p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109166958B

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN201811030998.4

    申请日:2018-09-05

    Abstract: 本发明提供了一种p‑n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料及其制备方法,采用水热法结合气相法制备p‑n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜,碲化铅层薄膜的厚度为20nm‑300nm,所述的聚吡咯薄膜的厚度20nm‑300nm。该方法制备的碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料具有良好的热电性能,可用于便携式的无线传感器供电,集成电路芯片的制冷,发光二极管和光探测器的制冷等领域,具有简单易行、成本低、方便快速等优点,可规模化生产。

    p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109166958A

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201811030998.4

    申请日:2018-09-05

    Abstract: 本发明提供了一种p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料及其制备方法,采用水热法结合气相法制备p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜,碲化铅层薄膜的厚度为20nm-300nm,所述的聚吡咯薄膜的厚度20nm-300nm。该方法制备的碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料具有良好的热电性能,可用于便携式的无线传感器供电,集成电路芯片的制冷,发光二极管和光探测器的制冷等领域,具有简单易行、成本低、方便快速等优点,可规模化生产。

    一维核壳结构的钛酸钡@氮化硼复合材料及制备方法

    公开(公告)号:CN108946797A

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201811030660.9

    申请日:2018-09-05

    Abstract: 本发明提供了一种一维核壳结构的钛酸钡@氮化硼复合材料及制备方法,采用微波水热法进行材料制备,制备的产物具有良好的核壳结构一维形貌,壳层为氮化硼,芯层为钛酸钡,芯层直径为50‑150 nm,壳层厚度为20‑200nm,复合材料的长度2‑6μm,壳层厚度可控。本发明一维核壳结构的钛酸钡@氮化硼复合材料可以在较小填充量下形成导热网络,同时芯层高介电性能的钛酸钡可以为复合材料提供较高的介电常数,而壳层的氮化硼材料具有良好的热导率一方面可以提高复合材料的散热情况,同时氮化硼材料具有良好的耐击穿性能,可以使复合材料在较高的电场下工作。

    一维核壳结构的钛酸钡@氮化硼复合材料及制备方法

    公开(公告)号:CN108946797B

    公开(公告)日:2020-05-22

    申请号:CN201811030660.9

    申请日:2018-09-05

    Abstract: 本发明提供了一种一维核壳结构的钛酸钡@氮化硼复合材料及制备方法,采用微波水热法进行材料制备,制备的产物具有良好的核壳结构一维形貌,壳层为氮化硼,芯层为钛酸钡,芯层直径为50‑150 nm,壳层厚度为20‑200nm,复合材料的长度2‑6μm,壳层厚度可控。本发明一维核壳结构的钛酸钡@氮化硼复合材料可以在较小填充量下形成导热网络,同时芯层高介电性能的钛酸钡可以为复合材料提供较高的介电常数,而壳层的氮化硼材料具有良好的热导率一方面可以提高复合材料的散热情况,同时氮化硼材料具有良好的耐击穿性能,可以使复合材料在较高的电场下工作。

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