-
公开(公告)号：CN100356585C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510012184.4
申请日：2005-07-15
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L29/788 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
摘要： 纵向量子点-浮栅尖端结构、制备方法和存储器属于存储器设计技术领域。该结构特征是，在衬底上方还有一层SiGe量子点，多晶硅浮栅的下部为尖端结构。多晶硅浮栅下部的尖端与SiGe量子点的顶端是自对准的。该结构的制备方法包含：在Si衬底上制备SiGe量子点；在SiGe量子点上外延生长硅薄膜；干氧氧化，在量子点正上方形成与量子点纵向自对准的凹坑；在氧化层上淀积多晶硅浮栅，形成与SiGe量子点自对准的浮栅尖端结构。本发明还提出了采用了该结构的存储器。在施加相同电压时，该机构能提高隧穿电流密度。应用于半导体非易失存储器，可在不减小氧化层厚度时降低工作电压，从而降低隧穿氧化层的平均电场，提高了存储器的可靠性。
-
公开(公告)号：CN1710722A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200510012184.4
申请日：2005-07-15
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L29/788 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
摘要： 纵向量子点－浮栅尖端结构、制备方法和存储器属于存储器设计技术领域。该结构特征是，在衬底上方还有一层SiGe量子点，多晶硅浮栅的下部为尖端结构。多晶硅浮栅下部的尖端与SiGe量子点的顶端是自对准的。该结构的制备方法包含：在Si衬底上制备SiGe量子点；在SiGe量子点上外延生长硅薄膜；干氧氧化，在量子点正上方形成与量子点纵向自对准的凹坑；在氧化层上淀积多晶硅浮栅，形成与SiGe量子点自对准的浮栅尖端结构。本发明还提出了采用了该结构的存储器。在施加相同电压时，该机构能提高隧穿电流密度。应用于半导体非挥发存储器，可在不减小氧化层厚度时降低工作电压，从而降低隧穿氧化层的平均电场，提高了存储器的可靠性。
-
-
公开(公告)号：CN2678141Y
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200320100175.7
申请日：2003-10-10
申请人： 清华大学
摘要： 本实用新型公开了属于纳米半导体电子器件范围的一种硅基Ge量子点红外探测器。在硅衬底片上从下至上生长下电极接触层、下电极、相间生长Ge量子点和Si隔离层8－12层；然后在上面再长一层上电极接触层、上电极；且在上电极上刻出一个透光窗口即做成一个硅基Ge量子点红外探测器。量子点红外探测器与量子阱探测器相比有着明显的优点：量子点中声子散射的减少，光激载流子在弛豫到基态前形成光电流，提高了探测效率；量子点激发态中载流子寿命的延长也有利于改善探测器性能；选择合适的掺杂浓度，由于其态密度的峰化，量子点探测器的漏电流密度相对低。
-
公开(公告)号：CN2819480Y
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200520023099.3
申请日：2005-07-15
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/788 , H01L21/8247 , H01L21/336
摘要： 自对准量子点增强F－N隧穿的半导体非挥发存储器属于存储器设计技术领域。其特征在于，在P－Si衬底上方有一层SiGe量子点，多晶硅浮栅的下端与SiGe量子点的上端是自对准的。SiGe量子点可以是自组织生长的，多晶硅浮栅下部与SiGe量子点层的对称形状是在氧化过程中自对准形成的。本实用新型能够提高编程和擦除时的隧穿电流，在不减小隧穿氧化层厚度，保证编程速度的情况下降低工作电压，具有提高存储器的数据保持时间和增加可靠性的优点。
-
-
-
-
搜索结果
25 条记录 (耗时 0.047 秒)