公开(公告)号：CN108699687A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780010209.8

申请日：2017-02-10

申请人： 爱沃特株式会社

发明人： 奥秀彦 ,  秀一郎

IPC分类号： C23C16/42 ,  C30B29/36 ,  H01L21/306

CPC分类号： C30B29/36 ,  C23C16/325 ,  C30B25/04 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  G03F1/62 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/30604

摘要： 提供一种能够实现SiC膜的薄膜化的化合物半导体基板、表膜、和化合物半导体基板的制造方法。化合物半导体基板的制造方法具备如下工序：在Si基板的表面侧上形成SiC膜的工序；由湿法蚀刻使SiC膜的背面的至少一部分露出的工序。在使SiC膜的背面的至少一部分露出的工序中，对用于湿法蚀刻的药液至少相对地移动Si基板和SiC膜。

公开(公告)号：CN105336670B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201410334110.1

申请日：2014-07-14

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 何作鹏 ,  赵洪波

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供衬底，所述衬底内形成有通孔；在所述通孔底部和侧壁表面形成非晶硅层；在所述非晶硅层表面形成阻挡层，且所述阻挡层择优取向晶面(111)；在所述阻挡层表面形成金属层，所述金属层填充满所述通孔，且所述金属层择优取向晶面(111)。本发明在硅通孔底部和侧壁表面形成非晶硅层后，在非晶硅层表面形成择优取向晶面(111)的阻挡层以及金属层，提高金属层的抗电迁移能力，降低金属层的电阻，提高半导体结构的抗电迁移能力，降低半导体结构的RC延迟效应，从而改善半导体结构的电学性能。

公开(公告)号：CN102709160B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201210052305.8

申请日：2012-03-01

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 田雪雁 ,  龙春平 ,  姚江峰

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L21/02502 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L21/32055

摘要： 本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制作方法和低温多晶硅薄膜，用以制作表面粗糙度较低、晶粒尺寸较大且分布均匀的低温多晶硅薄膜。该制作方法包括：在基板上形成一缓冲层；在所述缓冲层上，采用图案形成工艺形成晶核位置均匀分布的籽晶层；在所述籽晶层上形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行准分子激光退火。采用本发明提供的低温多晶硅薄膜的制作方法制作的低温多晶硅薄膜，其晶粒尺寸较大，分布均匀，并且具有非常低的表面粗糙度，从而解决了应用于低温多晶硅显示器背板中，迁移率较低，薄膜晶体管的漏电流较大，迁移率及阈值电压不均匀性的问题。

公开(公告)号：CN107949914A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201580079001.2

申请日：2015-05-19

申请人： 英特尔公司

发明人： M·拉多萨夫列维奇 ,  S·达斯古普塔 ,  S·K·加德纳 ,  S·H·宋 ,  H·W·田 ,  R·S·周

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/0843

摘要： 描述了包括从器件层延伸的升高或凸起晶体结构的半导体器件。在实施例中，Ⅲ-N晶体管包括在栅极叠置体的任一侧上的凸起晶体n+掺杂源极/漏极结构。在实施例中，非结晶材料用于限制多晶源极/漏极材料的生长，允许高质量源极/漏极掺杂晶体从未受损区生长并横向扩展以形成与器件层内的二度电子气体(2DEG)的低电阻接合。在一些实施例中，在开始凸起源极/逻辑生长之前用非结晶材料覆盖可造成竞争性多晶体多生长的受损GaN的区域。

公开(公告)号：CN107924825A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201580082464.4

申请日：2015-09-30

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 汤浅和宏 ,  道田典明

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115

摘要： 本发明提供能进行均匀的衬底处理的技术。提供的技术具有：将衬底备于处理室中的工序，衬底中，在纵横比为20以上的图案上形成有作为基膜的绝缘膜，在绝缘膜上形成有作为处理对象的厚度以下的处理对象膜；通过从加热装置供给的电磁波而将衬底升温至第一温度的工序；在维持所述第一温度的同时，在第一处理时间的期间内处理衬底的第一处理工序；在第一处理工序后，通过从加热装置供给的电磁波而将衬底从第一温度升温至比第一温度高的第二温度的工序；及在维持第二温度的同时，在比第一处理时间短的第二处理时间的期间内处理衬底的第二处理工序。

