一种P型NiO基稀磁半导体纳米管及其制备方法

    公开(公告)号:CN106495237B

    公开(公告)日:2018-01-26

    申请号:CN201610896148.7

    申请日:2016-10-14

    Abstract: 本发明涉及一种P型NiO基稀磁半导体纳米管及其制备方法,采用同轴静电纺丝法进行纺丝;制备产物为芯层@壳层结构,经烧结之后,PVP经高温挥发,得到稀磁半导体纳米管,外径为200‑400nm,内径为50‑100nm,长度10‑100μm。该一维纳米管磁性材料由于其特殊的尺寸与结构,往往具有高度的磁各向异性,其易磁化方向沿纳米纤维轴向。因此,与一般铁磁体材料相比,一定取向排列的一维纳米磁性材料磁滞回线具有比较高的矩形比。同时一维纳米管磁性材具有更大的比表面积,比零维纳米材料具有更好的电子传输特性。与现有技术相比,该方法具有简单易行、成本低、方便快速、制备的样品纯度高等优点,可大规模化生产等优点。

    一种中高温低膨胀系数镁橄榄石-锂辉石复合陶瓷材料的制备方法

    公开(公告)号:CN107879735B

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN201711266012.9

    申请日:2017-12-05

    Abstract: 本发明提供了一种中高温低膨胀系数镁橄榄石‑锂辉石复合陶瓷材料,以镁橄榄石、镁砂、碳酸锂、正硅酸乙酯,异丙醇铝以及硝酸锂为原料,首先将镁橄榄石在高温下烧结,得到镁橄榄石熟料,然后将合成的镁橄榄石、镁砂进行混合,将镁橄榄石、镁砂的混合粉体与和锂辉石粉料进行配料,并将粉料倒入球磨罐球磨,出料烘干后,加入PVA溶液作为有机粘合剂进行造粒,将造粒后的粉料倒入模具中压成圆柱形块体。块体排胶后随后高温下烧结得到镁橄榄石‑锂辉石复合陶瓷材料。本发明制备陶瓷材料,改善镁橄榄石材料的热震性能,提高镁橄榄石格子砖在温度急剧变化过程中的稳定性,该类材料在中高温区具有较低的负膨胀性能,同时制备工艺简单,生产成本较低。

    一维核壳结构的钛酸锶聚吡咯纳米复合纤维及制备方法

    公开(公告)号:CN108642604B

    公开(公告)日:2020-07-31

    申请号:CN201810354517.9

    申请日:2018-04-19

    Abstract: 本发明提供了一种一维核壳结构的钛酸锶/聚吡咯纳米复合纤维及制备方法,纳米复合纤维由聚合物聚吡咯体和钛酸锶钡纳米纤维材料组成,钛酸锶钡纳米纤维外包覆有聚吡咯并形成核壳结构,这种具有核壳结构的钛酸锶钡/聚吡咯纳米复合纤维采用静电纺丝法结合气相聚合的方法制备,在聚合过程中以钛酸锶钡纤维为硬模板,聚乙烯吡咯烷酮为软模板,形成了钛酸锶钡/聚吡咯纳米复合纤维的核壳结构。本发明一维纤维状吸波材料的吸波能力明显优于球状吸波材料,同时复合纤维的壳层厚度可控、壳层材料具有良好的导电性能,有助于复合材料吸波频段的扩大,并且复合纳米纤维具有良好的一维形貌、尺寸分布均匀、分散稳定性好、制备工艺简单易行等优点。

    一维高介电常数、低膨胀系数复合材料及制备方法

    公开(公告)号:CN110510670A

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201910911573.2

    申请日:2019-09-25

    Abstract: 本发明提供了一种一维高介电常数、低膨胀系数复合材料及制备方法,采用水热法制备出铌酸钾纳米粉体,以带正电荷的铌酸钾纳米粉体和带负电荷的锂霞石纳米粉体为原材料,通过静电自组装法结合微波烧结合成出铌酸钾@锂霞石复合材料,得到高介电常数、低膨胀系数复合材料,该方法制备的复合材料可用于电容器、大功率静电储能的材料,具有简单易行、成本低、方便快速等优点,可规模化生产。

    一种铌酸锶钡/氮化硼三维网络材料及制备方法

    公开(公告)号:CN110467463A

    公开(公告)日:2019-11-19

    申请号:CN201910887620.4

    申请日:2019-09-19

    Abstract: 本发明提供了一种铌酸锶钡/氮化硼三维网络材料及制备方法,利用干丝瓜作为模板,采用牺牲模板法制备三维网络铌酸锶钡/氮化硼填料,以铌酸锶钡/氮化硼纳米粉体、聚乙烯醇、羧甲基纤维素、聚丙烯酰胺为原料,配制触变性能良好的浆料,采用NaOH溶液处理干丝瓜,调控其孔径以及连通方式,之后将处理后的干丝瓜浸渍于上述浆料中,随后挤压排除多余的浆料并对其进行干燥。重复上述挂浆、干燥步骤数次,经热处理得到三维网络结构铌酸锶钡/氮化硼填料。三维网络结构铌酸锶钡/氮化硼填料一方面可以在较低体积分数填充下建立填料间的有效链接,增强填料间的相互作用,提高材料的介电性能。

    一种高热电性能聚合物薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN106947064B

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201710148368.6

    申请日:2017-03-14

    Abstract: 本发明涉及一种室温高热电性能聚合物薄膜的制备方法,包括以下步骤:(1)将氧化剂为氯化铁、单体聚合所需要的软模板三嵌段共聚物PPP(聚乙二醇‑聚丙二醇‑聚乙二醇)加入到正丁醇溶剂中,超声搅拌,得到氧化剂混合溶液,再将氧化剂混合溶液旋涂至基板(石英玻璃)上,并置于热板上进行干燥处理;再将基板转移至盛有单体(EDOT)的气相室中进行氧化聚合,从而得到PEDOT‑Cl‑PPP薄膜(3)将得到的聚合物薄膜置于有机还原剂(抗坏血酸,VC)水溶液中浸泡进行后处理,后处理完成后,洗涤烘干,即得目的产物。与现有技术相比,本发明具有热电性能优异、制备工艺简单易行、环境友好等优点。

    一种近零膨胀系数镁橄榄石-锂霞石复合陶瓷材料

    公开(公告)号:CN107903051A

    公开(公告)日:2018-04-13

    申请号:CN201711266246.3

    申请日:2017-12-05

    CPC classification number: C04B35/20 C04B35/19 C04B35/62645 C04B2235/9607

    Abstract: 本发明提供了一种近零膨胀系数镁橄榄石-锂霞石复合陶瓷材料,在室温-600oC范围内使用的零膨胀材料,以镁橄榄石、镁砂、二氧化硅,氧化铝和碳酸锂为原料,首先将镁橄榄石在烧结,得到镁橄榄石熟料,采用高温固态烧结法方法制备的锂霞石,混合二氧化硅、氧化铝和碳酸锂之后在预烧,得到锂霞石负膨胀材料;然后将合成的镁橄榄石、镁砂混合,将镁橄榄石、镁砂的混合粉体与和锂霞石粉料按比例进行配料,并将粉料倒入球磨罐中球磨,出料烘干后,进行造粒、排胶、烧结得到镁橄榄石-锂霞石复合陶瓷材料。该方法制备的镁橄榄石-锂霞石复合材料在室温-600oC范围内材料膨胀系数为零,该方法过程简单,成本低廉,适合大规模生产。

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