电磁操作装置
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1725407A

    公开(公告)日:2006-01-25

    申请号:CN200510084204.9

    申请日:2005-07-15

    CPC classification number: H01H33/6662 H01H33/022 H01H2033/6667

    Abstract: 本发明涉及一种抑制与三相的真空阀向对应的各主轴动作的差异、并实现三相之间的同步的电磁操作装置。其具有与三相的各相的真空阀(1)成对地设置的电磁操作器(4),并具有能按每一相动作的主轴(2)以及与各主轴的动作相连并取得三相之间的动作同步的三相连接轴(3)。电磁操作器(4)的杆(44)在支点(46)与主轴(2)的叶片(45)相连,三相连接轴(3)的叶片(47)用连接部(7)与主轴(2)的叶片(45)连接。最初动作的主轴(2)的动作通过连接轴(3)被传递到其他主轴,并取得三相之间的同步。

    真空开关设备
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1551271A

    公开(公告)日:2004-12-01

    申请号:CN200410038346.7

    申请日:2004-05-19

    Abstract: 本发明涉及真空开关设备。本发明的目的是实现在不加大开关主体的容积的条件下,便能防止截止性能的降低。在外侧真空容器(10)的内部,容纳有多个内侧真空容器(70,72,74),在各内侧真空容器(70,72,74)内容纳有与可动电极杆(30,32,34)相连的可动电极(118,120,122),同时,容纳有与固定电极杆(60,62,64)相连的固定电电极(124,126,128),在构成各个内侧真空容器(70,72,74)的可动电极一侧的金属板(88,90,92)上分别形成贯通孔(100,102,104),从而在外侧真空容器(10)的内部和各内侧真空容器(70,72,74)的内部形成相同的真空压力。

    真空开关
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1452197A

    公开(公告)日:2003-10-29

    申请号:CN03101516.6

    申请日:2003-01-16

    Abstract: 本发明的目的在于,提供一种提高容纳在真空容器内部的部件的组装操作性、使真空容器的形状简单、容器内部的部件组装容易的真空开关。本发明的真空开关是,在真空容器内设置接地开关、负荷开闭器、和在所述真空容器的内外部电连接的外部连接导体;所述接地开关和外部连接导体在所述真空容器内电气接合;所述真空容器由两端开口的壳体部,和与所述壳体部的所述开口部接合的盖子的接合构造形成。

    真空绝缘开关机构
    28.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101465236B

    公开(公告)日:2012-04-18

    申请号:CN200810186005.2

    申请日:2008-12-18

    Abstract: 本发明的课题是抑制在采用了固体绝缘方式的真空绝缘开关机构的固体绝缘材料之间的接合界面上施加高电场而引起的绝缘破坏。本发明的真空绝缘开关机构,在真空容器内容纳固定接点和与该固定接点可接离的可动接点,并具备:向接离方向驱动可动接点的驱动机构;在真空容器的周围模制而成的模制树脂;与固定接点及可动接点连接并覆盖从模制树脂引出的导体的引出部而形成的绝缘性的衬套(13、14);覆盖与引出部的导体连接的电缆接头(5、6)的导体并覆盖衬套(13、14)的外周而设置的外表面接地的电缆接头(5、6)的绝缘部件,在衬套(13、14)的内部的与电缆接头绝缘部件的前端部相对的位置上,埋入已接地的导电部件(17、18)。

    真空断路器用电气接点及其制法

    公开(公告)号:CN1892956B

    公开(公告)日:2010-12-29

    申请号:CN200610100284.7

    申请日:2006-07-06

    Abstract: 本发明的目的是,提供兼备开断性能和低电涌性能、且多次断路所导致的性能恶化小的电气接点。作为电气接点,由Cr和Cu或Ag中的任意一种和碳化物形成,在以Cu或Ag中任意一种作为主成分的基体中,使用形成周围以碳化物包围的Cr分散的组织的成分。另外,其特征是含有1~30重量%碳化物,其余部分为Cu,另外,其特征是由Cr、Cu和碳化物形成,Cr和碳化物的重量比在1∶1.5~50的范围内。通过包含Cr和Cu或Ag中任意一种,得到充分的开断性能,另外,通过电流开断时的碳化物的升华现象,可以减小截断电流,同时促进电弧驱动,发挥出色的开断性能。而且该碳化物,通过主要包围Cr的周边而存在,可以确保以Cu或Ag中的任意一种为主成分的基体的通电性能,发挥提高所述的低电涌性能的作用。

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