公开(公告)号：CN109824519A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201910157988.5

申请日：2019-03-02

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 王吉林 ,  毛文慧 ,  龙飞 ,  郑国源 ,  周炳 ,  莫淑一 ,  陈明光 ,  邹正光

IPC: C07C211/10 ,  C07C209/74 ,  C07C209/00 ,  C30B29/12 ,  C30B7/10

Abstract: 本发明公开了一种通过掺杂工程来调节碘铋乙二胺杂化材料形貌、带隙和稳定性的方法。本发明的目的在于对杂化材料(NH3CH2CH2NH3)Bi2I10进行金属元素掺杂来调节其形貌、光学带隙以及稳定性的方法研究，最终获得不同带隙值的杂化材料，进而可应用在有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池以及半导体材料领域。本发明是针对之前制备的窄带隙有机-无机低维杂化材料(NH3CH2CH2NH3)Bi2I10的带隙进行一定范围的调节。本发明具有合成工艺简单、反应条件温和、成本低廉、重复性好、光学带隙比较宽的范围内连续可调、稳定性高等优点，具有较好的产业化前景。

公开(公告)号：CN112968059B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202110154220.X

申请日：2021-02-04

Applicant: 宁波海特创电控有限公司 ,  桂林理工大学

Inventor： 翁加付 ,  周炳

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供一种新型增强型GaN HEMT器件结构，由如下步骤制备而成：外延生长；PN结栅叠层生长；Si基GaN外延晶片清洗；光刻及对准标记形成；台面隔离；刻蚀PN结叠层；源、漏欧姆接触；钝化层沉积；栅槽刻蚀；栅金属沉积；保护层沉积；开孔及金属互联。本发明以p型栅为基础设计了PN结栅型GaN HEMT，通过在p‑GaN上面加了一层n‑GaN，形成PN结，利用PN结在栅加电压时，PN结反向偏置，增大栅极击穿电压Vg，具有大的栅压摆幅，非常适合于功率开关的应用，可以获得更大的栅极驱动偏置以确保安全操作。

公开(公告)号：CN112993029A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110154226.7

申请日：2021-02-04

Applicant: 宁波海特创电控有限公司 ,  桂林理工大学

Inventor： 翁加付 ,  周炳

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种提高GaN HEMT界面质量的方法，包括如下步骤：外延生长；Si基GaN外延晶片清洗；光刻及对准标记形成；台面隔离；源、漏欧姆接触；钝化层沉积；栅槽刻蚀；紫外/O2处理；栅金属沉积；保护层沉积；开孔及金属互联。本发明采用有效波长为85％254nm和15％185nm紫外热阴极低压汞蒸汽灯，加上氧气对栅金属沉积前进行预处理生成Ga2O界面介质层，不仅具有低成本无污染的优势而且还有效提高了界面质量，有利于器件的产业化应用。

公开(公告)号：CN109371470A

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201811281294.4

申请日：2018-10-30

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 王吉林 ,  毛文慧 ,  龙飞 ,  郑国源 ,  周炳 ,  莫淑一 ,  邹正光

IPC: C30B29/54 ,  C30B7/14

Abstract: 本发明公开了一种窄带隙有机-无机低维杂化材料及其合成方法。具体实验步骤如下：量取10.00～15.00mL乙二胺溶液于三口烧瓶中，在冰水浴条件下边搅拌边缓慢滴加45.00～60.00mL的浓度为45％氢碘酸溶液，磁力搅拌2～5小时，将混合溶液放入培养皿中60～80℃干燥20～30小时，得到白色晶体，将此白色晶体用30.00～60.00mL乙醚洗涤2～4次，然后60～80℃条件下真空干燥20～30小时，得到白色粉末A。称取5.0～5.5mmol Bi2O3加入样品瓶中，加入5～10mL的浓度为45％氢碘酸溶液得到澄清溶液，随后加入10.0～11.00mmol上述白色粉末A，将得到的反应液放入水热反应釜中，在90℃条件下保温10h；冷却至室温，在反应釜底部会生成晶体，即为(NH3CH2CH2NH3)Bi2I10晶体。其带隙约为1.89eV，并且其稳定性可达310℃，可以在空气中稳定存放15天左右。