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公开(公告)号：CN108444325A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810223083.9
申请日：2018-03-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: F28D15/04
Abstract: 本发明涉及一种纳米薄膜与微通道相结合的冷却装置，包括壳体、冷凝器和泵；所述壳体内的中间位置竖直且等距设有多条微通道，所述冷凝器通过输送管连通所述微通道的上端，所述泵处于所述输送管上；在所述壳体内对应所述微通道的上方设有芯片；所述壳体内对应所述微通道的下方设有疏水性纳米薄膜；所述冷凝器通过冷凝管连通所述疏水性纳米薄膜下端的蒸汽出口并回收冷凝冷却液气体以供循环使用。该装置使工作流体在多孔纳米薄膜产生的毛细压力驱动下进入到多孔疏水性薄膜，同时结合单相冷却，即将多孔疏水性薄膜技术使用于微通道中，更好地改善了蒸发制冷技术的制冷效果。
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公开(公告)号：CN109545697B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201811605514.4
申请日：2018-12-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装方法及半导体封装结构，包括：将半导体芯片的漏极设置于引线框架的主体上；在引线框架的第一引脚上设置第一导电粘接层，在半导体芯片的源极上设置第二导电粘接层；将导电金属片的一端通过第一导电粘接层与第一引脚相连接，将导电金属片的另一端通过第二导电粘接层与半导体芯片的源极相连接；将半导体芯片的栅极与引线框架的第二引脚通过键合引线相连接；包封半导体芯片、导电金属片、键合引线和部分引线框架。由于采用导电金属片无需使用铝线或铝带键合工艺实现，降低了半导体封装工艺门槛与封装设备成本，并且导电金属片可根据半导体芯片封装性能要求定制各种规格，有利于提高半导体封装结构的电学性能与散热性能。
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公开(公告)号：CN114799616B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210463124.8
申请日：2022-04-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B23K35/30 , B23K35/363
Abstract: 本发明公开了一种高熵金属间化合物材料及其制备方法与电子焊料，属于电子封装微互连技术领域。该材料的制备方法包括：将Cu粉末、Sn粉末以及Ni粉末混合后，进行烧结和熔炼；烧结和熔炼的最高温分别不超过260℃和920℃。该方法可在较低温度下直接将微连接结合处常见的金属间化合物Cu6Sn5、Cu3Sn和Ni3Sn4以高熵合金形式的多元合金组分制成致密均匀的高熵IMC整体样品。该材料可有效提高接头合金的强度、力学性能和抗蠕变性能，并可促进焊料与基体之间的扩散作用，提升连接处结合的紧密程度。含有上述材料的电子焊料，不仅能够提升焊点强度和力学性能，同时还能防止焊接后冷却凝固过程体积膨胀产生的一系列问题。
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公开(公告)号：CN113720679A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110843401.3
申请日：2021-07-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微米尺寸电子焊料力学本构方程测试方法，使用力学拉伸实验，得到镍丝和微焊点试样的载荷与位移关系曲线，然后结合简单的数据后处理即可得到微焊点中微米尺寸钎料的真实应力与应变关系，实验过程简单，数据处理容易，相比于现有技术，本发明提出的力学拉伸测试方法大大降低了本构关系测试的成本。
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公开(公告)号：CN111885817A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010897260.9
申请日：2020-08-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种微焊点电迁移测试结构、制备夹具及制备方法，解决的是测试难度大、精度小的技术问题，通过采用重叠设置的第一PCB板和第二PCB板，第一PCB板和第二PCB板除横截面形状不同外，其余均完全相同且对称；第一PCB板与第二PCB板重叠的4个表面均相同且设置有至少两条铜布线，每条铜布线的两端各设有一个焊盘，在非焊盘的部分涂有用于阻焊的绿油层；同一平面的铜布线的走线角度不同；非接线端焊盘需形成微焊点阵列，微焊点阵列中的各个焊点均设有编号，焊点编号顺序为沿电流方向连续编号；第二PCB板设置有用于接入电源及测试电阻的接线端焊盘的技术方案，较好地解决了该问题，可用于微焊点电迁移测试中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111128751A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911024817.1
