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公开(公告)号：CN110073507A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201880005059.6
申请日：2018-03-19
Applicant: 日本化药株式会社
IPC: H01L51/30 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/40
Abstract: 本发明的目的为提供可由溶液法制作有机薄膜的有机半导体组合物、使用该有机半导体组合物而得到的有机薄膜、以及具有该有机薄膜的实用的场效应晶体管，该场效应晶体管可在保持高迁移率的同时具有小变异，并且阈值的变异也小。即，本说明书揭示一种有机半导体组合物，其包含：有机半导体化合物、绝缘化合物、作为该绝缘化合物的良溶剂的有机溶剂A及作为该绝缘化合物的贫溶剂且沸点高于该有机溶剂A的有机溶剂B，其中该有机溶剂A与该有机溶剂B的含有质量比率a：b为1：8至8：1。
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公开(公告)号：CN102037082B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200980118425.X
申请日：2009-05-19
IPC: C09B31/08 , C09B31/22 , G02B5/30 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/3033 , B32B2457/202 , C09B31/043 , C09B31/16 , G02F1/133528 , Y10T428/1041
Abstract: 由式(1)或(2)表示的偶氮化合物(在式中，A表示具有至少1个取代基的苯基或萘基。R1～R4表示氢原子、低级烷基或低级烷氧基，且R1～R4中的至少一个是具有磺基的低级烷氧基。X表示任选取代的氨基、任选取代的苯甲酰氨基、任选取代的苯氨基、任选取代的苯偶氮基或任选取代的萘并三唑基)及其盐。
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公开(公告)号：CN102066497B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN200980122710.9
申请日：2009-05-19
IPC: C09B31/08 , C09B31/22 , G02B5/30 , G02F1/1335
CPC classification number: C09B31/22 , C09B29/0014 , C09B29/0808 , C09B31/047 , C09B31/072 , C09B31/08 , C09B31/20 , C09B31/30 , G02B5/3033
Abstract: 由式(1)表示的偶氮化合物(在式中，R1表示具有磺基的低级烷氧基。R2～R5各自独立地表示氢原子、低级烷基或低级烷氧基。X是任选取代的氨基、任选取代的苯甲酰氨基、任选取代的苯氨基、任选取代的苯偶氮基或任选取代的萘并三唑基。m表示1或2且n表示0或1。)及其盐。
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公开(公告)号：CN102770979A9
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180010025.4
申请日：2011-09-06
Applicant: 日本化药株式会社
Inventor： 贞光雄一
IPC: H01L51/30 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
Abstract: 一种有机半导体材料，其通过使下式(1)和具有氰基的受电子性化合物溶解和/或分散在至少一种有机溶剂中而形成。式(1)中，R1和R2各自独立地表示未取代或卤素取代的C1-C36脂肪族烃基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102770979A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201180010025.4
申请日：2011-09-06
Applicant: 日本化药株式会社
Inventor： 贞光雄一
IPC: H01L51/30 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/002 , H01L51/0074 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 一种有机半导体材料，其通过使下式(1)和具有氰基的受电子性化合物溶解和/或分散在至少一种有机溶剂中而形成。式(1)中，R1和R2各自独立地表示未取代或卤素取代的C1-C36脂肪族烃基。
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公开(公告)号：CN101460571B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200780020190.1
申请日：2007-05-24
CPC classification number: G02B5/305 , C09B56/04 , G02B5/30 , Y10T428/1041
Abstract: 公开了由通式(1)代表的偶氮化合物或其盐：其中R1和R2各自独立地表示氢原子、低级烷基和低级烷氧基；n表示1或2。还公开了含染料偏振膜和含染料偏振板，它们中的每一种包含偏振膜基础材料和包含在该基础材料中的所述偶氮化合物。
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公开(公告)号：CN102660133A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210117643.5
申请日：2007-06-12
IPC: C09B29/16 , C09B45/18 , G02B5/30 , G02F1/1335
CPC classification number: C09B31/072 , C09B31/20 , C09B45/28 , G02B5/3025 , Y10T428/31855
Abstract: 公开了由下面通式(1)或(2)表示的偶氮化合物或其盐。(在该通式中，A表示取代的苯基或含1-3个磺酸基的萘基；X表示-N＝N-或-NHCO-；R1-R4独立地表示氢原子、低级烷基或低级烷氧基；m表示1-3的数值；n表示0或1)。
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公开(公告)号：CN102066497A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980122710.9
申请日：2009-05-19
IPC: C09B31/08 , C09B31/22 , G02B5/30 , G02F1/1335
CPC classification number: C09B31/22 , C09B29/0014 , C09B29/0808 , C09B31/047 , C09B31/072 , C09B31/08 , C09B31/20 , C09B31/30 , G02B5/3033
Abstract: 由式(1)表示的偶氮化合物(在式中，R1表示具有磺基的低级烷氧基。R2～R5各自独立地表示氢原子、低级烷基或低级烷氧基。X是任选取代的氨基、任选取代的苯甲酰氨基、任选取代的苯氨基、任选取代的苯偶氮基或任选取代的萘并三唑基。m表示1或2且n表示0或1。)及其盐。
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公开(公告)号：CN100380146C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200480022698.1
申请日：2004-08-06
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335 , C09B29/045
CPC classification number: G02B5/3016
Abstract: 本发明的目的在于提供染料内含的副产物的影响少、具有可见光范围及紫外区中优异的偏振光性能与耐湿性、耐热性的高性能的偏振板。在聚乙烯醇系树脂薄膜中含有游离酸形式的下述式(1)表示的水溶性染料或其盐的90%以上的高纯度品的染料系偏振膜的至少一面贴合380nm下的透过率70%以上的薄膜，构成偏振板。(式中，R1，R2表示氢原子、卤原子、低级烷基、低级烷氧基或羧基，R3、R4表示氢原子、卤原子、低级烷基、低级烷氧基或羟基，X表示O、S、NH或NCH3。另外，l、m表示0、1或2，l+m＞0)。
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