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公开(公告)号:CN104591537A
公开(公告)日:2015-05-06
申请号:CN201410749401.7
申请日:2012-06-22
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C03C3/087 , C03B18/02 , C03C3/085 , C03C4/18 , C03C21/006 , C03C2204/00 , Y02P40/57
Abstract: 本发明提供一种能够有效地抑制化学强化后的翘曲,并且能够省略或简化化学强化前的研磨处理等的化学强化用浮法玻璃。本发明涉及一种化学强化用浮法玻璃,其具有在成形时与熔融金属接触的底面和与该底面相对的顶面,其中,顶面的深度5~10μm处的标准化氢浓度与底面的深度5~10μm处的标准化氢浓度之差的绝对值为0.35以下,底面的深度5~10μm处的平均H/Si强度相对于顶面的深度5~10μm处的平均H/Si强度之比为1.65以下,以及底面的深度5~30μm处的表层β-OH相对于顶面的深度5~30μm处的表层β-OH之比为1.27以下。
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公开(公告)号:CN104203860A
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201380017057.6
申请日:2013-03-18
Applicant: 旭硝子株式会社
Inventor: 宫坂聪史 , 中田英子 , 林泰夫 , 府川真 , 仁平敏史 , 白井正信 , 冈畑直树 , 中川浩司 , 山中一彦 , 渡边邦夫 , 谷井史朗 , 井川信彰 , 小林大介 , 宫下纯一 , 加藤亮祐
CPC classification number: C03C3/112 , C03C4/18 , C03C15/00 , C03C21/002 , C03C23/0055 , C03C23/008 , C03C2204/00 , Y10T428/24355 , Y10T428/315
Abstract: 本发明的目的在于提供能够有效地抑制化学强化后的翘曲、并且能够省略或简化化学强化前的研磨处理等的玻璃板。本发明涉及一种玻璃板,其为在厚度方向上相对的一个表面的氟浓度高于另一个表面的氟浓度的玻璃板,其满足式(1):0.07≤ΔF/ΔH2O。在此,氟浓度为深度1~24μm处的利用SIMS得到的平均氟浓度(摩尔%)。式(1)中,ΔF为从氟浓度高的表面的深度1~24μm处的利用SIMS得到的平均氟浓度(摩尔%)中减去氟浓度低的表面的深度1~24μm处的利用SIMS得到的平均氟浓度(摩尔%)而得到的值。式(1)中,ΔH2O为从氟浓度低的表面的深度1~24μm处的利用SIMS得到的平均H2O浓度(摩尔%)中减去氟浓度高的表面的深度1~24μm处的利用SIMS得到的平均H2O浓度(摩尔%)而得到的值的绝对值。
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公开(公告)号:CN104039730A
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201280063064.5
申请日:2012-12-11
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C03C17/245 , G09F9/00 , G09F9/30 , C03C21/00
CPC classification number: C03C17/245 , C03C17/25 , C03C21/00 , C03C21/002 , C03C2217/213 , C03C2218/1525 , Y10T428/315
Abstract: 本发明的目的在于提供一种化学强化用玻璃基板,其中,在玻璃基板的表面上形成有能够在短时间内成膜并且在成膜后能够进行化学强化处理的膜。本发明涉及一种化学强化用玻璃基板,其为通过浮法成形的玻璃基板,其中,在至少一个面上形成有包含H原子浓度处于1.0×1015~1.0×1019个原子/mm3范围的无机物的膜。
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公开(公告)号:CN101050064A
公开(公告)日:2007-10-10
申请号:CN200710096805.0
申请日:2007-04-03
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C03C17/007 , C03C2217/45 , C03C2217/475 , C03C2217/476 , C03C2218/11
Abstract: 一种涂敷有红外屏蔽膜的玻璃板,其包括玻璃基板和形成于其上的红外屏蔽膜,所述红外屏蔽膜包含分散在基质中的平均初级粒径最大为100纳米的细小ITO微粒,所述基质包含氧化硅作为主要组分,以Si的量为基准计,基质还包含至少2原子%的氮,所述红外屏蔽膜的膜厚度为200-3,000纳米。
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公开(公告)号:CN108137391A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201680059475.5
申请日:2016-10-11
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C03C15/00 , C03C3/085 , C03C3/087 , C03C3/091 , G02F1/1333