申请日：2019-10-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明提供了一种中介层的制造方法，包括：在载板上设置粘接层；在粘接层上设置第一支撑层；在第一支撑层上设置至少一层重布层；在至少一层重布层上设置第二支撑层；其中，第一支撑层、至少一层重布层和第二支撑层中至少一层通过模压固化成型。本发明所提供的中介层的制造方法，第一支撑层、重布层和/或第二支撑层通过模压固化成型，模压固化成型可在导电柱或导电线安装完成后进行，也可通过模压固化出安装孔位，无需在晶圆基板上钻孔，避免因钻孔加工损坏中介层的结构，避免在中介层上产生裂痕，进而避免在后续制程中会因加压或加热而促使裂纹扩展，提升中介层的制造合格率。
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公开(公告)号：CN115767907B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202211469312.8
申请日：2022-11-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性温度‑应力传感器的制备工艺，包括以下步骤：采用PDMS溶液通过旋涂法制备柔性衬底；制备MXene‑CNTs应力复合薄膜；制备PEDOT:PSS‑CNTs‑石墨烯热敏复合薄膜；制备SiC薄膜作为介电层；制备等效神经导电网络结构的电极层；将柔性衬底、电极层、应力复合薄膜、介电层、热敏复合薄膜、电极层、柔性衬底按从下到上的顺序进行垂直贴合，贴合时上电极层的引线按X轴方向摆放，下电极层的引线方向按Y轴摆放进行垂直贴合，制备柔性温度‑应力传感器。本发明制备的柔性传感器兼顾温度、应力多重检测能力，其中温度传感通过温差电动势大小反应，应力传感通过电阻大小反应，传感机制不同，便于温度、应力解耦，避免信号串扰，提高测量的准确度。
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公开(公告)号：CN119188084A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202310750646.0
申请日：2023-06-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种管式烧结炉焊接专用夹具，包括底座、弹簧、盖板、V型块、滑块、滑块固定板、偏心轮、齿轮轴、轴承、齿轮齿条、螺栓、螺母固定板等。底座边缘设计成与管式烧结炉内腔尺寸相同的圆角，以便于在管式烧结炉内固定，且尾端连接有支撑块；各机构通过螺钉连接在底座上。焊接试样水平放置在V型块上，一端连接支撑块，另一端与传动结构接触。通过改变螺栓的进给量，进而由传动结构改变焊接试样所受的压应力。本发明设计了一个适用于管式烧结炉的专用微型焊接夹具，实现了高温焊接实验中提供试样较大压应力，弥补了以往因管式烧结炉空间狭窄无法改变压应力的情况；因此，本发明的提出有一定的科学和工程意义，并且该夹具的应用前景较广、装置简单、结构紧凑、工作可靠、寿命长。
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公开(公告)号：CN108444325B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201810223083.9
申请日：2018-03-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: F28D15/04
Abstract: 本发明涉及一种纳米薄膜与微通道相结合的冷却装置，包括壳体、冷凝器和泵；所述壳体内的中间位置竖直且等距设有多条微通道，所述冷凝器通过输送管连通所述微通道的上端，所述泵处于所述输送管上；在所述壳体内对应所述微通道的上方设有芯片；所述壳体内对应所述微通道的下方设有疏水性纳米薄膜；所述冷凝器通过冷凝管连通所述疏水性纳米薄膜下端的蒸汽出口并回收冷凝冷却液气体以供循环使用。该装置使工作流体在多孔纳米薄膜产生的毛细压力驱动下进入到多孔疏水性薄膜，同时结合单相冷却，即将多孔疏水性薄膜技术使用于微通道中，更好地改善了蒸发制冷技术的制冷效果。
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公开(公告)号：CN115464300A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211067247.6
申请日：2022-09-01
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了焊料用增强材料的加工方法、复合焊料及其加工方法，对Cu粉末、Sn粉末、Ni粉末物质的量比为2.5‑3.0:3.0‑3.5:1的原料进行烧结，所述烧结步骤主要作用温度为450℃‑550℃；将含有Sn粉末、Bi粉末和近非晶态增强材料粉末的原料置280‑320℃中熔化后冷却，得到复合焊料。本发明提出了一种简单、可靠、高品质的制备近非晶态多相金属间化合物(IMC)样品的方法，这种IMC微米颗粒可成为改善SnBi焊料力学性能的一种潜在的复合材料增强体。
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