公开(公告)号：CN101534967A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780040995.2

申请日：2007-11-13

Applicant: 日本曹达株式会社

Inventor： 肥高友也 ,  藤田佳孝 ,  中本宪史 ,  熊泽和久 ,  星英司

IPC: B05D7/24 ,  B05D1/18 ,  C09K3/18

CPC classification number: C08K5/04 ,  B05D1/185 ,  B05D7/24 ,  B05D2202/00 ,  B05D2203/35 ,  C03C17/30 ,  C03C2217/76 ,  C03C2218/113 ,  C08K5/01 ,  C08K5/05 ,  C08K5/5419 ,  C09D7/63 ,  C09K3/18

Abstract: 本发明的课题在于提供能够迅速形成杂质少且致密的单分子膜的有机薄膜形成方法。该有机薄膜形成方法包含：1)制备含羟基溶液的工序，将下述a)、b)和c)以使得含羟基溶液中的(A)和(B)的合计量为0.1重量％～80重量％的方式混合、进行水解而生成含羟基化合物，a)在有机溶剂中含有具有至少1个以上水解性基团的金属系表面活性剂(A)和能与金属系表面活性剂相互作用的化合物(C)的有机薄膜形成用辅助剂，b)具有至少1个以上水解性基团的金属系表面活性剂(B)，和c)水；2)将上述1)的工序中得到的含羟基溶液与有机溶剂混合从而制备有机薄膜形成用溶液的工序；和3)使上述2)的工序中得到的有机薄膜形成用溶液与基板接触的工序。