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公开(公告)号：CN1774305A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200480009940.1
申请日：2004-04-14
Applicant: 日本曹达株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以迅速而且稳定地多次连续形成杂质少、致密的有机薄膜的有机薄膜制造方法。该有机薄膜制造方法是在基板表面上形成有机薄膜的有机薄膜制造方法，其特征在于，包括把含有具有至少1个或更多个水解性基团的金属类表面活性剂和可以与此金属类表面活性剂相互作用的催化剂的有机溶剂溶液与所述基板接触的工序(A)，将所述有机溶剂溶液中的水分含量设定或保持在规定量范围。
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公开(公告)号：CN103874654A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201280050738.8
申请日：2012-10-18
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: C01B13/14 , C01F7/02 , C01G23/047 , C09C1/00 , C09C3/12
CPC classification number: C09C3/12 , C01P2004/61 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C09C1/3684 , C09C1/407 , Y10T428/2995
Abstract: 本发明提供一种具有新物性的经表面覆盖处理的无机粉体。经表面覆盖处理的无机粉体被单分子膜覆盖，该单分子膜由式（I）表示的至少一种构成单元形成，该单分子膜的至少一部分具有结晶性。上述经表面覆盖处理的无机粉体例如使无机粉体与有机薄膜形成溶液接触来制造，所述有机薄膜形成溶液含有：（A）式（II）表示的至少一种化合物、（B）10ppm～饱和浓度的水、以及（C）有机溶剂。式（I）中，R1表示可以具有取代基的碳原子数1～30的烷基，X1和X2各自独立地表示羟基、OR2或者O-Si键中的任一个，·表示与无机粉体侧的原子的键合位置。R1Si（OH）nX33-n？？？？（II）式（II）中，R1表示可以具有取代基的碳原子数1～30的烷基，X3表示水解性基团，n表示1～3中的任一整数。
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公开(公告)号：CN101870149B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201010219207.X
申请日：2005-12-28
Applicant: 日本曹达株式会社
Abstract: 本发明涉及成型用模具或电铸母模，其特征在于，使模具或母模与含有式[1]，Rn-Si-X4-n……[1]，(式[1]中，R表示可以具有取代基的C1～20烃基、可以具有取代基的C1～20卤代烃基、含有连接基的C1～20烃基或含有连接基的C1～20卤代烃基，X表示羟基、卤素原子、C1～C6的烷氧基或酰氧基，n表示1～3的整数)。表示的硅烷类表面活性剂及可以与该硅烷类表面活性剂进行相互作用的催化剂的有机溶剂溶液进行接触，从而使模具表面或母模表面形成含有耐磨损性及剥离性能优异的有机薄膜的脱模层。
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公开(公告)号：CN101870149A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010219207.X
申请日：2005-12-28
Applicant: 日本曹达株式会社
Abstract: 本发明涉及成型用模具或电铸母模，其特征在于，使模具或母模与含有式[1]Rn-Si-X4-n……[1](式[1]中，R表示可以具有取代基的C1～20烃基、可以具有取代基的C1～20卤代烃基、含有连接基的C1～20烃基或含有连接基的C1～20卤代烃基，X表示羟基、卤素原子、C1～C6的烷氧基或酰氧基，n表示1～3的整数。)表示的硅烷类表面活性剂及可以与该硅烷类表面活性剂进行相互作用的催化剂的有机溶剂溶液进行接触，从而使模具表面或母模表面形成含有耐磨损性及剥离性能优异的有机薄膜的脱模层。
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公开(公告)号：CN101087679A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200580044909.6
申请日：2005-12-28
Applicant: 日本曹达株式会社
Abstract: 本发明涉及成型用模具或电铸母模，其特征在于，使模具或母模与含有式[1]Rn－Si－X4－n(式[1]中，R表示可以具有取代基的C1～20烃基、可以具有取代基的C1～20卤代烃基、含有连接基的C1～20烃基或含有连接基的C1～20卤代烃基，X表示羟基、卤素原子、C1～C6的烷氧基或酰氧基，n表示1～3的整数。)表示的硅烷类表面活性剂及可以与该硅烷类表面活性剂进行相互作用的催化剂的有机溶剂溶液进行接触，从而使模具表面或母模表面形成含有耐磨损性及剥离性能优异的有机薄膜的脱模层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1638858A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03805639.9
