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公开(公告)号：CN109476681A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780046614.5
申请日：2017-10-26
Applicant: 日本化药株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在近红外线区域具有吸收带的通过噻吩环具有B-O螯合物结构的新颖二苯并吡咯亚甲基硼螯合化合物、以及使用其的近红外线吸收材料、薄膜、及有机电子器件。即，本发明是下述式(1)所表示的化合物。[化1] (所述式(1)中的X1至X6分别独立，为硫原子、具有氢原子的碳原子或具有取代基R0的碳原子，取代基R0表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳香族基、卤素原子、羟基、巯基、硝基、取代氨基、未经取代氨基、氰基、磺基、酰基、氨磺酰基、烷基氨磺酰基、氨甲酰基、或烷基氨甲酰基；另外，X1至X6之中邻接的基团可相互键合而形成环结构)。
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公开(公告)号：CN107360720A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201680017582.1
申请日：2016-03-23
Applicant: 日本化药株式会社
IPC: C07D495/04 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L51/46 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0074 , C07D495/04 , H01L29/786 , H01L51/0004 , H01L51/0028 , H01L51/05 , H01L51/0508 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0566 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的课题提供室温下有机溶剂溶解性、溶液保存稳定性及耐热性优异的有机化合物、含有该有机化合物的有机半导体材料、使用该有机半导体材料并通过室温印刷制程获得的有机薄膜、及含有该有机薄膜而成的具有高移动率和耐热性的有机半导体装置。本发明提供一种下述式(A)所示的有机化合物及含有该有机化合物的有机半导体材料。(式中，R1及R2的任一者表示烷基、具有烷基的芳香族烃基或具有烷基的杂环基，另一者表示脂肪族烃基、芳香族烃基或杂环基。但排除R1及R2两者皆表示烷基的情形)。
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公开(公告)号：CN104650110B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410836711.2
申请日：2012-02-24
Applicant: 日本化药株式会社
IPC: C07D495/04 , C09D11/03 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0074 , C07C319/20 , C07D495/04 , C09B57/00 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1092 , H01L51/0558 , C07C321/28
Abstract: 本发明涉及新型杂环化合物、制造其中间体的方法及其用途。本发明提供一种由式(1)表示的新型杂环化合物和具有包含上述化合物的半导体层的场效应晶体管。本发明还提供一种制造能够制造上述新型杂环化合物的中间体的方法。(在所述式中，当R1各自独立地表示C2～C16烷基时，R2各自表示氢原子。)
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公开(公告)号：CN102770979B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180010025.4
申请日：2011-09-06
Applicant: 日本化药株式会社
Inventor： 贞光雄一
IPC: H01L51/30 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/002 , H01L51/0074 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 一种有机半导体材料，其通过使下式(1)和具有氰基的受电子性化合物溶解和/或分散在至少一种有机溶剂中而形成。式(1)中，R1和R2各自独立地表示未取代或卤素取代的C1-C36脂肪族烃基。
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公开(公告)号：CN104903329A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201380049630.1
申请日：2013-08-22
Applicant: 日本化药株式会社
IPC: C07D495/04 , C07D517/04
CPC classification number: C07D495/22 , C07D493/04 , C07D495/04 , C07D517/04 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0073 , H01L51/0074
Abstract: 从由通式(1)表示的杂环化合物生产由通式(2)表示的杂环化合物的方法(在式中，X1表示卤素原子；Y1和Y2各自独立地表示氧原子、硫原子或硒原子；R1和R2各自独立地表示取代基；m和n分别表示取代基R1和R2的数量；m和n的每一个表示0至4的整数；并且当m是2以上时，R1可以相同或不同或者可以彼此连接从而形成任选取代的环，并且当n是2以上时，R2可以相同或不同或者可以彼此连接从而形成任选取代的环)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103275513B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310180064.X
