公开(公告)号：CN116569358A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180079355.2

申请日：2021-12-07

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 西崎努 ,  广濑瑞稀 ,  小林义政 ,  胜田祐司

IPC: H01M4/36

Abstract: 本发明提供在组装于锂离子二次电池的情况下能够大幅提高循环特性的正极活性物质。该正极活性物质包含含有Li、Ni、Co及Mn的具有层状岩盐结构的锂复合氧化物，并且，还包含选自Li3BO3、Li3PO4及Li2SO4中的至少1种添加剂。

公开(公告)号：CN116438682A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202080107474.X

申请日：2020-12-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 西崎努 ,  广濑瑞稀 ,  小林义政 ,  胜田祐司

IPC: H01M4/485

Abstract: 本发明提供作为正极组装于锂离子二次电池的情况下能够大幅提高放电容量的锂复合氧化物烧结板。该锂复合氧化物烧结板由包含Li、Ni、Co及Mn的具有层状岩盐结构的锂复合氧化物构成。该锂复合氧化物烧结板的气孔率为20～40％，平均气孔径为3.5μm以上，每1μm2单位截面积的界面长度为0.45μm以下。

公开(公告)号：CN114761630A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080080357.9

申请日：2020-12-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 小川博久 ,  小林义政 ,  饭田和希 ,  柴田宏之

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

Abstract: AlN单晶板具有厚度方向上的第一面、以及与第一面对置的第二面。AlN单晶板在第一面与第二面之间的中间部，与第一面大致平行地存在分散地导入有多个金属成分的含金属成分区域。

公开(公告)号：CN112612149A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202011031274.9

申请日：2020-09-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  鹈野雄大 ,  近藤顺悟 ,  小林义政 ,  菱木达也 ,  小林博治

IPC: G02F1/035 ,  G02F1/03

Abstract: 本发明涉及一种光调制器用接合体、光调制器及光调制器用接合体的制造方法。在将由铌酸锂等形成的光波导用材料与支撑基板接合而成的光调制器用接合体及光调制器中，抑制光波导用材料因退火处理而开裂，并且，改善光调制器对频率的光响应特性。光调制器用接合体(6)具备支撑基板(4)；光波导用材料(7)，其由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成，并设置于支撑基板(4)上；以及光波导(8)，其存在于光波导材料(7)。支撑基板(4)由选自由氧化镁及镁－硅复合氧化物构成的组中的材质形成。

公开(公告)号：CN111868010A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201980005454.9

申请日：2019-03-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 小林义政 ,  小林博治 ,  柴田宏之

IPC: C04B35/581 ,  C30B29/38

Abstract: 提供一种氮化铝板，其具备表层和下层。该氮化铝板中，当从厚度方向对表层进行X射线衍射测定时的(002)晶面的衍射强度相对于(002)晶面的衍射强度与(100)晶面的衍射强度之和的比例为c面取向度c1，从厚度方向对表层以外的部位进行X射线衍射测定时的(002)晶面的衍射强度相对于(002)晶面的衍射强度与(100)晶面的衍射强度之和的比例为c面取向度c2，并且表层的(102)晶面的X射线摇摆曲线中的半值宽度为w1、表层以外的部位的(102)晶面的X射线摇摆曲线中的半值宽度为w2时，满足“式1：c1＞97.5％”、“式2：c2＞97.0％”、“式3：w1＜2.5”、“式4：w1/w2＜0.995”。

公开(公告)号：CN110088061A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201780073408.3

申请日：2017-12-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 小林义政 ,  小林博治 ,  饭田和希

IPC: C04B35/581

Abstract: 取向AlN烧结体的制法的第一工序中，在包含板面为c面、纵横尺寸比为3以上、平均厚度为0.05～1.8μm的板状AlN粉末的AlN原料粉末中混合烧结助剂，得到混合物，将该混合物成型，制作成型体，且该工序中，以所述板状AlN粉末的板面沿着所述成型体的表面的方式将所述混合物成型。第二工序中，对成型体的表面进行加压，同时，在非氧化气氛下，对成型体进行热压烧成，得到取向AlN烧结体。