CPC classification number: C03C3/085 , C03C3/087 , C03C3/091 , C03C15/00 , G02F1/1333
Abstract: 本发明的目的在于提供一种从吸附台剥离时不容易产生剥离带电的显示器用玻璃基板及其制造方法。本发明的显示器用玻璃基板具有第一面和与该第一面相反侧的第二面,其中,上述第一面具有多个开口的孔,上述孔的平均开口面积为1.70×104nm2以下,并且上述孔的合计开口面积为6.00×106nm2/25μm2以上。
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公开(公告)号:CN107935376A
公开(公告)日:2018-04-20
申请号:CN201710952855.8
申请日:2017-10-13
Applicant: 旭硝子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种化学强化用玻璃,其特征在于,其为以氧化物基准的摩尔百分率表示含有50%~75%的SiO2、9%~20%的Al2O3、10%~20%的Na2O、0%~6%的K2O、0%~15%的MgO、总量(CaO+SrO+BaO)为0%~10%的CaO、SrO和BaO、总量(ZrO2+TiO2)为0%~5%的ZrO2和TiO2、0%~10%的B2O3和0%~20%的Li2O的玻璃板,并且上述玻璃板的截面的折射率的最大值与最小值之差(Δn)为2.0×10-5以下。
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公开(公告)号:CN105392750B
公开(公告)日:2018-04-10
申请号:CN201480041011.2
申请日:2014-07-15
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C03C21/002 , C03C3/087 , C03C23/0075
Abstract: 本发明涉及一种化学强化玻璃,其在玻璃表面具有进行了离子交换而形成的压应力层,其中,所述化学强化玻璃具有将上述压应力层的表面低密度化而形成的低密度层,上述低密度层的厚度为5nm以上且200nm以下,且上述低密度层的密度(D1)与存在于玻璃中心部且夹在上述压应力层之间的中间层的密度(D3)之比(D1/D3)为0.5以上且低于0.93。
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公开(公告)号:CN104203858B
公开(公告)日:2018-02-02
申请号:CN201380016799.7
申请日:2013-03-18
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C03C21/002 , C03C15/00 , C03C23/008 , Y10T428/31 , Y10T428/315
Abstract: 本发明的目的在于提供能够有效地抑制化学强化后的翘曲、并且能够省略或简化化学强化前的研磨处理等的玻璃板。本发明涉及一种玻璃板,其中,在使横轴为深度且使纵轴为F/Si强度比的利用二次离子质谱分析装置(SIMS)得到的深度方向分布曲线上,一个面的深度0~20μm处的深度方向分布曲线的平均值大于另一个面的深度0~20μm处的深度方向分布曲线的平均值,且两者之比大于1.4。
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公开(公告)号:CN104220388B
公开(公告)日:2017-05-03
申请号:CN201380019467.4
申请日:2013-04-04
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C03C21/007 , C03B18/20 , C03C3/087 , C03C3/093 , C03C15/02
Abstract: 本发明涉及如下的玻璃板,其为使连续供给至浮法槽内的熔融金属(例如熔融锡)上的熔融玻璃在熔融金属上流动而成形的玻璃板,其中,从在浮法槽内暴露于还原气氛的顶面起算的深度为0.3~0.5μm的位置处的玻璃的硫浓度为与从顶面起算的深度为3μm的位置处的玻璃的硫浓度同等以上。
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公开(公告)号:CN106458734A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201580026417.8
申请日:2015-05-18
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C03C23/00 , C03C15/02 , C03C19/00 , G02F1/1333 , G02F1/1335
CPC classification number: C03C15/02 , C03C19/00 , C03C23/00 , G02F1/1333 , G02F1/1335
Abstract: 本发明提供一种玻璃基板,由含有铝的硅酸玻璃构成,从通过X射线光电子光谱法测得的所述玻璃基板的内部的铝的原子浓度与硅的原子浓度之比的值减去通过X射线光电子光谱法测得的所述玻璃基板的表面的铝的原子浓度与硅的原子浓度之比的值而得到的值为0.25以下。
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