公开(公告)号：CN103080366B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201280002579.4

申请日：2012-06-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 冈崎祯之 ,  本田和义

IPC: C23C14/24

CPC classification number: H01M10/04 ,  C23C14/24 ,  C23C14/243 ,  C23C14/562

Abstract: 一种加热装置，其具备：应在真空中被加热的被加热体；构成为能够从被加热体分离、并且在自身与被加热体之间形成有间隙的加热体；和用于向间隙导入传热气体的气体导入路径。被加热体通过传热气体由加热体加热。加热装置的例子是蒸着装置（30）。被加热体的例子是保持蒸镀材料，并且具有供蒸发了的蒸镀材料通过的开口部的贮藏容器（9）。加热体的例子是可拆装地收纳贮藏容器（9）、并且为了对贮藏容器（9）内的蒸镀材料进行加热而具有加热器（20）的加热容器（10）。气体导入路径的例子是气体导入管（11）。

公开(公告)号：CN102113162B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200980130297.0

申请日：2009-07-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 八木弘雅 ,  本田和义

IPC: H01M10/40 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/38 ,  H01M4/50 ,  H01M4/52

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M4/0423 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/382 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/027 ,  Y10T29/49108 ,  Y10T29/49115

Abstract: 在负极集电体(1)上形成含有选自硅、锗和锡中的至少一种元素的负极活性物质层(3)。通过在负极活性物质层(3)上形成锂金属层而准备负极(11)。准备具有在正极集电体(5)上形成有正极活性物质层(6)的构成的正极(11)，所述正极活性物质层(6)含有由通式Li1-xMO2表示的复合氧化物，其中，0.2≤x≤0.6，M包含选自钴、镍和锰中的至少一种过渡金属。使用负极(13)、正极(11)和隔板(4)组装锂二次电池(100)。

公开(公告)号：CN102084022B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200980125968.4

申请日：2009-07-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神山游马 ,  本田和义 ,  篠川泰治

IPC: C23C14/24

CPC classification number: C23C14/246 ,  C23C14/20 ,  C23C14/562 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/1395 ,  H01M6/40 ,  H01M10/052

Abstract: 使从蒸发源(9)飞来的粒子在真空中的规定的成膜位置(33)沉积于基板(21)上使得在基板(21)上形成薄膜。在使含有薄膜的原料的块状材料(32)在蒸发源(9)的上方熔化的同时，将熔化了的材料以液滴(14)的形式向蒸发源(9)供给。作为块状材料(32)，使用内包有多个孔隙的硅材料(32)。优选孔隙具有比大气压低的平均内部压力。更优选平均内部压力为0.1大气压以下。

公开(公告)号：CN102725436A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201180007045.6

申请日：2011-01-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义 ,  涩谷聪 ,  篠川泰治 ,  冈崎祯之 ,  内田纪幸 ,  天羽则晶

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/24

CPC classification number: C23C14/30 ,  C23C14/541 ,  C23C14/562 ,  C23C14/564 ,  C23C16/466 ,  C23C16/545

Abstract: 成膜装置（20A）的输送系统（50A）包括具有将冷却气体向基板（21）供给的功能的吹风辊（6）。吹风辊具有第一壳体（11）和内块（12）。第一壳体（11）具有作为气体的供给路径的多个第一贯通孔（13），能与基板（21）同步地旋转。内块（12）配置在第一壳体（11）的内部。由内块（12）在第一壳体（11）的内部规定歧管（14）。歧管（14）形成为在接触角的范围内向多个第一贯通孔（13）导引气体。在第一壳体（11）的内部，还形成有在接触角的范围外与多个第一贯通孔（13）相对向的间隙部（15）。在径向上，歧管（14）具有相对较大的尺寸，间隙部（15）具有相对较小的尺寸。

公开(公告)号：CN101946021B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200980105706.1

申请日：2009-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 筱川泰治 ,  本田和义 ,  神山游马 ,  山本昌裕 ,  柳智文

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/56

CPC classification number: C23C14/562 ,  C23C14/24 ,  C23C14/541 ,  C23C16/466

Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置。该薄膜形成装置(100)具有：真空槽(1)；设置在真空槽(1)内并向面对成膜源(27)的规定成膜位置(4)供给长条的衬底(8)的衬底输送机构(40)；环形带(10)，其能够与由衬底输送机构(40)进行的衬底(8)的供给相对应地运行，并以在直线输送中的衬底(8)的表面上形成薄膜的方式沿着环形带(10)自身的外周面限定成膜位置(4)处的衬底(8)的输送路径；形成在环形带(10)上的贯通孔(16)；衬底冷却单元(30)，其从运行中的环形带(10)的内周侧通过贯通孔(16)向环形带(10)和衬底(8)的背面之间导入冷却气体。