公开(公告)号：CN101508567B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN200910007179.2

申请日：2009-02-13

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 小林义政 ,  胜田佑司

IPC: H01L21/687 ,  C04B35/505 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/505 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明提供一种氧化钇材料及其制造方法，能够进一步提高氧化钇材料的机械性强度。作为半导体制造装置用部件的静电卡盘(20)的基体(22)是由氧化钇材料构成，该氧化钇材料至少包括：氧化钇(Y2O3)、碳化硅(SiC)、以及含有RE(稀土类元素)、Si、O和N的化合物。该氧化钇材料含有以RE为La、Y等的RE8Si4N4O14作为含RE(稀土类元素)、Si、O和N的化合物。该RE8Si4N4O14是由作为原料的主成分的Y2O3和作为原料添加的Si3N4等在烧结过程中生成的化合物。通过氧化钇中含有的SiC及该化合物来提高机械性强度和体积电阻率。

公开(公告)号：CN104185615A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201380014127.2

申请日：2013-03-28

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 富田崇弘 ,  松岛洁 ,  井上胜弘 ,  小林义政

IPC: C04B38/00 ,  B01D53/86 ,  B01J27/224 ,  B01J35/04 ,  B01J37/34 ,  C04B35/565

CPC classification number: B01J29/70 ,  B01J21/16 ,  B01J27/224 ,  B01J35/04 ,  C04B35/565 ,  C04B35/6316 ,  C04B38/0006 ,  C04B2111/0081 ,  C04B2111/2084 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/349 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B38/0038

Abstract: 本发明提供耐热冲击性高的碳化硅质多孔体。本发明的碳化硅质多孔体含有碳化硅粒子、金属硅和氧化物相，碳化硅粒子彼此之间介由金属硅和氧化物相中的至少一种来结合。此外，氧化物相具有母相和分散相，所述分散相分散在母相中，且所述分散相的热膨胀率高于母相的热膨胀率。这里，氧化物相中的分散相的含有率的下限值优选为1质量％，氧化物相中的分散相的含有率的上限值优选为40质量％。此外，母相优选为堇青石，分散相优选为莫来石。

公开(公告)号：CN102060516B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201010552447.1

申请日：2010-11-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 泉有仁枝 ,  小林义政 ,  胜田佑司

IPC: B32B5/16 ,  C04B35/18 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/18 ,  C04B35/16 ,  C04B35/195 ,  Y10T428/12597 ,  Y10T428/257

Abstract: 本发明提供一种陶瓷烧结体，进一步降低烧成温度的同时更加提高了机械特性和谐振特性。本发明的陶瓷烧结体的制造方法，包括在一定条件下混合硅酸钡、氧化铝、玻璃材料和添加氧化物成形混合原料后，在850℃～1000℃进行烧成的工序。这时，混合平均粒径为0.3μm以上不到1μm范围的、比表面积在5m2/g～20m2/g范围内的单斜晶硅酸钡。另外，混合平均粒径为0.4μm～10μm、比表面积为0.8m2/g～8m2/g的且相对于硅酸钡在10体积％～25体积％范围内的氧化铝。该陶瓷烧结体含有硅酸钡成分、玻璃成分和添加氧化物的成分以及氧化铝粒子，具有在氧化铝粒子的外周存在有六方钡长石的微观结构。

公开(公告)号：CN101265101B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN200810095159.0

申请日：2008-03-12

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  国立大学法人长冈技术科学大学

Inventor： 小林义政 ,  胜田祐司 ,  阪井博明 ,  新原皓一 ,  中山忠亲

IPC: C04B35/505

Abstract: 本发明提供一种机械特性优良的氧化钇材料。本发明的发明人发现，通过在氧化钇(Y2O3)中添加碳化硅(SiC)和氟化钇(YF3)可使氧化钇材料韧性化，可提高用作半导体制造装置用构件时的成品率、操作性及可靠性。