一种微电极及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115611230B

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202211335006.5

    申请日:2022-10-28

    摘要: 本发明提供了一种微电极及其制备方法和应用。本发明的微电极的制备方法,包括以下步骤:在PDMS基体上首先旋涂聚二甲基戊二酰亚胺,然后再旋涂光刻胶,加热;根据需要的电极图案,对旋涂有光刻胶的PDMS基体进行曝光、显影;在PDMS基体上制备电极,然后剥离未曝光的光刻胶和聚二甲基戊二酰亚胺,即制备得到微电极。本发明的微电极的制备方法,利用聚二甲基戊二酰亚胺能够很好地旋涂在高疏水的PDMS基体上的特性,可以在不破坏PDMS基体结构的情况下旋涂上光刻胶,这样既避免了使用刻蚀和转印的复杂工艺,同时也可以快速制备大面积微米级别的微电极;本发明利用光刻技术来制备电极图案,可以快速实现制备微米级别的电极,从而实现智能玻璃及透明显示的应用。

    一种竖直取向结构热界面材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115895262B

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202210546814.X

    申请日:2022-05-19

    摘要: 本发明属于热界面材料制备技术领域,公开了一种竖直取向结构热界面材料及其制备方法,所述竖直取向结构热界面材料包括有机聚合物基体和具有竖直片层取向结构的薄膜;首先制备高深宽比微管道阵列模具;配制纳米片分散液;将分散液注入微管道阵列模具中,然后流入至凝固液里,再经过冷冻干燥和高温热处理得到竖直片层取向结构的薄膜;然后将有机聚合物灌封于竖直片层取向结构的薄膜制备得到。本发明利用高深宽比微管道模具的尺寸限域影响和非牛顿流体在模具出口处的挤出膨胀效应,纳米片材料由开始的水平排布经过模具流出后得到内部具有高度有序竖直片层结构的薄膜,成本低,可实现大面积定制化的生产制备,可广泛应用于大功率电子器件等需要高效热管理的应用场景。

    基于热点区域定向优化的歧管微通道散热器

    公开(公告)号:CN116190330A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202310142336.0

    申请日:2023-02-21

    摘要: 本发明涉及电子设备散热技术领域,且公开了基于热点区域定向优化的歧管微通道散热器,包括功率模块,还包括散热基板、冷源装置和分流歧管;散热基板设置于功率模块上,散热基板远离功率模块一侧且位于功率模块发热区域的背面设置有微通道,用于承载功率模块并对功率模块进行散热。该基于热点区域定向优化的歧管微通道散热器,可通过优化散热基板上的微通道,初步改变功率模块的局部散热性能,避免多热源系统散热温度均匀性差的情况发生,再通过分流歧管配合冷源装置,基于热源布局特点改变微通道内部冷流的流入位置及流出位置,能够进一步实现定向强化冷却效果,达到基于热点区域的定向强化冷却且散热效率高的效果。

    抑制电机驱动系统机端过电压的滤波器、设计方法及应用

    公开(公告)号:CN116054541A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202310177333.0

    申请日:2023-02-28

    摘要: 本发明属于滤波器技术领域,公开了一种抑制电机驱动系统机端过电压的滤波器、设计方法及应用,所述抑制电机驱动系统机端过电压的滤波器为带阻滤波器结构,包括滤波电感、电容和滤波电阻;所述滤波电感与电容和滤波电阻并联连接;滤波电感和电容的谐振频率为负载的主导谐振频率,滤波电阻设置为电缆的特性阻抗值,用于实现负载端主导频率下的阻抗匹配,抑制机端的过电压振荡。本发明能够使实际抑制效果与设计偏差较小,不需要使用各种有源元件和控制器,成本较低,使用较简单,对机端过电压振荡的抑制效果较好,滤波器损耗较小,提高了参数设计的自由度,可以采用较小的电感,滤波器体积较小。

    功率半导体模块全生命周期结温预测方法、系统及终端

    公开(公告)号:CN115828699A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211632622.7

    申请日:2022-12-19

    摘要: 本发明属于电力电子变换器技术领域,公开了一种功率半导体模块全生命周期结温预测方法、系统及终端,布置NTC热敏电阻网络,监测功率模块工作时内部各区域的温度;利用有限元仿真或实验获取神经网络训练数据,构建多种工况下NTC电阻网络温度、水流量、老化因子和芯片结温间的神经网络模型;划分训练集、测试集以及验证集,依据输入输出数据对神经网络模型进行训练;将训练完成后的神经网络模型移植到电力电子装备的控制器中并进行在线校准,利用更新后的神经网络模型预测老化功率模块的芯片结温,在线评估模块健康度SOH状态,并对生命周期后期潜在失效预警。本发明全面提升误差较大区域的结温预测精度,实现全工况下高精度结温预测。

