在第一包层(108)上形成有成为光吸收体的光吸收层(127)，故散射光被吸收。通过由该第二侧部(152)吸收散射光，降低放射光的波动。另外，由于使光吸收层(127)与p侧欧姆电极(125)层电接触，故可避免向光吸收层(127)蓄积电荷的问题。
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公开(公告)号：CN1972045A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610171853.7
申请日：2006-11-07
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 松本晃广
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/0224 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0216 , H01S5/02272 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/18
Abstract: 在层积焊料层(71)的半导体激光元件(32)的最表面部(55)中，在发光区(40)的长边方向(X)及与半导体激光元件(32)、焊料层(71)及装配台(72)的层积方向垂直的宽度方向(Y)上，通过发光区(40)的中央，并且在从与上述宽度方向(Y)垂直的假想一平面到宽度方向(Y)的外侧预先设定的第二距离(L3)的范围(60)内，沿长边方向(X)，形成比发光区(40)的长度(L6)更短、并且与上述焊料层(71)不完全粘接的不完全粘接层(51)。不完全粘接层(51)或者不与焊料层(71)粘接，或以不完全状态粘接焊料层(71)。此外，在最表面部(55)中除不完全粘接层(51)外的剩余部分，形成完全粘接层(53)。
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公开(公告)号：CN100481658C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200610171853.7
申请日：2006-11-07
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 松本晃广
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/0224 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0216 , H01S5/02272 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/18
Abstract: 在层积焊料层(71)的半导体激光元件(32)的最表面部(55)中，在发光区(40)的长边方向(X)及与半导体激光元件(32)、焊料层(71)及装配台(72)的层积方向垂直的宽度方向(Y)上，通过发光区(40)的中央，并且在从与上述宽度方向(Y)垂直的假想一平面到宽度方向(Y)的外侧预先设定的第二距离(L3)的范围(60)内，沿长边方向(X)，形成比发光区(40)的长度(L6)更短、并且与上述焊料层(71)不完全粘接的不完全粘接层(51)。不完全粘接层(51)或者不与焊料层(71)粘接，或以不完全状态粘接焊料层(71)。此外，在最表面部(55)中除不完全粘接层(51)外的剩余部分，形成完全粘接层(53)。
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公开(公告)号：CN1301578C
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200410085120.2
申请日：2004-09-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/173 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器，包括按照该顺序形成在半导体基底上的一下包层，一具有至少一个量子阱层的有源层，以及一上包层，所述半导体激光器具有一窗口区域，该区域包括一所述有源层中量子阱层和与有源层相邻的层在垂直于半导体基底表面的发光端面附近被混合的部分，其中下包层具有一比上包层高的折射率，并且在垂直于半导体基底表面的方向上，窗口区域中的光强分布要比在增益区域中的光强分布扩展得更宽，同时还提供了制造该半导体激光器的方法。
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公开(公告)号：CN1601833A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410085120.2
申请日：2004-09-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/173 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器，包括按照该顺序形成在半导体基底上的一下包层，一具有至少一个量子阱层的有源层，以及一上包层，所述半导体激光器具有一窗口区域，该区域包括一所述有源层中量子阱层和与有源层相邻的层在垂直于半导体基底表面的发光端面附近被混合的部分，其中下包层具有一比上包层高的折射率，并且窗口区域中的光强分布在垂直于半导体基底表面的方向上要比在增益区域中的光强分布扩展得更宽，同时还提供了制造该半导体激光器的方法。
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