申请日：2009-05-19
IPC: C09B31/043 , C09B31/08 , C09B31/22 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/3033 , B32B2457/202 , C09B31/043 , C09B31/16 , G02F1/133528 , Y10T428/1041
Abstract: 由式(1)或(2)表示的偶氮化合物(在式中，A表示具有至少1个取代基的苯基或萘基。R1～R4表示氢原子、低级烷基或低级烷氧基，且R1～R4中的至少一个是具有磺基的低级烷氧基。X表示任选取代的氨基、任选取代的苯甲酰氨基、任选取代的苯氨基、任选取代的苯偶氮基或任选取代的萘并三唑基)及其盐。
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公开(公告)号：CN103242672A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310116053.5
申请日：2009-05-19
CPC classification number: C09B31/22 , C09B29/0014 , C09B29/0808 , C09B31/047 , C09B31/072 , C09B31/08 , C09B31/20 , C09B31/30 , G02B5/3033
Abstract: 本发明涉及偶氮化合物及其盐、以及包含其的染料基偏振膜和偏振片。一种由式(1)表示的偶氮化合物(在式中，R1表示具有磺基的低级烷氧基。R2～R5各自独立地表示氢原子、低级烷基或低级烷氧基。X是任选取代的氨基、任选取代的苯甲酰氨基、任选取代的苯氨基、任选取代的苯偶氮基或任选取代的萘并三唑基。m表示1或2且n表示0或1。)及其盐。
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公开(公告)号：CN101861363B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200880114613.0
申请日：2008-10-30
IPC: C09B31/08 , C07D249/22 , C09B31/22 , C09B33/22 , C09B45/24 , C09B45/28 , G02B5/30 , G02F1/1335
CPC classification number: C07D249/22 , C09B31/072 , C09B31/08 , C09B31/20 , C09B31/22 , C09B31/30 , C09B45/28 , C09B56/08 , G02B5/3025 , G02B5/3033
Abstract: 本发明公开了一种由式(1)或(2)表示的偶氮化合物或其盐。所述偶氮化合物或其盐具有优异的偏振特性，且极适宜作为用于在可见光范围内显示出较少颜色泄漏的偏振片或包含上述偏振片的液晶投影仪用偏振片的二色性染料。在(1)和(2)中，R1表示氢原子、低级烷基、低级烷氧基、羟基、磺酸基或羧基；R2～R5独立地表示氢原子、低级烷基、低级烷氧基或乙酰氨基；X表示可以具有取代基的苯甲酰氨基、可以具有取代基的苯氨基、可以具有取代基的苯偶氮基或可以具有取代基的萘并三唑基；m表示1或2的数；且n表示0或1的数。
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公开(公告)号：CN106796987B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201580038837.8
申请日：2015-07-14
Applicant: 日本化药株式会社
IPC: H01L51/05 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/40
Abstract: 本发明提供可以通过短时间的处理形成有机半导体薄膜的有机半导体薄膜的形成方法，并且提供利用上述有机半导体薄膜的有机半导体器件，以及生产量高的有机半导体器件的制造方法。在包含有机半导体材料(7)的有机半导体薄膜(4)的形成方法中，对有机半导体材料(7)一边施加压力一边赋予超声波振动，由此将有机半导体材料(7)制成薄膜。有机半导体器件的制造方法为包含有机半导体薄膜的有机半导体器件的制造方法，其中，通过上述形成方法形成有机半导体薄膜。有机半导体器件为通过上述制造方法制造的有机半导体器件。
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公开(公告)号：CN106796987A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580038837.8
申请日：2015-07-14
Applicant: 日本化药株式会社
IPC: H01L51/05 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/40
CPC classification number: H01L29/786 , H01L51/05
Abstract: 本发明提供可以通过短时间的处理形成有机半导体薄膜的有机半导体薄膜的形成方法，并且提供利用上述有机半导体薄膜的有机半导体器件，以及生产量高的有机半导体器件的制造方法。在包含有机半导体材料(7)的有机半导体薄膜(4)的形成方法中，对有机半导体材料(7)一边施加压力一边赋予超声波振动，由此将有机半导体材料(7)制成薄膜。有机半导体器件的制造方法为包含有机半导体薄膜的有机半导体器件的制造方法，其中，通过上述形成方法形成有机半导体薄膜。有机半导体器件为通过上述制造方法制造的有机半导体器件。
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