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公开(公告)号：CN1424428A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02160651.X
申请日：2002-11-30
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23C14/32
CPC classification number: H01J37/32055 , C23C14/325 , H01J2237/022
Abstract: 为防止因磁过滤器的磁场作用而使得膜形成特性的降低，为使得真空电弧蒸镀均匀，本发明中提供多个磁铁，该磁铁包括最靠近管的另一端的等离子体喷射孔的端磁铁以及规定磁铁。最靠近管的另一端的等离子体喷射孔的端磁铁倾斜于等离子体喷射孔的等离子体喷射平面。另外，至少一个规定磁铁倾斜于等离子体喷射平面。此外，至少一个磁场产生线圈是由多个电磁线圈形成的，该电磁线圈相对于管的横截面以不同的角度倾斜。根据由磁过滤器所产生的偏转磁场的设置和控制，有选择地对一个电磁线圈通电。
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公开(公告)号：CN1806063A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016301.8
申请日：2004-06-02
Applicant: 日新电机株式会社
CPC classification number: H01J37/32055 , C23C14/325 , H01J37/3266
Abstract: 偏转磁场型真空电弧蒸镀装置具有蒸镀单元(UN1、UN2)，这些单元包含蒸发源(3、3’)和附设磁场形成线圈(400、42、42’)的弯曲过滤槽(4、4’)。槽(4、4’)形成朝向被成膜件托架(2)的公共槽端部(40)，在各槽的相反侧端部(41、41’)设置蒸发源(3、3’)。槽端部(40)设置共用线圈(400)，同时各槽还设置又一个线圈(42、42’)。对各线圈装配设置状态调整装置(电动机m1、m2和驱动装置PC；电动机M1、M2和驱动装置PC 1；电动机M1’、M2’和驱动装置PC1’)。这种蒸镀装置生产率良好地在被成膜件上形成所希望结构的优质薄膜。
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公开(公告)号：CN104937132B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201480005582.0
申请日：2014-01-21
Applicant: 日新电机株式会社
CPC classification number: H01J37/32541 , C23C14/0605 , C23C14/325 , C23C16/26 , H01J37/32055 , H01J37/3255 , H01J37/32568 , H01J37/32669 , H01J2237/3321
Abstract: 本发明提供一种等离子体装置、碳薄膜的制造方法及涂布方法。等离子体装置(10)包括真空容器(1)、电弧式蒸发源(3)、阴极构件(4)、挡板(5)、电源(7)、及触发电极(8)。电弧式蒸发源(3)与基板(20)相向而固定于真空容器(1)的侧壁。阴极构件(4)包含具有突起部的玻璃状碳，且安装于电弧式蒸发源(3)。电源(7)对电弧式蒸发源(3)施加负的电压。触发电极(8)与阴极构件(4)的突起部接触或背离。对电弧式蒸发源(3)施加负的电压，使触发电极(8)与阴极构件(4)的突起部接触而产生电弧放电，将挡板(5)打开而将碳薄膜形成于基板(20)上。本发明的等离子体装置可抑制阴极构件裂开。
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公开(公告)号：CN102245812A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980150571.0
申请日：2009-01-16
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23F4/00
CPC classification number: C23C14/022
Abstract: 本发明提供基材蚀刻机构、真空处理装置及基材蚀刻方法。该基材蚀刻机构用于真空处理装置，该真空处理装置在真空室内放出电子并将所导入的气体离子化，对载置在设于真空室内的旋转台上的基材进行蚀刻而进行清洁净化，其中，该基材蚀刻机构具有：一对电力导入端子，其用于向作为电子源的丝极导入电力；多根丝极，其并联连接在一对电力导入端子之间。在该基材蚀刻机构中，多根丝极在与旋转台的旋转轴线正交的平面内沿与旋转轴线方向正交的方向配置。该真空处理装置使用上述蚀刻机构。该基材蚀刻方法使用上述基材蚀刻机构、真空处理装置。
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公开(公告)号：CN1475597A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03145846.7
申请日：2003-07-10
Applicant: 日新电机株式会社
CPC classification number: H01J37/32055 , C23C14/024 , C23C14/0605 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/343 , C23C28/347 , Y10T428/12625 , Y10T428/24975 , Y10T428/265 , Y10T428/30 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及一种覆碳膜部件，它包括基底；在该基底至少一部分上形成的混合层，它包含构成基底的元素和钨；在该混合层上形成的钨膜；在该钨膜上形成的碳膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104937132A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201480005582.0
