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公开(公告)号：CN115728970A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211550442.4
申请日：2022-12-05
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本公开实施例提供一种光电集成结构及其形成方法，其中，光电集成结构包括铌酸锂调制器芯片和倒装在所述铌酸锂调制器芯片中的调制电极上的电驱动芯片；其中，所述电驱动芯片用于向所述调制电极提供调制驱动电压，以使得铌酸锂调制器对光信号进行调制。
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公开(公告)号：CN115718381A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211550149.8
申请日：2022-12-05
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本公开实施例提供一种铌酸锂光收发器及其形成方法，其中，铌酸锂光收发器包括铌酸锂调制器芯片，以及倒装堆叠在所述铌酸锂调制器芯片上的探测器芯片、激光器芯片、电驱动芯片和跨阻放大器芯片；其中：所述电驱动芯片用于向所述铌酸锂调制器芯片中的调制电极提供调制驱动电压，以使得铌酸锂调制器对所述激光器芯片产生的光信号进行调制；所述探测器芯片，用于对调制后的光信号进行探测并转换为电信号；所述跨阻放大器电芯片，用于对所述电信号进行放大。
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公开(公告)号：CN115663033A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211352440.4
申请日：2022-10-31
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC分类号： H01L31/0203 , H01L25/16 , H01L31/02 , H01L31/024
摘要： 本发明涉及一种光电芯片封装结构及封装方法，其包括：第一载板，所述第一载板上固定有光芯片，所述光芯片设有焊盘；第二载板，所述第二载板与所述光芯片位于所述第一载板的同一侧，所述第二载板与所述第一载板电性连接，所述第二载板上设置有电传输线，所述电传输线与所述焊盘基本上位于同一平面，且所述电传输线与所述焊盘电性连接；电芯片，所述电芯片安装于所述第二载板，且所述电芯片与所述电传输线电连接。由于在第一载板的一侧设置了第二载板，可以调整第二载板上电传输线的高度，使电传输线与光芯片上的焊盘基本上位于同一平面，通过位于同一平面的电传输线和焊盘可以实现电芯片与光芯片的电连接，不需要在载板上开设较大的盲槽。
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公开(公告)号：CN117438881A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311307609.9
申请日：2023-10-10
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC分类号： H01S5/02326 , H01S5/02355 , H01S5/0239 , H01S5/026
摘要： 本申请涉及一种芯片封装方法及芯片封装结构，所述芯片封装方法包括以下步骤：将激光器芯片和光芯片贴装至第一衬底，使激光器芯片的波导与光芯片的波导位于同一水平面，且激光器芯片的植球面与光芯片的植球面位于同一水平面；在激光器芯片的植球面和光芯片的植球面上植入第一焊球；将激光器芯片和光芯片通过第一衬底和第一焊球倒装键合至中介层，且将电芯片安装至中介层，使激光器芯片和光芯片的组合结构与电芯片间隔设置。本申请通过先将激光器芯片与光芯片完成减薄，使激光器芯片的波导与光芯片的波导位于同一水平面上，然后贴装至第一衬底上完成端面的高效无源耦合，将电芯片外置于中介层上，背面直接与金属管壳接触，降低封装难度。
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公开(公告)号：CN118243355A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410286241.0
申请日：2024-03-13
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC分类号： G01M11/02
摘要： 一种消光比测试系统、方法、设备及介质，属于光信号测量技术领域。其中，系统包括：待测脉冲激光光源、时钟发生器、延时器、分束器、功率监控模块、第一可调衰减器、门控式单光电子探测器和主控芯片，本申请提供的消光比测试系统通过在待测脉冲激光光源接收到第一时钟后，控制待测脉冲激光光源发出脉冲激光，在门控式单光电子探测器接收到的第二时钟后，控制门控式单光电子探测器输出门控信号；利用分束器对脉冲激光进行分束处理；利用功率监控模块确定分束后的脉冲激光的平均光功率，利用门控信号探测单位时间内分束后的脉冲激光中的光子数量；主控芯片根据平均光功率和光子数量，确定消光比，可提高脉冲激光的消光比的测量范围。
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公开(公告)号：CN117406350A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311409456.9
申请日：2023-10-27
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC分类号： G02B6/42
摘要： 本申请涉及一种倒装键合的激光器与硅光波导耦合结构及方法，其包括：硅衬底，硅衬底开设有第一放置槽，且硅衬底于第一放置槽的底面开设有第二放置槽，使第一放置槽与第二放置槽的相接处形成台阶，第二放置槽中放置有焊料；硅光芯片，硅光芯片固设于硅衬底，且位于第一放置槽的一侧，硅光芯片中设置有第一波导结构；激光器芯片，其放置于第一放置槽中，且激光器芯片支撑于台阶，激光器芯片通过焊料与硅衬底电连接，激光器芯片中设置有第二波导结构，第二波导结构与第一波导结构耦合。通过开两次槽形成台阶对激光器芯片进行支撑，可实现精确的耦合对准，且可有效阻挡挥发物质和填充胶污染波导结构，提高耦合效率。
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公开(公告)号：CN116088113A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310117709.9
申请日：2023-02-15
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
摘要： 本申请涉及一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法，包括：将硅光集成芯片粘接在陶瓷载板上；将高速过渡传输基板采用倒装工艺与硅光集成芯片实现信号互连；采用CCD位置监控系统对光纤与硅光集成芯片的光波导结构进行对准耦合，并采用光纤固定靠块和光纤固定垫块将光纤固定到陶瓷载板上，实现光纤精密耦合；将上述步骤完成的陶瓷载板向下翻转后，再将高速过渡传输基板粘接到金属管壳内；在陶瓷载板和金属管壳之间固定支撑陶瓷块，所述支撑陶瓷块以加固支撑陶瓷载板。本申请可实现硅光集成芯片倒装互连的同时，实现高精度的光纤与光波导结构的精确耦合对准，提高光纤耦合效率，减少辅助耦合的光检测设备、降低耦合组装成本。
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公开(公告)号：CN115763418A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211566671.5
申请日：2022-12-07
申请人： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/66
摘要： 本发明涉及一种垂直互连结构及电子封装器件，其包括：垂直互连板，垂直互连板包括依次排列的多个基板，每个基板上均设有焊盘，相邻两个基板上的焊盘互相电连接；多个基板包括第一基板和第二基板，第一基板上设有射频传输线，射频传输线与第一基板上的焊盘电性连接，第二基板远离第一基板的一侧设有焊球，焊球与第二基板上的焊盘电性连接；第一基板上的焊盘的尺寸小于第二基板上的焊盘的尺寸，多个基板还包括设于第一基板与第二基板之间的第三基板，第三基板上的焊盘的尺寸大于第一基板上的焊盘的尺寸，且小于第二基板上的焊盘的尺寸。本发明可以通过控制焊盘尺寸的大小变化来控制阻抗匹配，可以改善损耗。
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