成膜方法和成膜装置
    21.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101978097B

    公开(公告)日:2013-02-13

    申请号:CN200880023545.7

    申请日:2008-07-22

    CPC classification number: C23C24/04

    Abstract: 本发明的成膜方法包括下述工序:通过向保持了原料粉体(7)的第1室(8)间歇地导入输送气体(5),将原料粉体(7)和输送气体(5)混合从而生成第1气溶胶;通过向第2室(9)导入第1气溶胶从而生成第2气溶胶;以及通过向第3室(13)喷射第2气溶胶从而形成原料粉体(7)的膜。

    压电陶瓷组成物及使用它的压电器件

    公开(公告)号:CN1412149A

    公开(公告)日:2003-04-23

    申请号:CN02143590.1

    申请日:2002-10-11

    Inventor: 高桥庆一

    CPC classification number: H01L41/187 C04B35/453 C04B35/495

    Abstract: 是由包含组成是用一般式Sr1-x-yM1xM2yBi2(Nb1-aTaa)2-zTizO9(式中,M1是从Ca和Ba中选出的至少一个元素,M2是从由La、Y、Dy、Er、Yb、Pr、Nd、Sm、Eu及Gd组成的群中选出的至少一个元素)来表示,而且上述一般式中的x,y,z及a分别在0.0≤x<0.9;0.0<y<0.3;0.0≤z<0.3;0.0≤a≤1.0范围的陶瓷组成物的压电陶瓷组成物组成。由此提供不含铅而电机械耦合系数比现有的铋层状化合物大的压电陶瓷组成物以及采用它的压电器件。该压电器件10配有压电体11和被形成在压电体11的2个主面上的电极12a及12b。

    压电陶瓷组合物及用它制造的压电元件

    公开(公告)号:CN1219028A

    公开(公告)日:1999-06-09

    申请号:CN98123041.5

    申请日:1998-12-03

    CPC classification number: C04B35/491 C04B35/493 H01L41/187

    Abstract: 相对于250℃下短时热冲击变化,再恢复到室温,其前后压电特性变化很小的压电陶瓷组合物,特别是其共振频率数变化很小且其容量变化显著减小的压电陶瓷组合物,以及提供对于上述热变化其前后特性波形变化很小的压电元件。压电陶瓷组合物的制造方法特征是在由Pb、Ti和Zr的复合氧化物构成的主成分中,作为副成分,含有选自Y、Dy、Er、Ho、Tm、Lu和Yb的至少1种金属元素,以及Mn。以及用它制成的压电元件。

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