公开(公告)号：CN110073507B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201880005059.6

申请日：2018-03-19

Applicant: 日本化药株式会社

Inventor： 小野寺希望 ,  井上悟 ,  贞光雄一

IPC: H10K85/60 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H10K71/15

Abstract: 本发明的目的为提供可由溶液法制作有机薄膜的有机半导体组合物、使用该有机半导体组合物而得到的有机薄膜、以及具有该有机薄膜的实用的场效应晶体管，该场效应晶体管可在保持高迁移率的同时具有小变异，并且阈值的变异也小。即，本说明书揭示一种有机半导体组合物，其包含：有机半导体化合物、绝缘化合物、作为该绝缘化合物的良溶剂的有机溶剂A及作为该绝缘化合物的贫溶剂且沸点高于该有机溶剂A的有机溶剂B，其中该有机溶剂A与该有机溶剂B的含有质量比率a：b为1：8至8：1。

公开(公告)号：CN108701768B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201780013634.2

申请日：2017-02-27

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  日本化药株式会社

Inventor： 荒井俊人 ,  长谷川达生 ,  井上悟

IPC: H01L51/30 ,  C07D495/04 ,  C07D519/00 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明是涉及一种有机半导体组合物及包含这些的有机薄膜，以及其用途。本发明的含有选自由下述式(1)至(4)所表示的化合物所组成的群中的2种噻吩并噻吩化合物的组合物，能够在大范围内形成均质的有机薄膜，且含有该有机薄膜的有机半导体装置可以表现出高迁移率，(式(1)至(4)中，R1及R2的任一个表示烷基、具有烷基的芳香族烃基或具有烷基的杂环基，另一个表示氢原子、芳香族烃基、杂环基或下述式(5)所表示的取代基。(式(5)中，R3表示芳香族烃基或杂环基))。

公开(公告)号：CN110073507A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201880005059.6

申请日：2018-03-19

Applicant: 日本化药株式会社

Inventor： 小野寺希望 ,  井上悟 ,  贞光雄一

IPC: H01L51/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明的目的为提供可由溶液法制作有机薄膜的有机半导体组合物、使用该有机半导体组合物而得到的有机薄膜、以及具有该有机薄膜的实用的场效应晶体管，该场效应晶体管可在保持高迁移率的同时具有小变异，并且阈值的变异也小。即，本说明书揭示一种有机半导体组合物，其包含：有机半导体化合物、绝缘化合物、作为该绝缘化合物的良溶剂的有机溶剂A及作为该绝缘化合物的贫溶剂且沸点高于该有机溶剂A的有机溶剂B，其中该有机溶剂A与该有机溶剂B的含有质量比率a：b为1：8至8：1。

公开(公告)号：CN108701768A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780013634.2

申请日：2017-02-27

Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  日本化药株式会社

Inventor： 荒井俊人 ,  长谷川达生 ,  井上悟

IPC: H01L51/30 ,  C07D495/04 ,  C07D519/00 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: C07D495/04 ,  C07D519/00 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78603 ,  H01L51/0032 ,  H01L51/05 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明的含有选自由下述式(1)至(4)所表示的化合物所组成的群中的2种噻吩并噻吩化合物的组合物，能够在大范围内形成均质的有机薄膜，且含有该有机薄膜的有机半导体装置可以表现出高迁移率， (式(1)至(4)中，R1及R2的任一个表示烷基、具有烷基的芳香族烃基或具有烷基的杂环基，另一个表示氢原子、芳香族烃基、杂环基或下述式(5)所表示的取代基。 (式(5)中，R3表示芳香族烃基或杂环基))。