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公开(公告)号：CN114846318B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202080089473.7
申请日：2020-12-14
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
IPC: G01N21/27 , G01N21/956
Abstract: 本发明在分光成像中的分析结果的可视化时，能够进行高准确性的分析。一种表面分析方法，其具有如下工序：使用分光相机来获取试样表面的分光图像数据的工序；提取所获取的分光图像数据中的分散于特定波长范围内的n个波长，并将分光图像数据中的各波长的光谱按每个像素设为n维的空间向量的工序；对每个像素的空间向量进行标准化的工序；使标准化的空间向量在特定数量的分类中进行聚类的工序；及按每个分类识别显示在分类中聚类的像素的工序。
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公开(公告)号：CN115699243B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202180042279.8
申请日：2021-06-29
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
IPC: H01J37/18 , H01J37/20 , H01J37/28 , H01J37/317
Abstract: 提供一种聚焦离子束装置，其具备差动排气装置和聚焦离子束柱状体，还具备：真空垫，其使吸入面露出以围绕被处理基板的面方向的外侧，且由多孔质材料构成；基板支承台，其载置所述被处理基板和所述真空垫；以及真空泵，其对所述真空垫进行真空吸引，当所述差动排气装置的头部向所述被处理基板的面方向的外侧移动时，所述吸入面进行该吸入面与所述头部之间的空间的吸气，所述聚焦离子束装置无需大的真空腔室，对被处理基板的周缘附近也能进行处理，能够增大被处理基板中的处理区域。
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公开(公告)号：CN115699243A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180042279.8
申请日：2021-06-29
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
IPC: H01J37/18 , H01J37/20 , H01J37/28 , H01J37/317
Abstract: 提供一种聚焦离子束装置，其具备差动排气装置和聚焦离子束柱状体，还具备：真空垫，其使吸入面露出以围绕被处理基板的面方向的外侧，且由多孔质材料构成；基板支承台，其载置所述被处理基板和所述真空垫；以及真空泵，其对所述真空垫进行真空吸引，当所述差动排气装置的头部向所述被处理基板的面方向的外侧移动时，所述吸入面进行该吸入面与所述头部之间的空间的吸气，所述聚焦离子束装置无需大的真空腔室，对被处理基板的周缘附近也能进行处理，能够增大被处理基板中的处理区域。
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公开(公告)号：CN115461833A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180029913.4
申请日：2021-05-31
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H01J37/18 , H01J37/16 , H01J37/28 , H01J37/305 , H01J37/317 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 差动排气装置将处理用空间设为高真空度，其中，所述差动排气装置具备：位移驱动部，其能够使头部或被处理基板进行位移来调整被处理面与所述头部的对置面的平行度及距离；间隙测定部，其沿着所述头部的所述对置面的周缘分别配置在至少三个部位以上，能够检测所述对置面与所述被处理面之间的距离；以及间隙控制部，其基于所述间隙测定部检测出的所述对置面与所述被处理面之间的距离信息来控制所述位移驱动部，以使得所述对置面与所述被处理面隔开规定的距离而成为平行。
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公开(公告)号：CN107615451B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201680028396.8
申请日：2016-05-13
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种激光退火方法，用激光(L)照射覆盖于基板(5)上的非晶体硅薄膜(7)而形成多晶硅，其中，变更上述激光(L)照射到上述非晶体硅薄膜(7)上的照射区域来多重照射，产生多晶硅的晶粒直径沿着上述激光(L)的照射区域的至少中心线(C)从中央部朝向侧端部变小的粒径分布。由此，能够实现能够通过简单的工序减少漏电电流的激光退火方法。
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公开(公告)号：CN110998795A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880051904.3
申请日：2018-07-27
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H01L21/268 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明的一个实施方式的激光照射装置的特征在于，具备：光源，其产生激光；投影透镜，其向被覆于基板上的非晶硅薄膜的规定的区域照射激光；及投影掩模图案，其设置在投影透镜上，并设有多个开口部以对于非晶硅薄膜的规定的区域照射激光，投影透镜经由投影掩模图案而对于沿规定的方向移动的基板上的非晶硅薄膜的规定的区域照射激光，投影掩模图案在与移动的方向正交的一列中，至少相邻的开口部的面积互不相同。
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公开(公告)号：CN110114855A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201780079804.7
申请日：2017-12-27
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
IPC: H01L21/268 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 玻璃基板包含的多个薄膜晶体管的特性有可能产生偏差。本发明的一个实施方式的激光照射装置的特征在于，具备：光源，其产生激光；投影透镜，其对非晶硅薄膜的规定的区域照射该激光，该非晶硅薄膜分别粘附于沿规定方向移动的玻璃基板上的多个薄膜晶体管；以及投影掩模图案，其设置于该投影透镜上，具有分别包含规定数量的开口部的多个列、即与该规定方向平行设置的多个列，该投影透镜经由该投影掩模图案而照射该激光，该投影掩模图案的该规定数量的开口部的至少一部分在各个该多个列中未被配置在与该规定方向平行的一条直线上。
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公开(公告)号：CN109716532A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780056959.9
申请日：2017-09-04
Applicant: 株式会社V技术 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种氧化物半导体装置及其制造方法。具备由氧化物半导体构成的活性层区域的氧化物半导体装置中，可提高施加压力时的稳定性。氧化物半导体装置具备由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)的氧化物半导体构成的活性层区域，该活性层区域中，在以数密度为1×1016～1×1020cm-3的范围内含有选自第4族元素的钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)或第14族元素的碳(C)、硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)的元素。
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公开(公告)号：CN105829572B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201480069390.6
申请日：2014-12-04
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
IPC: C23C14/04
Abstract: 本发明提供成膜掩膜的制造方法，向树脂制的膜片(20)照射激光(L)而形成俯视下呈多边形的开口图案(4)，通过将使用光束整形用掩膜(10)进行整形的激光(L)向上述膜片(20)照射，来形成具有以开口从上述膜片(20)的与上述激光(L)的照射面相反的一侧朝向上述照射面侧扩大的方式倾斜的至少一对对置侧壁(4a)的开口图案(4)，其中光束整形用掩膜(10)具有供上述激光透过的透光窗(18)，且在该透光窗(18)的外侧使该透光窗(18)的至少一对边的侧方区域的透光率，随着从上述透光窗的边缘部朝向侧方逐渐减小。
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公开(公告)号：CN105555991B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201480051077.X
申请日：2014-09-18
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
CPC classification number: G06F3/041 , C23C14/042 , C23C14/086 , C23C14/34 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明提供成膜掩模以及触摸面板基板。本发明构成为具备树脂掩模(5)与磁性金属部件的金属掩模(11)，其中，所述树脂掩模(5)与成膜于基板上的薄膜图案相对应地形成有开口图案(4)，所述金属掩模(11)形成有尺寸为内包上述开口图案(4)的尺寸的贯通孔(13)，并以在与上述树脂掩模(5)之间设置缝隙(9)的方式设置于上述树脂掩模(5)的一面侧。
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