一种三明治多层高熵无铅电介质材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN119462080A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411646319.1

    申请日:2024-11-18

    Abstract: 本发明提出了一种三明治多层高熵无铅电介质材料及其制备方法,属于储能陶瓷的技术领域,用以解决多层陶瓷烧结不致密、耐击穿场强不高、储能性能较低的技术问题。本发明三明治多层高熵无铅电介质材料包括上下介质层和中间的高熵介电陶瓷层;所述上下介质层的材料均为Mg2SiO4,高熵介电陶瓷层的材料为Ba0.2Sr0.2Na0.2Bi0.2Ca0.2Ti0.25Nb0.25Zr0.25Mg0.25O3。本发明制备的三明治多层高熵无铅电介质材料具有较高的致密度,具有较高的耐击穿场强和较高的介电性能、储能密度及良好的放电效率,耐击穿场强达1200kV/cm,最大储能密度达6J/cm3,同时具有较好的温度稳定性。该方法具有简单易行、成本低、方便快速、可大规模化生产等优点。

    一种高储能密度AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3/ZrSiO4复合陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN119430929A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411817919.X

    申请日:2024-12-11

    Abstract: 本发明提出了一种高储能密度AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3/ZrSiO4复合陶瓷及其制备方法,属于陶瓷材料的技术领域,用以解决储能陶瓷耐击穿场强和储能密度低的技术问题。本发明采用B位离子掺杂结合第二相复合的方法提升铌酸银陶瓷的储能性能,首先通过微波水热反应法制备AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3和ZrSiO4纳米粉体,利用震荡压力烧结法获得AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3/ZrSiO4复合陶瓷。本发明制备的高储能密度AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3/ZrSiO4复合陶瓷具有较高的耐击穿场强和较高的介电性能、储能密度及良好的放电效率,耐击穿场强达750kV/cm,最大储能密度达7.73J/cm3,同时具有较好的温度稳定性。该方法制备的AgNb0.5Zr0.25Mg0.25O3/ZrSiO4复合陶瓷具有成本低、纳米级颗粒、储能性能优异等优点,适合大规模生产,在脉冲功率储能电容器展现出良好的应用前景。

    一维核壳结构的钛酸锶@氧化锌@聚苯胺复合纳米热电材料及制备方法

    公开(公告)号:CN110676369B

    公开(公告)日:2022-07-26

    申请号:CN201910989144.7

    申请日:2019-10-17

    Abstract: 本发明涉及一种具有核壳结构的钛酸锶@氧化锌@聚苯胺复合纳米热电材料及其制备方法,属于复合材料制备领域。采用静电纺丝法制备钛酸锶@氧化锌纳米材料,之后对其进行表面聚合物改性处理,最后利用液相界面法制备出具有核壳结构的钛酸锶@氧化锌@聚苯胺复合纳米热电材料,本发明复合纳米纤维具有良好的一维形貌结构、良好的柔韧性等特点,复合材料室温的功率因子达20.73μWm‑1K‑2,是纯聚苯胺的30倍,复合材料具有良好的抗氧化性,可以在空气中直接使用,同时复合纤维的壳层厚度可控等优点,本发明方法是提高聚合物热电性能的一种有效途径,具有简单易行、成本低、方便快速、可规模化生产等优点。

    p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109166958B

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN201811030998.4

    申请日:2018-09-05

    Abstract: 本发明提供了一种p‑n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料及其制备方法,采用水热法结合气相法制备p‑n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜,碲化铅层薄膜的厚度为20nm‑300nm,所述的聚吡咯薄膜的厚度20nm‑300nm。该方法制备的碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料具有良好的热电性能,可用于便携式的无线传感器供电,集成电路芯片的制冷,发光二极管和光探测器的制冷等领域,具有简单易行、成本低、方便快速等优点,可规模化生产。

    一种近零膨胀系数镁橄榄石-锂霞石复合陶瓷材料

    公开(公告)号:CN107903051B

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN201711266246.3

    申请日:2017-12-05

    Abstract: 本发明提供了一种近零膨胀系数镁橄榄石‑锂霞石复合陶瓷材料,在室温‑600oC范围内使用的零膨胀材料,以镁橄榄石、镁砂、二氧化硅,氧化铝和碳酸锂为原料,首先将镁橄榄石在烧结,得到镁橄榄石熟料,采用高温固态烧结法方法制备的锂霞石,混合二氧化硅、氧化铝和碳酸锂之后在预烧,得到锂霞石负膨胀材料;然后将合成的镁橄榄石、镁砂混合,将镁橄榄石、镁砂的混合粉体与和锂霞石粉料按比例进行配料,并将粉料倒入球磨罐中球磨,出料烘干后,进行造粒、排胶、烧结得到镁橄榄石‑锂霞石复合陶瓷材料。该方法制备的镁橄榄石‑锂霞石复合材料在室温‑600oC范围内材料膨胀系数为零,该方法过程简单,成本低廉,适合大规模生产。

    具有三维网络核壳结构的氧化镍@二氧化钛催化材料及制备方法

    公开(公告)号:CN110773172A

    公开(公告)日:2020-02-11

    申请号:CN201911140983.8

    申请日:2019-11-20

    Abstract: 本发明提供了一种具有三维网络核壳结构的氧化镍@二氧化钛催化材料及制备方法,所述催化材料具有三维网络核壳结构,壳层为二氧化钛,芯层为氧化镍,芯层直径为100-200 nm,壳层厚度为20-300nm。本发明以具有三维网络结构的泡沫镍为基底材料,采用电化学法结合高温烧结法制备具有三维网络核壳结构的氧化镍@二氧化钛催化材料,该材料具有优异的催化性能,具有良好的耐候性优点,该方法具有简单易行、成本低、方便快速、可规模化生产等优点。

    一种均匀氟化氧化锌粉体的方法

    公开(公告)号:CN108328643B

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201810353645.1

    申请日:2018-04-19

    Abstract: 本发明涉及一种均匀氟化氧化锌粉体的方法:(1)氧化锌粉体表面偶联剂处理:将氧化锌粉体加入到钛酸酯偶联剂与酒精的混合液中,在温度为90‑100℃处理3‑5h,清洗后在干燥箱中干燥2h;(2)氧化锌粉体表面聚乙烯醇包覆处理:将第一步处理后的氧化锌粉体置于聚乙烯醇水溶液中,反应后通过离心、然后通过离心、去离子水清洗,得到表面聚乙烯醇包覆的氟化氧化锌粉体;(3)氧化锌粉体氟化处理:将通过以上步骤处理的氧化锌粉体放到盛有一定量的氢氟酸溶液的聚四氟乙烯容器中,反应5‑20min,然后通过离心、去离子水清洗,得到均匀均匀氟化氧化锌粉体,现有技术相比,本发明具有简单易行、成本低、方便快速等优点。

    p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109166958A

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201811030998.4

    申请日:2018-09-05

    Abstract: 本发明提供了一种p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料及其制备方法,采用水热法结合气相法制备p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜,碲化铅层薄膜的厚度为20nm-300nm,所述的聚吡咯薄膜的厚度20nm-300nm。该方法制备的碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料具有良好的热电性能,可用于便携式的无线传感器供电,集成电路芯片的制冷,发光二极管和光探测器的制冷等领域,具有简单易行、成本低、方便快速等优点,可规模化生产。

Patent Agency Ranking