    一种降低开关损耗的部分自举门极驱动电路及控制方法

    公开(公告)号:CN114726191A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202210404306.8

    申请日:2022-04-18

    IPC分类号: H02M1/08

    摘要: 本发明属于门极驱动电路技术领域,公开了一种降低开关损耗的部分自举门极驱动电路及控制方法,所述可降低开关损耗的部分自举门极驱动电路包括开关器件、PWM、供电电源、信号隔离、非隔离驱动芯片、自举结构、驱动电阻、Mon和Moff。相比于电压源型驱动,本发明可显著提高开关速度并降低开关损耗;相比于电流源型驱动,本发明具有自适应的特点,不需要额外的时序控制,不存在过充电损耗开关器件的风险;相比于复杂的有源驱动,本发明具有结果简单、可靠性高的优势。本发明中使用自举结构,在不增加供电电源的前提下可以实现倍压输出,克服了宽禁带器件较大门极内部寄生电阻的限制,可显著降低开关损耗。

    一种垂直片层取向结构材料的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN113941380A

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202111205524.0

    申请日:2021-10-15

    IPC分类号: B01L3/00 C01B32/19

    摘要: 本发明提供了一种垂直片层取向结构材料的制备方法及其应用,该材料的制备方法,包括以下步骤:制备含有微管道阵列的微流控芯片;配制含有纳米片材料的分散液;将含有纳米片材料的分散液注入微流控芯片中,然后流入至凝固液里,再经过冷冻干燥即得垂直片层取向结构材料。本发明的材料的制备方法,微流控芯片上的微管道阵列作为模板,由于微管道阵列具有高深宽比,其可以对纳米片材料的取向进行精细控制,高深宽比的微管道阵列影响了纳米片流体在流动期间纳米片的对齐和取向顺序,由此产生了高有序度的宏观垂直片层结构。此发明解决了现有技术中存在的不足,可适用于多种二维材料,独特的垂直片层通道可应用于散热、电化学储能以及催化等领域。

    电机驱动系统的机端过电压预测方法、预测系统、终端

    公开(公告)号:CN113691194A

    公开(公告)日:2021-11-23

    申请号:CN202110963074.5

    申请日:2021-08-20

    IPC分类号: H02P27/08 H02J3/00 G01R19/165

    摘要: 本发明属于过电压预测技术领域,公开了一种电机驱动系统的机端过电压预测方法、预测系统、终端,测量得到某一频率下电缆的阻抗参数和全频率范围内电机的阻抗特性,计算得到电缆二端口网络的传递函数;根据逆变器的开关特性确定逆变器端输入电压波的波形;对逆变器端电压波形进行傅里叶变换得到输入电压频谱;与传递函数相乘得到输出电压频谱,再对输出电压频谱进行傅里叶反变换得到预测的机端过电压波形。本发明建立了电机驱动系统的二端口网络模型,基于传输线波动方程和所建立的精确电缆单位分布阻抗电路模型推导了系统二端口矩阵的解析表达式,预测结果更加精确,参数获取容易,且只用数学计算工具来实现,更加适用于实际工程应用。

    一种经单分子自组装膜修饰的介电层材料的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN117642035A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311751724.5

    申请日:2023-12-19

    IPC分类号: H10K71/12 H10K71/00 H10K10/46

    摘要: 本发明提供了一种经单分子自组装膜修饰的介电层材料的制备方法及其应用,通过先在表面含有羟基的介电层基底表面生长单分子自组装膜(SAM),再将单层二维材料膜转移至SAM的表面,由于SAM是高度有序的可以有效降低介电层粗糙度,另外SAM的尾部官能团部分能够增加二维材料与介电层的结合力,从而有效地增强了二维材料/介电层界面热导。其次,本发明还通过调控形成单分子自组装膜的物质种类和单层二维材料膜的选材,调节介电层材料的界面热导,最终制得界面热导优异的介电层材料,且上述方法具有制备简单、可工业化生产的优势。

    一种功率半导体模块多物理场联合仿真方法

    公开(公告)号:CN113657064B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202110963062.2

    申请日:2021-08-20

    摘要: 本发明属于功率半导体模块仿真技术领域,公开了一种功率半导体模块多物理场联合仿真方法,功率半导体模块多物理场联合仿真方法包括:采用支持导入器件spice模型的专业电路仿真软件PSpice,通过设计特定协同分析方法并二次开发软件数据交互接口即构建联合仿真的耦合接口,采用间接耦合的方式进行PSpice和COMSOL两个软件的电‑热‑力的联合协同仿真。本发明结合了电路仿真软件PSpice和有限元仿真软件COMSOL两者的优势,实现了场与路的耦合仿真;本发明考虑了电、热、力之间的强耦合关系,实现了电、热、力之间实时的双向耦合,提高了仿真的精度;本发明步长自适应,大大缩短了仿真所需时间,提高了仿真效率。