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公开(公告)号：CN104995805A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480008713.0
申请日：2014-02-13
申请人： 古河电气工业株式会社
CPC分类号： H01S5/2072 , G02B6/122 , G02B6/1342 , H01S5/0287 , H01S5/0421 , H01S5/162 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/3054
摘要： 本发明提供一种半导体发光元件，其具有半导体层叠部，该半导体层叠部具有光波导层，所述半导体层叠部，在所述半导体层叠部的最表面与所述光波导层之间，包含具有抑制原子空孔扩散的功能的第l杂质、和具有促进原子空孔的扩散的功能的第2杂质，所述半导体层叠部包含所述杂质之中至少一方的含有量不同的在所述层叠方向上延伸的2个以上的区域，在所述2个以上的区域之中至少1个区域包含所述第l杂质和所述第2杂质双方，所述2个以上的区域彼此，所述光波导层的基于原子空孔扩散的混晶度与所述光波导层的带隙能量不同。
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公开(公告)号：CN102412505B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201110389276.X
申请日：2010-03-01
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01S5/16 , H01S5/343 , H01S5/22 , H01L21/223
CPC分类号： H01S5/164 , B82Y20/00 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/22 , H01S5/34313 , H01S5/34326
摘要： 本发明涉及制造半导体激光器的方法。该半导体激光器，其中，(λa-λw)＞(大于)15(nm)且Lt小于25(μm)，这里，“λw(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面的距离在2μm内的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“λa(nm)”是与设置在谐振器方向上的距一个端面间隔等于或大于(3/10)L且等于或小于(7/10)L的距离的位置处的有源层的带隙相对应的光波长，“L”是谐振器长度，并且“Lt”是在具有与λw+2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置和具有与λa-2(nm)的光波长相对应的带隙的有源层的位置之间设置的过渡区在谐振器方向上的长度。
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公开(公告)号：CN102113187B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200980130080.X
申请日：2009-05-20
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司 , 弗兰霍菲尔运输应用研究公司
发明人： 沃尔夫冈·施密德 , 乌韦·D·蔡纳 , 汉斯-克里斯托弗·埃克斯坦
CPC分类号： H01S5/1082 , H01S5/0655 , H01S5/162 , H01S5/166 , H01S5/2036 , H01S5/2072 , H01S5/2086 , H01S5/22 , H01S5/227 , H01S2301/18
摘要： 提出了一种边发射的半导体激光器，其具有带有波导区域(4)的半导体本体(10)，其中波导区域(4)具有设置在第一波导层(2A)与第二波导层(2B)之间的用于产生激光辐射的有源层(3)。波导区域(4)设置在第一覆盖层(1A)与第二覆盖层(1B)之间。半导体本体(10)具有主区域(5)和至少一个相结构区域(6)，在该相结构区域中构建有相结构，用于选择有源层(3)发射的激光辐射的横向模式。为了减少耦合损耗，相结构区域(6)设置在波导区域(4)之外或者通过如下区域(6)形成：在该区域中引入掺杂剂或者产生混匀结构。
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公开(公告)号：CN101796699B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200780100504.9
申请日：2007-09-04
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01S5/16
CPC分类号： H01S5/164 , H01S5/0421 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2072 , H01S5/3054 , H01S5/3223 , H01S5/3427
摘要： 本发明公开一种半导体激光元件(1)，其具备包含由III族空穴的扩散形成的混晶化部分的窗口区域(23)、和具有量子阱构造的有源层(15)的非窗口区域(24)，在窗口区域(23)上设置对规定的原子进行吸收而促进III族空穴的扩散的促进膜而形成混晶化部分，在有源层(15)的近旁侧的层掺杂对V族位置优先进行置换的杂质，窗口区域中的能带间隙和非窗口区域中的能带间隙的差是50meV以上。
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公开(公告)号：CN101505036B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910001675.7
申请日：2009-01-09
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/2004 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/3202 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/185