申请日：2014-01-21
Applicant: 日新电机株式会社
CPC classification number: H01J37/32541 , C23C14/0605 , C23C14/325 , C23C16/26 , H01J37/32055 , H01J37/3255 , H01J37/32568 , H01J37/32669 , H01J2237/3321
Abstract: 等离子体装置10包括真空容器1、电弧式蒸发源3、阴极构件4、挡板5、电源7、及触发电极8。电弧式蒸发源3与基板20相向而固定于真空容器1的侧壁。阴极构件4包含具有突起部的玻璃状碳，且安装于电弧式蒸发源3。电源7对电弧式蒸发源3施加负的电压。触发电极8与阴极构件4的突起部接触或背离。对电弧式蒸发源3施加负的电压，使触发电极8与阴极构件4的突起部接触而产生电弧放电，将挡板5打开而将碳薄膜形成于基板20上。
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公开(公告)号：CN1934679B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200580009526.5
申请日：2005-03-22
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/203 , H01L21/205 , C23C14/14
CPC classification number: C23C16/24 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02601 , H01L21/02631
Abstract: 一种硅粒形成方法，在导入氢气(或者还导入硅烷类气体)的真空室(1)内产生波长288纳米的硅原子发光强度与波长484纳米的氢原子发光强度的比小于等于10.0的等离子体，利用基于该等离子体的化学溅射，在基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。
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公开(公告)号：CN1806063B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200480016301.8
申请日：2004-06-02
Applicant: 日新电机株式会社
CPC classification number: H01J37/32055 , C23C14/325 , H01J37/3266
Abstract: 偏转磁场型真空电弧蒸镀装置具有蒸镀单元(UN1、UN2)，这些单元包含蒸发源(3、3')和附设磁场形成线圈(400、42、42')的弯曲过滤槽(4、4')。槽(4、4')形成朝向被成膜件托架(2)的公共槽端部(40)，在各槽的相反侧端部(41、41')设置蒸发源(3、3')。槽端部(40)设置共用线圈(400)，同时各槽还设置又一个线圈(42、42')。对各线圈装配设置状态调整装置(电动机m1、m2和驱动装置PC；电动机M1、M2和驱动装置PC1；电动机M1'、M2'和驱动装置PC1')。这种蒸镀装置生产率良好地在被成膜件上形成所希望结构的优质薄膜。
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公开(公告)号：CN1934679A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580009526.5
申请日：2005-03-22
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/203 , H01L21/205 , C23C14/14
CPC classification number: C23C16/24 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02601 , H01L21/02631
Abstract: 一种硅粒形成方法，在导入氢气(或者还导入硅烷类气体)的真空室(1)内产生波长288纳米的硅原子发光强度与波长484纳米的氢原子发光强度的比小于等于10.0的等离子体，利用基于该等离子体的化学溅射，在基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。
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公开(公告)号：CN1225569C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN03145846.7
申请日：2003-07-10
Applicant: 日新电机株式会社
CPC classification number: H01J37/32055 , C23C14/024 , C23C14/0605 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/343 , C23C28/347 , Y10T428/12625 , Y10T428/24975 , Y10T428/265 , Y10T428/30 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及一种覆碳膜部件，它包括基底；在该基底至少一部分上形成的混合层，它包含构成基底的元素和钨；在该混合层上形成的钨膜；在该钨膜上形成的碳膜。
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