申请日：2003-03-12
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: B01J19/00 , B32B9/00 , C09D183/08 , C09D185/00 , C03C17/30
CPC classification number: C09D183/08 , B05D1/185 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C03C17/28 , C03C17/30 , C03C2218/113 , C09D183/04 , C09D185/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以很快成膜，并且杂质少，形成致密的化学吸附膜的方法。其特征在于在向含有活泼氢的基材的表面上制造化学吸附膜的方法中，包含用在有机溶剂中的金属氧化物或金属醇盐部分加水分解生成物和水处理具有至少1种加水分解性基团的金属系表面活性剂，使得到的溶液接触前述基材表面的工序。
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公开(公告)号：CN103874654B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280050738.8
申请日：2012-10-18
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: C01B13/14 , C01F7/02 , C01G23/047 , C09C1/00 , C09C3/12
CPC classification number: C09C3/12 , C01P2004/61 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C09C1/3684 , C09C1/407 , Y10T428/2995
Abstract: 本发明提供一种具有新物性的经表面覆盖处理的无机粉体。经表面覆盖处理的无机粉体被单分子膜覆盖，该单分子膜由式（I）表示的至少一种构成单元形成，该单分子膜的至少一部分具有结晶性。上述经表面覆盖处理的无机粉体例如使无机粉体与有机薄膜形成溶液接触来制造，所述有机薄膜形成溶液含有：（A）式（II）表示的至少一种化合物、（B）10ppm～饱和浓度的水、以及（C）有机溶剂。式（I）中，R1表示可以具有取代基的碳原子数1～30的烷基，X1和X2各自独立地表示羟基、OR2或者O-Si键中的任一个，·表示与无机粉体侧的原子的键合位置。R1Si（OH）nX33-n （II）式（II）中，R1表示可以具有取代基的碳原子数1～30的烷基，X3表示水解性基团，n表示1～3中的任一整数。
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公开(公告)号：CN101157078B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200710163166.5
申请日：2004-04-14
Applicant: 日本曹达株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以迅速而且稳定地多次连续形成杂质少、致密的有机薄膜的制造方法。该有机薄膜制造方法是在基板表面上形成有机薄膜的制造方法，其特征在于，包括把含有具有至少1个或更多个水解性基团的金属类表面活性剂和可以与此金属类表面活性剂相互作用的催化剂的有机溶剂溶液与所述基板接触的工序(A)，将所述有机溶剂溶液中的水分含量设定或保持在规定量范围。
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公开(公告)号：CN100451054C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200480009940.1
申请日：2004-04-14
Applicant: 日本曹达株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以迅速而且稳定地多次连续形成杂质少、致密的有机薄膜的有机薄膜制造方法。该有机薄膜制造方法是在基板表面上形成有机薄膜的有机薄膜制造方法，其特征在于，包括把含有具有至少1个或更多个水解性基团的金属类表面活性剂和可以与此金属类表面活性剂相互作用的催化剂的有机溶剂溶液与所述基板接触的工序(A)，将所述有机溶剂溶液中的水分含量设定或保持在规定量范围。
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公开(公告)号：CN1711213A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200380103054.0
申请日：2003-11-12
Applicant: 日本曹达株式会社
CPC classification number: C23C18/1216 , C23C18/122
Abstract: 本发明的目的在于提供适合在200℃以下的低温制造金属氧化物膜以及适合制造均质的有机－无机复合物时使用的含金属－氧键的分散质，同时提供具有各种功能的金属氧化物薄膜和有机－无机复合物，特别是具有高折射率、高透明性的有机－无机复合物。本发明使用含金属－氧键的分散质，其特征在于，其通过在有机溶剂中，在不存在酸、碱和/或分散稳定剂的情况下，将具有3个以上水解性基团的金属化合物与相对于该金属化合物的0.5倍摩尔以上且不到2倍摩尔的水在水解起始温度以下的温度混合，并升温至水解起始温度温度以上而得到的。
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