公开(公告)号：CN116250083A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202180061017.6

申请日：2021-07-27

Applicant: 普因特工程有限公司

Inventor： 安范模 ,  朴胜浩 ,  边圣铉

IPC: H01L23/525

Abstract: 本发明涉及一种阳极氧化膜材质的阳极氧化膜基板基底、包括配置在阳极氧化膜基板基底内部的垂直导电部的阳极氧化膜基板部、具有其的基于阳极氧化膜的中介层以及具有其的半体封装。

公开(公告)号：CN113466506A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110317894.7

申请日：2021-03-25

Applicant: 普因特工程有限公司

Inventor： 安范模 ,  朴胜浩 ,  边圣铉

IPC: G01R1/073

Abstract: 在根据本发明的探针头及包括其的探针卡中，可提供一种探针卡的探针头，包括：上部引导板，配置有上部引导孔洞；下部引导板，配置有下部引导孔洞；中间部引导板，配置有中间部引导孔洞，且配置在所述上部引导板与所述下部引导板之间；以及导引部件，配置在所述中间部引导板的一侧，所述中间部引导板通过所述导引部件限制移动。

公开(公告)号：CN113242973A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN201980081939.6

申请日：2019-11-26

Applicant: 普因特工程有限公司

Inventor： 安范模 ,  朴胜浩 ,  边圣铉

IPC: G01R1/073

Abstract: 本发明涉及一种执行晶片的电路检查的探针卡以及其制造方法，特别是涉及一种去除插入探针的工艺的探针卡以及其制造方法。

公开(公告)号：CN107492446B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201710426209.8

申请日：2017-06-08

Applicant: 普因特工程有限公司

Inventor： 安范模 ,  朴胜浩 ,  边圣铉

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/10

Abstract: 提供了一种三维(3D)电容器，其包括：以高密度形成在阳极氧化膜的孔内部的导体，以及电连接到导体的第一电极层和第二电极层。因此，可以容易地获得相对于3D电容器的尺寸而言的高的电容。

公开(公告)号：CN112611949A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202011015794.0

申请日：2020-09-24

Applicant: 普因特工程有限公司

Inventor： 安范模 ,  朴胜浩 ,  边圣铉

IPC: G01R31/28 ,  G01R1/073

Abstract: 本发明涉及一种探针卡，包含：第1板；第2板，结合到所述第1板的下部；上部导引板，设置到所述第1板的上表面；以及下部导引板，设置到所述第2板的下表面；且所述上部导引板及下部导引板中的至少一者包含阳极氧化膜材质，所述上部导引板及下部导引板的面积小于所述第1板及第2板的面积，因此所述第1板及第2板的表面露出。

公开(公告)号：CN111524844A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010069577.3

申请日：2020-01-21

Applicant: 普因特工程有限公司

Inventor： 安范模 ,  朴胜浩 ,  边圣铉

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种将微发光二极管(LED)从第一基板移送到第二基板的微LED转移头，特别是涉及一种可限制微LED转移头的下降位置的微LED转移头。

公开(公告)号：CN111511092A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010069591.3

申请日：2020-01-21

Applicant: 普因特工程有限公司

Inventor： 安范模 ,  朴胜浩 ,  边圣铉

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/46

Abstract: 根据本发明的多层布线基板以及包括其探针卡，多层布线基板的特征在于包括包含如下的多层布线基板：第一绝缘部，包括陶瓷材质的主体、贯通所述主体的第一通孔导体、与所述第一通孔导体连接的第一内部布线层以及第一连接垫；以及第二绝缘部，包括阳极氧化膜材质的主体、贯通所述主体的第二通孔导体、与所述第二通孔导体连接的第二内部布线层以及第二连接垫。

公开(公告)号：CN111415894A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN202010008613.5

申请日：2020-01-06

Applicant: 普因特工程有限公司

Inventor： 安范模 ,  朴胜浩 ,  边圣铉

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种将微发光二极管从第一基板移送到第二基板的微发光二极管转移头，尤其，涉及一种使吸附部位与吸附部位周边的材料不同而吸附并移送微发光二极管的微发光二极管转移头。

公开(公告)号：CN107727698B

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201710680079.0

申请日：2017-08-10

Applicant: 普因特工程有限公司

Inventor： 安范模 ,  朴胜浩 ,  边圣铉

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明涉及一种微传感器，尤其涉及一种连接到传感器电极的电阻器包括至少两个以上的电阻而可根据感测物质改变电阻器的电阻值的微传感器。

公开(公告)号：CN110797331A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201910692140.2

申请日：2019-07-30

Applicant: 普因特工程有限公司

Inventor： 安范模 ,  朴胜浩 ,  边圣铉

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明涉及一种微发光二极管构造体及其制造方法，涉及一种在微发光二极管与接合微发光二极管的目标基板之间包括将微发光二极管与目标基板电连接的各向异性导电膜的微发光二极管构造体及其制造方法。