一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法

    公开(公告)号:CN114836837A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202210593140.9

    申请日:2022-05-27

    摘要: 本发明公开了一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法,包括以下步骤:(1)在磷酸钛氧钾晶体基材的‑Z面和+Z面分别制作第一电极和第二电极;(2)通过外加脉冲电压的方式对上述已经制作电极的磷酸钛氧钾晶体进行周期极化,并根据第一电极的尺寸设置电极线组的极化参数;(3)测试已经完成极化的磷酸钛氧钾晶体畴壁横向展宽的实际宽度;(4)将已经完成极化的磷酸钛氧钾晶体放入烘箱,并根据测试所得畴壁横向展宽的实际宽度设置烘箱的恒温温度以及时间。该方法通过高温退火使铁电畴在反转过程中的横向扩展回退,畴壁宽度接近理论值,从而实现对磷酸钛氧钾晶体反转畴的有效调控,提高晶片的转换效率,具有较好的应用前景。

    一种二氧化碲单晶的制备方法
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112725877A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN202011502352.9

    申请日:2020-12-18

    IPC分类号: C30B7/10 C30B29/46

    摘要: 本发明公开了一种二氧化碲单晶的制备方法,属于单晶生长技术领域。所述二氧化碲单晶的制备方法,包括如下步骤:将水热反应物置于石英衬套管的底部,再加入水,将所述石英衬套管密封后,加热混匀,然后将加热后的所述石英衬套管置于高压釜的釜体中;在所述石英衬套管和所述釜体的夹层中加入水,将所述高压釜密封,再将密封后的所述高压釜置于电阻炉中,设置溶解区和生长区的温度,进行程序降温,即得到二氧化碲单晶。本发明采用石英衬套管水热法来制备二氧化碲单晶,可以使二氧化碲晶体在温度为300℃‑400℃、压力

    一种温差水热法生长大尺寸体单晶的装置

    公开(公告)号:CN112442730A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN201910808416.9

    申请日:2019-08-29

    IPC分类号: C30B7/10 C30B29/16

    摘要: 本发明公开了一种温差水热法生长大尺寸体单晶的装置,包括高压釜和对高压釜进行加热的加热炉,高压釜包括釜体及设置于釜体内的水热反应容器,该水热反应容器内存在溶解区和结晶区,在釜体外壁上套设有导热筒,所述的导热筒包括上、下导热筒及设置于二者之间的隔热阻挡层,其中上导热筒在纵向方向上的高度及其套装位置均对应于水热反应容器内的结晶区,下导热筒在纵向方向上的高度及其套装位置均对应于水热反应容器内的溶解区,上、下导热筒均由导热性好的金属或非金属制成,隔热阻挡层由导热性差的材料制成。本发明所述装置能够更为精准地控制温度,使高压釜生长区处于上下不同位置的晶体都具有均匀的生长速度。

    一种用于氨热法高压釜内液氨填充的系统

    公开(公告)号:CN219571619U

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202320439124.4

    申请日:2023-03-10

    摘要: 本实用新型提供了一种用于氨热法高压釜内液氨填充的系统,包括液氨/氨气瓶、氮气瓶、真空泵、除氨塔、高压釜和冷阱;高压釜的釜体放置于冷阱中;液氨/氨气瓶的输出端通过管路连通有氨气流量计一,形成第一并联支路;氮气瓶的输出端通过管路连通有氮气流量计,形成第二并联支路;真空泵的输入端与除氨塔的输入端通过管路均连通至氨气流量计二,形成第三并联支路;第一并联支路、第二并联支路、第三并联支路均通过管路连通至釜体。本实用新型结构简单、制作容易,并且成本低廉、使用方便。本实用新型可以在安全的前提下高效地向高压釜反应腔内填入规定体积的液氨。

    具有交变温场的水热结晶装置

    公开(公告)号:CN207727190U

    公开(公告)日:2018-08-14

    申请号:CN201721715690.4

    申请日:2017-12-11

    IPC分类号: C30B7/10

    摘要: 本实用新型公开了一种具有交变温场的水热结晶装置。所述的水热结晶装置包括水热高压釜和,其中,水热高压釜包括釜体,釜体的内腔分为三个部分,由下至上依次分别为第一原料溶解区、恒温生长区和第二原料溶解区;将水热高压釜置于三段式电阻炉中加热时,釜体内腔中各区域的温度均由三段式电阻炉进行控制,其中第一原料溶解区的温度和第二原料溶解区的温度存在一定温差,恒温生长区的温度介于第一原料溶解区的温度和第二原料溶解区的温度之间;设置两个原料溶解区温度转换的交变周期,当达到该交变周期所示时间时,相互调换两个原料溶解区的温度。采用本实用新型所述装置可有效提高晶体的成核几率和生长速度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利