公开(公告)号：CN1934285A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580009409.9

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 东名敦志 ,  高桥英治 ,  藤原将喜 ,  小寺隆志 ,  小野田正敏

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3471

Abstract: 本发明揭示一种硅膜形成装置，包含：成膜室(10)；设置在该室内的硅溅射靶(2)；往该室内供给氢气的氢气供给回路(102或102’)；以及对供给到成膜室(10)内的氢气施加高频功率以产生电感耦合等离子体的高频功率施加装置(天线(1、1’)、电源(PW)等)，利用该等离子体对靶(2)进行化学溅射，使衬底(S)上形成硅膜。也可同时使用硅烷气。也可在硅烷气供给回路(101)设置储气部(GR)。能在较低温度下价廉且高速地形成希望的硅膜。

公开(公告)号：CN107210220B

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201680008790.5

申请日：2016-02-01

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 高桥英治

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种即便在氧化物半导体膜上直接形成氟化硅氮化膜也可抑制所述氧化物半导体膜的电阻降低的膜形成方法以及一种薄膜晶体管的制作方法。所述膜形成方法包括：表面处理步骤(40)，准备在基板上具有氧化物半导体膜的物品，使用氧与氢的混合气体且氢的比例为8％以下(不包括0)的混合气体来生成等离子体，并利用所述等离子体对氧化物半导体膜的表面进行处理；成膜步骤(42)，其后利用使用含有四氟化硅气体及氮气的原料气体而生成等离子体的等离子体CVD法，在所述氧化物半导体膜上形成氟化硅氮化膜(SiN：F膜)；以及退火步骤(44)，其后对所述基板及所述基板上的膜进行加热。

公开(公告)号：CN107210220A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680008790.5

申请日：2016-02-01

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 高桥英治

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种即便在氧化物半导体膜上直接形成氟化硅氮化膜也可抑制所述氧化物半导体膜的电阻降低的膜形成方法。所述膜形成方法包括：表面处理步骤40，准备在基板上具有氧化物半导体膜的物品，使用氧与氢的混合气体且氢的比例为8％以下(不包括0)的混合气体来生成等离子体，并利用所述等离子体对氧化物半导体膜的表面进行处理；成膜步骤42，其后利用使用含有四氟化硅气体及氮气的原料气体而生成等离子体的等离子体CVD法，在所述氧化物半导体膜上形成氟化硅氮化膜(SiN：F膜)；以及退火步骤44，其后对所述基板及所述基板上的膜进行加热。

公开(公告)号：CN103875077A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201280049140.7

申请日：2012-10-04

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  日新电机株式会社

Inventor： 宫永美纪 ,  粟田英章 ,  冈田浩 ,  栗巢贤一 ,  安东靖典 ,  高桥英治 ,  藤原将喜

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C16/42 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/345 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种绝缘膜，其为含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜，所述绝缘膜具备配置在含有氧原子的基板上的第一氮化硅膜和以与该第一氮化硅膜接触的方式配置的第二氮化硅膜，该第二氮化硅膜中含有的氟量比该第一氮化硅膜中含有的氟量多，并且提供一种半导体元件，其具有含有铟原子及氧原子的氧化物半导体层以及含有硅原子、氟原子及氮原子的绝缘膜。该半导体元件可以为薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN1934679B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580009526.5

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 高桥英治 ,  三上隆司 ,  岸田茂明 ,  加藤健治 ,  东名敦志 ,  林司 ,  绪方洁 ,  节原裕一

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C16/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02631

Abstract: 一种硅粒形成方法，在导入氢气(或者还导入硅烷类气体)的真空室(1)内产生波长288纳米的硅原子发光强度与波长484纳米的氢原子发光强度的比小于等于10.0的等离子体，利用基于该等离子体的化学溅射，在基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。

公开(公告)号：CN101558473A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200780041692.2

申请日：2007-10-29

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 加藤健治 ,  高桥英治

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/505 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 通过利用高频激发的等离子体CVD法的硅系薄膜的形成方法，在较低温度下以低成本和高生产性形成结晶度高的多晶硅系薄膜。在以下条件下成膜：成膜时的气体压力在0.0095Pa～64Pa的范围内选择确定，导入成膜室内的稀释气体的导入流量Md和成膜原料气体的导入流量Ms的比值(Md/Ms)在0～1200的范围内选择确定，高频功率密度在0.0024W/cm3～11W/cm3的范围内选择确定，同时将成膜时的等离子体电势维持在25V以下，将成膜时的等离子体中的电子密度维持在1×1010个/cm3以上；且所述压力等的组合作为利用激光拉曼散射分光法的膜中硅的结晶性评价中由结晶硅成分引起的Ic与由非晶硅成分引起的Ia的比值(Ic/Ia＝结晶度)达到8以上的组合，形成多晶硅系薄膜。

公开(公告)号：CN1934680A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580009563.6

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 东名敦志 ,  高桥英治

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/14

CPC classification number: H01J37/34 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3471 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631

Abstract: 将氢气引入设置了硅溅射靶(2)及被成膜基板(S)的成膜室(10)内，通过对该气体施加高频功率，从而在该成膜室内产生Hα/SiH*为0.3～1.3的等离子体，用该等离子体将硅溅射靶(2)进行化学溅射，在基板(S)上形成结晶性硅薄膜。能够在比较低的低温下廉价、安全地形成高质量的结晶性硅薄膜。

公开(公告)号：CN1934679A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580009526.5

申请日：2005-03-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 高桥英治 ,  三上隆司 ,  岸田茂明 ,  加藤健治 ,  东名敦志 ,  林司 ,  绪方洁

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C16/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02631

Abstract: 一种硅粒形成方法，在导入氢气(或者还导入硅烷类气体)的真空室(1)内产生波长288纳米的硅原子发光强度与波长484纳米的氢原子发光强度的比小于等于10.0的等离子体，利用基于该等离子体的化学溅射，在基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。