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公开(公告)号：CN116940190A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310980247.3
申请日：2023-08-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种高质量钙钛矿厚膜及其制备方法和用途，包括将95‑105℃的过饱和浓度的钙钛矿前驱体溶液滴加到基底上，用不同狭缝高度的刮刀、以不同速度进行多次刮涂的步骤，通过特定的工艺，解决了现有技术中难以控制钙钛矿膜厚度以及钙钛矿厚膜缺陷密度高导致辐射探测器具有较高暗电流密度的技术问题，能够灵活、方便的进行钙钛矿厚膜的制备，获得了具有低缺陷密度、高致密度、高均匀性的钙钛矿厚膜，本发明具有低成本、制备方便、可大面积生产等优势，所需温度在200℃以下，尤其是刮涂和退火过程均在大气环境下即可完成，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN113398904B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202110491960.2
申请日：2021-05-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B01J21/06 , B01J27/057 , B01J35/00 , B01D53/86 , B01D53/72
Abstract: 本发明公开了一种中低温光热电协同催化氧化VOCs的催化剂的制备方法及应用，首先通过热电材料对二氧化钛纳米管外表面修饰，然后利用真空辅助超声浸渍的方法结合焙烧等工艺制备了热电材料表面修饰的二氧化钛纳米管限域过渡态金属氧化物活性组元的中低温光热电协同催化氧化VOCs的催化剂，构建热电‑限域协同光热催化氧化构效体系，充分利用光能、热能及电能之间的相互作用，光‑热‑电协同来有效调控纳米管限域组元的催化特性从而实现对内嵌过渡态金属氧化物活性组元的电子特性与结构的调控，实现光能利用的最大化及性能的最优化，实现中低温高效快速催化氧化VOCs。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115895649A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211727159.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种稀土铽和稀土钆共掺氧化镓荧光材料及其制备方法和应用，该荧光材料的化学组成通式为(TbXGdYGa1‑X‑Y)2O3，其中，X的取值范围为0.01≤X≤0.05，Y的取值范围为0.01≤Y≤0.10。其制备方法为先分别配置一定浓度的硝酸铽、硝酸钆和硝酸镓水溶液，再按化学组成通式所对应的化学计量比分别量取相应溶液并混合均匀，并滴加氨水调节溶液pH值，然后将混合溶液转移至聚四氟乙烯内衬的高压釜中进行水热反应，反应结束后对产物进行离心、洗涤、干燥及退火，即可得到稀土铽和稀土钆共掺氧化镓荧光材料。本申请的制备方法较为简单，所制备的荧光材料可在365nm紫外光激发下发射543nm的绿光，发光强度远远高于稀土铽掺杂氧化镓荧光材料，可广泛应用于发光领域。
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公开(公告)号：CN115820246A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211459965.8
申请日：2022-11-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种稀土铽掺杂氧化镓荧光材料的制备方法及其应用，该荧光材料的化学组成通式为(TbXGa1‑X)2O3，其中，X的取值范围为0.01≤X≤0.10。其制备方法为先分别配置一定浓度的硝酸铽和硝酸镓水溶液，再按化学组成通式所对应的化学计量比分别量取相应溶液并混合均匀，并滴加氨水调节溶液pH值为8～9，然后将溶液转移至聚四氟乙烯内衬的高压釜中进行水热反应，反应结束后对产物进行离心、洗涤、干燥及退火，即可得到稀土铽掺杂氧化镓荧光材料。本申请的制备方法制备工艺较为简单，所制备材料可在365nm紫外光激发下发射543nm的绿光，发光效果较好，可广泛应用于发光领域。
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公开(公告)号：CN115697034A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211448231.X
申请日：2022-11-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本申请提供一种阻变选择器及其制备方法，通过磁控溅射法在硅衬底上依次生长形成底电极、阻变层和顶电极，其中，底电极用于接地，阻变层作为介质层，在外加电场的作用下，薄膜材料能表现出两个不同的阻值，顶电极在电流作用下，通过氧化还原反应在薄膜内部形成导电细丝，从而使器件电阻发生跳变。本申请的制备方法简单，易操作，且所制备的器件具有循环次数高、开启电压低、散布性低、无电铸等优点。
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公开(公告)号：CN111081541B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201910995909.8
申请日：2019-10-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种基于深硅刻蚀的柔性硅片及其制备方法。一种基于深硅刻蚀的柔性硅片的制备方法，包括如下步骤：将清洗后的硬质硅片非刻蚀面涂覆导热硅油，使硬质硅片吸附在工作台上，通过深硅刻蚀工艺刻蚀硬质硅片到设计厚度，所述的深硅刻蚀工艺参数为，刻蚀气体流量为80‑300sccm，保护气体的流量为10‑30sccm，工艺总时间为45‑90min，硅刻蚀速度为1‑10μm/min，待刻蚀完成后，去除刻蚀硅片上的导热硅油后，获得柔性硅片。本发明提出的柔型硅片的制备方法易于实现自动化操作，工艺稳定，适合大规模量产，且制备得到的柔性硅片柔韧性很好，能够满足柔性半导体器件的工艺需求，具有很好的推广价值。
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公开(公告)号：CN113398904A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110491960.2
申请日：2021-05-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B01J21/06 , B01J27/057 , B01J35/00 , B01D53/86 , B01D53/72
Abstract: 本发明公开了一种中低温光热电协同催化氧化VOCs的催化剂的制备方法及应用，首先通过热电材料对二氧化钛纳米管外表面修饰，然后利用真空辅助超声浸渍的方法结合焙烧等工艺制备了热电材料表面修饰的二氧化钛纳米管限域过渡态金属氧化物活性组元的中低温光热电协同催化氧化VOCs的催化剂，构建热电‑限域协同光热催化氧化构效体系，充分利用光能、热能及电能之间的相互作用，光‑热‑电协同来有效调控纳米管限域组元的催化特性从而实现对内嵌过渡态金属氧化物活性组元的电子特性与结构的调控，实现光能利用的最大化及性能的最优化，实现中低温高效快速催化氧化VOCs。
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