公开(公告)号：CN108751990A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810712825.4

申请日：2018-06-29

申请人： 广东工业大学

发明人： 鲁圣国 ,  钟米昌 ,  路标

IPC分类号： C04B35/491 ,  C04B35/622

CPC分类号： C04B35/491 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/96

摘要： 本发明属于储能陶瓷技术领域，尤其涉及一种锆钛酸铅镧陶瓷及其制备方法与应用。本发明提供了一种锆钛酸铅镧陶瓷，化学结构式为:Pb1‑xLax(Zr1‑yTiy)1‑x/4O3，其中，0.07≤x≤0.1125，0.18≤y≤0.3154。本发明还提供了一种上述锆钛酸铅镧陶瓷的制备方法，本发明还提供了一种上述锆钛酸铅镧陶瓷以及上述制备方法得到的锆钛酸铅镧陶瓷产品在微位移器件、固态制冷以及储能器件领域的应用。本发明提供的技术方案中，所制得的陶瓷晶粒大小均匀，结构致密，可以承受5MV/m的电场强度；进一步地经实验测定可得，所制得的陶瓷最大储能密度为0.611J/cm3，最大储能效率为88.99％。本发明提供的一种锆钛酸铅镧陶瓷及其制备方法与应用，解决了现有技术中，锆钛酸铅镧陶瓷存在着储能密度低和储能效率低的技术缺陷。

公开(公告)号：CN107226698A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710452782.6

申请日：2017-06-15

申请人： 华中科技大学

发明人： 范桂芬 ,  吴秋晨 ,  吕文中 ,  王晓川 ,  雷文 ,  曾子庆

IPC分类号： C04B35/491 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/37 ,  H01L41/39 ,  H01L41/43

CPC分类号： C04B35/491 ,  C04B35/622 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/88 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/768 ,  H01L41/183 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/37 ,  H01L41/43 ,  C04B41/4539 ,  C04B41/0072

摘要： 本发明公开了一种应用于水声换能器的压电陶瓷材料及其制备方法，该压电陶瓷材料的化学通式表示如下：Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)0.08Zr0.47Ti0.45O3+xwt％CeO2+ywt％Yb2O3+zwt％BiFeO3；式中Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)0.08Zr0.47Ti 0.45O3为基体陶瓷粉体，xwt％表示CeO2占所述基体陶瓷粉体的重量百分比，ywt％表示Yb2O3占所述基体陶瓷粉体的重量百分比，zwt％表示BiFeO3占所述基体陶瓷粉体的重量百分比，压电陶瓷材料的压电常数大于或等于300p C/N，机电耦合系数大于或等于0.56，在5kV/cm交流电场下的强场下的介电损耗最小为2.74％，机械品质因数大于或等于1301。本发明提供的压电陶瓷材料的压电性能和损耗性能均符合大功率水声换能器件的需求，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN107056294A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710364646.1

申请日：2017-05-22

申请人： 福州大学

发明人： 林枞 ,  王瀚瑶 ,  郭鸿豪 ,  许俊伸

IPC分类号： C04B35/491 ,  C04B35/622

CPC分类号： C04B35/491 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3251

摘要： 本发明公开了一种低铅挥发的PZT基三明治结构压电陶瓷的制备方法，以Pb(Zr0.52Ti0.48)O3为中间层，xPb(Zr0.52Ti0.48)O3‑(1‑x)Sr(K0.25Nb0.75)O3（x=0.95~0.98）为上下面层，通过多层模压进行三明治结构的成型，在1150～1225℃进行烧结，制备了铅挥发小于2.5wt%的层状压电陶瓷，本发明的成分及工艺步骤简单，易于操作，重复性好，本发明主要用于环保型压电变压器和换能器等。

公开(公告)号：CN103688319B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201280023571.6

申请日：2012-05-16

申请人： 于利希研究中心

发明人： 克里斯蒂安·皮萨安 ,  哈约托·卡兹 ,  温妮·瓦塞尔 ,  尤尔根·多恩赛弗尔

IPC分类号： H01C7/02 ,  C04B35/46

CPC分类号： H01C7/025 ,  B82Y30/00 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/54 ,  C01P2004/04 ,  C04B35/465 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/47 ,  C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/62222 ,  C04B35/624 ,  C04B35/62615 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/785

摘要： 本发明涉及一种用于带正温度系数的非线性电阻的半导体陶瓷材料的制造方法。其中，将具有钙钛矿结构的施主掺杂的铁电材料和通常的表达式为AxByO3的前体物质在1200℃的还原气体中烧结。其中，烧结材料的平均尺寸在亚微米范围内。然后，在其晶界将该烧结材料在600℃下再氧化。该前体物质的晶粒的平均主要晶粒尺寸在亚微米范围内，优选地，平均主要晶粒尺寸是50nm，进一步优选地，最大至20nm，及再进一步优选地，最大10nm。同样，使用该方法生产的半导体陶瓷材料的平均晶粒尺寸在亚微米范围内，这样优选地，80%的晶粒小于800nm，进一步优选地，小于300nm，再进一步优选地小于200nm。

公开(公告)号：CN106187182A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610582999.4

申请日：2016-07-23

申请人： 安阳华森纸业有限责任公司

发明人： 刘洁 ,  王竹

IPC分类号： C04B35/491 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88

CPC分类号： C04B35/491 ,  C04B35/64 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5116 ,  C04B41/88 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/96 ,  C04B41/4539