公开(公告)号：CN101932748B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200980103569.8

申请日：2009-02-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 冈崎祯之 ,  本田和义

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/56 ,  H01M4/04

CPC classification number: C23C14/225 ,  C23C14/562 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/058

Abstract: 本发明提供一种同时形成锂二次电池的集电引线形成部和电极活性物质部、批量生产性优异的真空蒸镀装置。在将闸门(12a、12b)关闭的状态下，将卷绕于第一辊(3)的基板(4)送出，向第二辊(8)搬送，直至到达第一和第二能够蒸镀区域(60a、60b)时停止。在此，打开闸门(12a)，使蒸发源(9)的坩埚内的蒸镀原料蒸发，向位于第一能够蒸镀区域(60a)的基板(4)的表面供给。由此，在基板(4)的表面形成第一层蒸镀膜。以规定时间在基板(4)进行蒸镀之后，关闭闸门(12a)。接着再次搬送基板(4)，使在第一能够蒸镀区域(60a)蒸镀形成的部分停止于第二能够蒸镀区域(60b)的位置。打开闸门(12a、12b)，再次进行蒸镀，在第一能够蒸镀区域(60a)形成第一层，并且在第二能够蒸镀区域(60b)，在第一层之上形成与第一层成长方向不同的第二层蒸镀膜。

公开(公告)号：CN101889103B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200880119323.5

申请日：2008-11-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 篠川泰治 ,  本田和义 ,  神山游马 ,  山本昌裕 ,  柳智文

IPC: C23C14/56 ,  G11B5/85 ,  G11B5/851 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/541 ,  C23C14/562 ,  G11B5/85

Abstract: 本发明的提供一种薄膜形成装置和薄膜形成方法。在使用气体冷却的成膜方法中，达成充分的冷却效果，并且避免气体导入引起的成膜率的降低和对真空泵的过大的负荷。本发明的薄膜形成装置包括在薄膜形成区域(14)中接近基板(7)的背面配置的冷却体(10)；将气体向冷却体(10)与基板(7)的背面之间导入的气体导入机构；接近基板(7)的背面，将薄膜形成区域(14)分割为第一薄膜形成区域(14a)和成膜速度比第一薄膜形成区域(14a)低的第二薄膜形成区域(14b)，且维持冷却体(10)与基板(7)的间隙的间隙维持机构(11)。冷却条件被设定为第一区域(14a)的冷却量比第二区域(14b)的冷却量大。

公开(公告)号：CN101668701B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200880014009.0

申请日：2008-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神山游马 ,  本田和义 ,  筱川泰治 ,  八木弘雅 ,  柳智文 ,  别所邦彦

IPC: C01B33/037 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24

CPC classification number: C01B33/037

Abstract: 一种金属硅的精制方法，其中准备金属硅，该金属硅含有1000ppm～10000ppm的重量比的铝且硅的浓度为98重量％～99.9重量％；和在压力为100Pa～1000Pa的惰性气氛中将所述金属硅加热到1500℃～1600℃并保持一定时间。

公开(公告)号：CN102224620A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201080003312.8

申请日：2010-01-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神山游马 ,  本田和义 ,  篠川泰治 ,  柳智文

IPC: H01M4/139 ,  H01G9/058 ,  H01M4/13 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395

CPC classification number: H01M4/485 ,  H01G11/28 ,  H01G11/50 ,  H01G11/70 ,  H01G11/86 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  Y02E60/13 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明提供电化学元件用电极的制造方法、电化学元件用电极和电化学元件，其涉及制造电化学元件用电极，能够提供容易且可靠地除去在真空中生成的、活性物质层表面的突起物的方法。在电化学元件用电极的制造中，进行在集电体上通过真空处理形成能够吸藏和放出锂的活性物质层的第一工序；使上述活性物质层吸藏锂的第二工序；和将上述吸藏了锂的活性物质层表面的突起物除去的第三工序。

公开(公告)号：CN101496199B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200780028346.0

申请日：2007-10-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 涩谷聪 ,  武泽秀治 ,  本田和义 ,  佐藤俊忠

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/70 ,  H01M4/48

CPC classification number: H01M4/02 ,  H01M4/134 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/027

Abstract: 非水电解质二次电池用负极100具有集电体1、以及在集电体1表面间隔形成的多个活性物质体2，各活性物质体2含有吸藏和释放锂的材料，在各活性物质体2侧面的一部分上形成有多个突起3。