公开(公告)号：CN108948401A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201811031354.7

申请日：2018-09-05

Applicant: 河南工程学院

Inventor： 刘少辉 ,  王娇 ,  丁俊 ,  郝好山 ,  赵利敏 ,  程泽宇

IPC: C08J7/14 ,  C08J7/12 ,  C08L27/16

CPC classification number: C08J7/14 ,  C08J7/12 ,  C08J2327/16

Abstract: 本发明提供了聚偏氟乙烯复合材料表面的溴化处理方法，采用液相法结合气相法对聚偏氟乙烯复合材料表面进行溴化处理，溴化处理后大幅度改善聚偏氟乙烯复合材料的表面粗糙度，通过溴化氢浓度、及溴化处理时间可以控制复合材料表面的粗糙程度，同时通过气相法溴化处理可以促使聚偏氟乙烯复合材料接枝上溴键，促使聚偏氟乙烯链发生环化，提高复合材料的绝缘性，从而提高复合材料的耐击穿场强。

公开(公告)号：CN108946797A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201811030660.9

申请日：2018-09-05

Applicant: 河南工程学院

Inventor： 刘少辉 ,  王娇 ,  丁俊 ,  郝好山 ,  赵利敏 ,  程泽宇

IPC: C01G23/00 ,  C01B21/064

Abstract: 本发明提供了一种一维核壳结构的钛酸钡@氮化硼复合材料及制备方法，采用微波水热法进行材料制备，制备的产物具有良好的核壳结构一维形貌，壳层为氮化硼，芯层为钛酸钡，芯层直径为50‑150 nm，壳层厚度为20‑200nm，复合材料的长度2‑6μm，壳层厚度可控。本发明一维核壳结构的钛酸钡@氮化硼复合材料可以在较小填充量下形成导热网络，同时芯层高介电性能的钛酸钡可以为复合材料提供较高的介电常数，而壳层的氮化硼材料具有良好的热导率一方面可以提高复合材料的散热情况，同时氮化硼材料具有良好的耐击穿性能，可以使复合材料在较高的电场下工作。

公开(公告)号：CN108946797B

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201811030660.9

申请日：2018-09-05

Applicant: 河南工程学院

Inventor： 刘少辉 ,  王娇 ,  丁俊 ,  郝好山 ,  赵利敏 ,  程泽宇

IPC: C01G23/00 ,  C01B21/064

Abstract: 本发明提供了一种一维核壳结构的钛酸钡@氮化硼复合材料及制备方法，采用微波水热法进行材料制备，制备的产物具有良好的核壳结构一维形貌，壳层为氮化硼，芯层为钛酸钡，芯层直径为50‑150 nm，壳层厚度为20‑200nm，复合材料的长度2‑6μm，壳层厚度可控。本发明一维核壳结构的钛酸钡@氮化硼复合材料可以在较小填充量下形成导热网络，同时芯层高介电性能的钛酸钡可以为复合材料提供较高的介电常数，而壳层的氮化硼材料具有良好的热导率一方面可以提高复合材料的散热情况，同时氮化硼材料具有良好的耐击穿性能，可以使复合材料在较高的电场下工作。