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    真空断路器用电极材料的制造方法、真空断路器用电极材料和真空断路器用电极
    2.
    发明授权
    真空断路器用电极材料的制造方法、真空断路器用电极材料和真空断路器用电极 失效 转让

    公开(公告)号：CN103038376B

    公开(公告)日：2014-12-03

    申请号：CN201180031314.2

    申请日：2011-06-20

    申请人： 株式会社明电舍

    发明人： 野田泰司 ,  佐藤裕昌

    IPC分类号： C22C1/04 ,  B22F1/00 ,  B22F3/26 ,  C22C9/00 ,  C22C27/04 ,  C22C30/02 ,  H01H33/664

    CPC分类号： H01H1/0206 ,  B22F3/26 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/0425 ,  C22C1/0491 ,  C22C9/00 ,  C22C27/04 ,  C22C30/02 ,  H01B1/02 ,  H01B13/0036 ,  H01H1/06 ,  H01H33/6642 ,  B22F1/0003 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10

    摘要： 本发明提供可提高耐电压，大电流隔断性能，电容器开闭性能的真空断路器用电极材料的制造方法，真空断路器用电极材料和真空断路器用电极。真空断路器用电极材料通过混合步骤，按压烧结步骤，与Cu渗透步骤而制造。在混合步骤，使其粒径在0.8～6μm的范围内的Mo粉末和其粒径在40～300μm范围内的铝热反应Cr粉末按照混合比例为Mo∶Cr＝1∶1～9∶1，并且混合重量为Mo≥Cr的方式均匀地混合。在按压烧结步骤，按照1～4t/cm2的按压压力对通过上述混合步骤混合的混合物加压成形，形成成形体，并且对上述成形体，进行在1100～1200℃的温度下保持1～2个小时的烧结，制作临时烧结体。在Cu渗透步骤，在通过按压烧结步骤形成的临时烧结体上设置Cu薄板，在1100～1200℃的温度下，保持1～2个小时，将Cu液相烧结，渗透于临时烧结体中。真空断路器用电极材料的接触件采用中间部件，与外周部件而成一体地构成，在该中间部件中，其粒径在20～150μm的范围内的Cu的含量在30～50wt%，其粒径在1～5μm范围内的Mo—Cr的含量在50～70wt%的范围内，该外周部件由与上述中间部件的相性良好，高隔断性能的高耐电压材料制造，设置而固接于上述中间部件的外侧的Cu—Cr材料制作。

    高电压单断口真空灭弧室
    4.
    发明授权
    高电压单断口真空灭弧室 失效

    公开(公告)号：CN102254734B

    公开(公告)日：2013-10-16

    申请号：CN201110182291.7

    申请日：2011-06-30

    申请人： 西安交通大学

    发明人： 刘志远 ,  耿英三 ,  王建华 ,  张胜

    IPC分类号： H01H33/664

    CPC分类号： H01H1/0206 ,  H01H33/02 ,  H01H33/6644 ,  H01H2033/66292

    摘要： 一种高电压单断口真空灭弧室，通过第一导电杆和第二导电杆分别从中空外壳的顶部和中空外壳的底部竖直伸入该中空外壳内，第一导电杆和第二导电杆伸入中空外壳内的端部分别设置有竖直间隔相对的静触头和动触头，避免了额定电流承载能力低以及采用四节瓷壳不适宜大直径陶瓷外壳情况的缺点，真正实现了一种高额定电流、高分断能力以及高绝缘能力的高电压单断口真空灭弧室，实现了将分断短路电流与通载额定电流两个功能在一个装置内分开，在不增加触头体积的情况下即保证真空灭弧室的开断能力又提高真空灭弧室的承载电流能力。同时由于采用了多重屏蔽罩系统和触头背部屏蔽罩系统，具有优异的绝缘耐压性能。

    用于制造接触件的方法以及接触件
    6.
    发明授权
    用于制造接触件的方法以及接触件 有权 转让

    公开(公告)号：CN101427334B

    公开(公告)日：2012-05-30

    申请号：CN200780014140.2

    申请日：2007-04-20

    申请人： ABB技术股份公司

    发明人： D·根奇

    IPC分类号： H01H33/66 ,  H01H1/02

    CPC分类号： H01H33/6643 ,  H01H1/0206

    摘要： 本发明涉及一种用于制造接触件的方法以及一种用于低、中、高压开关装置及发电机开关装置的接触件。为更为经济地实现同类接触件的制造方法，按本发明的建议，在结晶器铸造-制造过程中接近接触件最终轮廓地浇铸接触件，其中首先将原料在坩锅中熔化，并且接着浇铸到金属结晶器中，在所述结晶器中事先置入肋片，所述肋片留下槽。

    真空阀
    10.
    发明公开
    真空阀 失效

    公开(公告)号：CN1166232A

    公开(公告)日：1997-11-26

    申请号：CN96191162.X

    申请日：1996-09-04

    申请人： 株式会社东芝

    发明人： 渡边宪治 ,  内山工美 ,  影长宜贤 ,  佐藤纯一 ,  金子英治 ,  本间三孝 ,  染井宏道

    IPC分类号： H01H33/66

    CPC分类号： H01H33/6644 ,  H01H1/0206 ,  H01H33/185 ,  H01H33/6645

    摘要： 本发明公开了一种真空阀，在其电极中心外加磁通密度Bct，该磁通密度在轴向磁通密度Bcr的0.75～0.9倍的范围内，该轴向磁通密度Bcr是相对于各断路电流在电极间的电弧电压为最低时的轴向磁通密度。并且，从电极中心向电极外周部使轴向磁通密度单调增加。在这里，外加产生最低电弧电压Vmin的轴向磁通密度Bcr的半径位置在电极半径20～40％的范围内。轴向磁通密度从该范围更向外部走时进一步单调增加，在电极半径的70％以上的外面的区域取得极大值Bp。该极大值Bp在电极中心磁通密度Bct的1.4～2.4倍的范围内。另外，在电极外周区域轴向磁通密度为最大的半径位置处的轴向磁通密度在电极圆周方向的分布呈凹凸变化。该在圆周方向的轴向磁通密度在全周内至少呈现2个峰值地进行分布。在这里，圆周方向的磁通密度分布的最大值Bmax与最小值Bmin在电极中心部的轴向磁通密度Bct的1.4～2.4倍的范围内。