公开(公告)号：CN106548926B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201610954680.X

申请日：2016-10-27

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 卜倩倩

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/78675

摘要： 本发明涉及显示领域，提供了一种多晶硅层的制备方法为：在衬底基板的微晶硅层上沉积一层多孔的金属薄膜；将形成有金属薄膜的衬底基板放入包括有氟化氢和氧化剂的混合溶液中刻蚀；完成刻蚀后，依次用酸溶液及去离子水洗涤，得到处理后的微晶硅层；在所述处理后的微晶硅层上沉积非晶硅层，经激光退火处理，形成多晶硅层。本发明还提供一种薄膜晶体管，其多晶硅层由所述方法制备得到。本发明利用金属薄膜作为催化剂，催化微晶硅层刻蚀，使微晶硅层表面形成生长方向一致，大小均一的硅晶种。在所述硅晶种基础上经过沉积非晶硅并激光退火形成晶粒尺寸350‑360nm,3σ＜140nm的多晶硅，晶粒生长方向一致，有效控制了晶界出现的区域。

公开(公告)号：CN107873106A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201680031749.X

申请日：2016-05-18

申请人： 太阳能爱迪生半导体有限公司

发明人： S·G·托马斯 ,  G·王

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76256 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76251

摘要： 所公开的方法适合于制造绝缘体上SiGe结构。根据该方法的一些实施例，在包括超薄硅顶层的绝缘体上硅衬底上沉积包含SiGe的层。在一些实施例中，通过外延沉积来沉积所述包含SiGe的层。在一些实施例中，SiGe外延层是高质量的，因为它是通过在Si/掩埋氧化物界面处设计应变弛豫而产生的。在一些实施例中，该方法实现了在弱键合到下伏氧化物的数个单层厚Si层上生长的SiGe的弹性应变弛豫。

公开(公告)号：CN104364429B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201380015539.8

申请日：2013-03-21

申请人： 弗赖贝格化合物原料有限公司

发明人： M·格林德尔 ,  F·布儒纳 ,  E·里希特 ,  F·哈贝尔 ,  M·魏尔斯

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02 ,  C30B25/18

CPC分类号： C30B25/16 ,  C30B25/04 ,  C30B25/10 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  Y10T428/24851

摘要： 本发明涉及制备III‑N模板，并且还涉及制备III‑N单晶，其中III表示元素周期表第三主族的至少一种选自Al、Ga和In的元素。通过在晶体生长过程中设定特定的参数，可以获得III‑N模板，该模板为在异质衬底上生长的晶体层赋予获得模板形式或甚至具有大的III‑N层厚的无裂纹III‑N单晶的特性。

公开(公告)号：CN103489896B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201310231295.9

申请日：2013-06-09

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 卓泳助 ,  金在均 ,  金峻渊 ,  李在垣 ,  崔孝枝

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L33/12

CPC分类号： H01L29/267 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/16 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： 本发明公开了一种氮化镓基半导体器件及其制造方法。所述氮化镓基半导体器件包括同时掺杂有相对较高浓度的硼（B）和锗（Ge）的硅基衬底、所述硅基衬底上的缓冲层、以及所述缓冲层上的氮化物叠层。硼（B）和锗（Ge）的掺杂浓度可以大于1×1019/cm3。

公开(公告)号：CN107039236A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610814092.6

申请日：2016-09-09

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 吴暎泽 ,  权赫信 ,  徐焕受 ,  田仁秀

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  B82Y10/00

CPC分类号： H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/0242 ,  H01L29/068

摘要： 本发明的实施方式提供形成纳米接构的方法、使用其制造半导体器件的方法和包括纳米结构的半导体器件。形成纳米结构的方法可以包括形成绝缘层以及在绝缘层上形成纳米结构。该绝缘层可以具有晶体结构。该绝缘层可以包括绝缘二维(2D)材料。该绝缘2D材料可以包括六方氮化硼(h‑BN)。该绝缘层可以形成在催化剂金属层上。该纳米结构可以包括硅(Si)、锗(Ge)和SiGe中的至少一种。纳米结构可以包括至少一个纳米线。