摘要： 本发明涉及PZT基压电陶瓷的制备方法，可有效解决PZT陶瓷的压电常数低、温度稳定性差和使用寿命短的问题，方法是，将PZT粉末和MnO2粉末混合在一起，加水，球磨，成浆料，烘干，加入粘合剂，成坯料，压制成型，排塑，烧结，得到压电陶瓷，打磨，涂上银浆，在两个表面形成银电极，然后放在硅油中，电场极化5-60min，即成PZT基压电陶瓷。本发明原料丰富，组方科学，制备方法简单，产品性能优异，提高了压电参数，使用寿命长，是压电陶瓷材料上的一大创新。

公开(公告)号：CN106133933A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580015884.0

申请日：2015-03-23

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 土井利浩 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC分类号： H01L41/187 ,  C01G25/00 ,  H01L41/318

CPC分类号： C04B35/491 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/54 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/63444 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

摘要： 本发明的掺杂Ce的PZT系压电膜由以通式：PbzCexZryTi1‑yO3表示的掺杂Ce的复合金属氧化物构成。并且，上述通式中的x、y及z分别满足0.005≤x≤0.05、0.40≤y≤0.55及0.95≤z≤1.15。而且，上述掺杂Ce的PZT系压电膜的极化量的磁滞优选由其中心向负侧偏移4kV/cm以上。

公开(公告)号：CN105788864A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610110669.5

申请日：2016-02-29

申请人： 湘潭大学

发明人： 肖永光 ,  王江 ,  马东波 ,  唐明华

IPC分类号： H01G7/06 ,  C04B35/491 ,  C04B35/622 ,  C04B35/624

CPC分类号： H01G7/06 ,  C04B35/491 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/624

摘要： 本发明公开了一种提高PZT铁电薄膜负电容的方法。本发明包括以下步骤：①前驱体溶液的配置：配置不同锆钛比的Pb(Zr1?xTix) O3溶液；②用溶胶?凝胶法制得PZT铁电薄膜电容器；③对PZT铁电薄膜电容器进行电学性能分析。本发明通过分析锆钛比对PZT铁电薄膜电容器电学性能的影响，得到提高PZT铁电薄膜负电容的最佳比率。本发明提出了一种提高PZT铁电薄膜负电容的有效方法，对低电压、低功耗MOS结构场效应晶体管的设计具有非常重要的指导意义。

公开(公告)号：CN105645957A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610029250.7

申请日：2016-01-14

申请人： 广东捷成科创电子股份有限公司

发明人： 姜知水 ,  欧明 ,  文理

IPC分类号： C04B35/491 ,  H01L41/187 ,  H01L41/43

CPC分类号： C04B35/491 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/96 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/43

摘要： 本发明提供了一种高机电耦合性能锆钛酸铅细晶压电陶瓷，其分子式为Pb1-x-y-zBaxNbyNiz（ZraTi1-a）O3，其中0＜x≤0.1，0＜y≤0.08，0＜z≤0.08，0.51＜a≤0.6。本发明通过采用钡、铌、镍对锆钛酸铅压电陶瓷进行改性，获得了一种改性的高性能压电陶瓷。特别是当Pb1-x-y-zBaxNbyNiz（ZraTi1-a）O3，取代量x =0.06，y=0.05，z=0.03，a=0.55，合成反应温度为850℃时，获得的改性的压电陶瓷综合压电性能最好，其中，介电常数为3600，压电系数d33为620pC/N，机电耦合系数kp值为80%，介电损耗小于1%，平均晶粒控制在2-4微米，在保持较高的压电性能的同时具有优异的机械性能。相应的，本发明还提供了该细晶压电陶瓷的制备方法。

公开(公告)号：CN103430341B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201180047368.8

申请日：2011-10-13

申请人： H.C.材料公司

发明人： P·韩 ,  J·田 ,  K·曼尼欧 ,  B·斯通

IPC分类号： H01L41/16 ,  H01L41/02

CPC分类号： H01L41/183 ,  A61B8/00 ,  A61B8/4483 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2004/03 ,  C04B35/491 ,  C04B35/495 ,  C04B35/499 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/96 ,  C30B29/30 ,  C30B29/32 ,  G03H3/00 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/332 ,  H01L41/338 ,  H03H9/02015 ,  Y10T29/42

摘要： 本发明一般涉及高频压电晶体复合材料、用于制造高频压电晶体复合材料的装置和方法。在适应性的实施方案中，包含成像换能器组件的用于高频(＞20MHz)应用的改进的成像装置、尤其是医学成像装置或距离成像装置与信号图像处理器耦合。另外，所提出的发明提供了用于基于光刻法的微加工压电晶体复合材料的系统及其使得性能参数改进的应用。

公开(公告)号：CN103958438B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201280056588.1

申请日：2012-11-21

申请人： 株式会社村田制作所 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

发明人： 三轮恭也 ,  川田慎一郎 ,  木村雅彦 ,  铃木达 ,  打越哲郎 ,  目义雄

IPC分类号： C04B35/491 ,  H01L41/187 ,  H01L41/39

CPC分类号： H01L41/1876 ,  C01G23/003 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/32 ,  C01P2006/10 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/653 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/5204 ,  C04B2235/528 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787 ,  H01L41/43

摘要： 本发明提供作为具有钙钛矿结构的化合物而包含Pb(Ti，Zr)O3系化合物的压电取向陶瓷及其制造方法。本发明的压电取向陶瓷是包含具有钙钛矿结构的Pb(Ti，Zr)O3系化合物的压电取向陶瓷。该压电取向陶瓷是基于压电取向陶瓷的规定的截面的X射线衍射图样、利用Lotgering法计算出的取向度为0.64以上的高取向，且烧结密度为理论密度的85％以上的压电取向陶瓷。