摘要： 稳定实现CW光输出200mW以上的集成型双波长半导体激光器。双波长半导体激光器装置具备：第1半导体激光器元件，具备第1导电型的第1包覆层、由AlGaAs混晶构成的第1引导层、具有由AlGaAs混晶构成的势垒层的第1量子阱活性层、由AlGaAs混晶构成的第2引导层、和第2导电型的第2包覆层；和第2半导体激光器元件，具备第1导电型的第3包覆层、由AlGaInP混晶构成的第3引导层、具有由AlGaInP混晶构成的势垒层的第2量子阱活性层、由AlGaInP混晶构成的第4引导层、和第2导电型的第4包覆层。至少构成第1量子阱活性层的势垒层、第1引导层及第2引导层各自的Al组成大于0.47且0.60以下。
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公开(公告)号：CN102113187A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130080.X
申请日：2009-05-20
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司 , 弗兰霍菲尔运输应用研究公司
发明人： 沃尔夫冈·施密德 , 乌韦·D·蔡纳 , 汉斯-克里斯托弗·埃克斯坦
CPC分类号： H01S5/1082 , H01S5/0655 , H01S5/162 , H01S5/166 , H01S5/2036 , H01S5/2072 , H01S5/2086 , H01S5/22 , H01S5/227 , H01S2301/18
摘要： 提出了一种边发射的半导体激光器，其具有带有波导区域(4)的半导体本体(10)，其中波导区域(4)具有设置在第一波导层(2A)与第二波导层(2B)之间的用于产生激光辐射的有源层(3)。波导区域(4)设置在第一覆盖层(1A)与第二覆盖层(1B)之间。半导体本体(10)具有主区域(5)和至少一个相结构区域(6)，在该相结构区域中构建有相结构，用于选择有源层(3)发射的激光辐射的横向模式。为了减少耦合损耗，相结构区域(6)设置在波导区域(4)之外或者通过如下区域(6)形成：在该区域中引入掺杂剂或者产生混匀结构。
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公开(公告)号：CN101013794B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200710007716.4
申请日：2007-01-29
申请人： 夏普株式会社
CPC分类号： H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/34326
摘要： 本发明提供了一种半导体激光二极管(1)，半导体激光二极管(1)包括具有有源层(5)的半导体衬底(2)，在有源层(5)的两端上具有一对彼此相对的腔面(6a、6b)；以及顺序堆叠在一个腔面(6a)上的氧化物的第一介电膜(3)和氮氧化物的第二介电膜(4)，其具有足够的初始特性，和具有出色热辐射能力的膜结构，用于允许长时间的稳定的高输出激光发射，而不减小发射端上的灾变光学损伤水平。
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公开(公告)号：CN101123343B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200710141399.5
申请日：2007-08-09
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2201 , H01S5/221 , H01S5/2218 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/18
摘要： 衬底上具有多个发光部的半导体激光器，制造工序简化，降低了导波路损失且使水平及垂直扩散角相同。半导体激光装置，在同一衬底(10)上具有红色激光器(A)和红外激光器(B)。红色激光器(A)，是具有条纹(14a)的第一导电型第一包覆层(14)、第二导电型第二包覆层(12)夹着AlGaInP系列活性层(13)的构造。红外激光器(B)，是具有条纹(24a)的第一导电型第三包覆层(24)、第二导电型第四包覆层(22)夹着AlGaAs系列活性层(23)的构造。第一、第二、第三及第四包覆层(依次14、12、24、22)，均为AlGaInP系列，Al∶Ga的组成比依次分别为：X1∶1-X1、X2∶1-X2、X3∶1-X3、X4∶1-X4时，满足X1≥X2以及X3≥X4的关系。
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公开(公告)号：CN101796699A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200780100504.9
申请日：2007-09-04
申请人： 古河电气工业株式会社
IPC分类号： H01S5/16
CPC分类号： H01S5/164 , H01S5/0421 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2072 , H01S5/3054 , H01S5/3223 , H01S5/3427
摘要： 本发明公开一种半导体激光元件(1)，其具备包含由III族空穴的扩散形成的混晶化部分的窗口区域(23)、和具有量子阱构造的有源层(15)的非窗口区域(24)，在窗口区域(23)上设置对规定的原子进行吸收而促进III族空穴的扩散的促进膜而形成混晶化部分，在有源层(15)的近旁侧的层掺杂对V族位置优先进行置换的杂质，窗口区域中的能带间隙和非窗口区域中的能带间隙的差是50meV以上。
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公开(公告)号：CN100346544C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410061686.1
申请日：2004-06-24
申请人： 三菱电机株式会社
发明人： 高瀨祯
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/1014 , H01S5/16 , H01S5/162 , H01S5/164 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3421 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/185
摘要： 本发明可提供“kink”级不降低而高宽比低的半导体激光元件。该元件是一种脊形结构的半导体激光元件，在一种导电类型的半导体层和具有脊部的另一种导电类型的半导体层之间设置有活性层并且在其两端部具有非增益区域的窗区域，其中，该窗区域的脊部和其外侧之间的等效折射率差大于上述窗区域之外的增益区域的脊部和其外侧之间的等效折射率差。
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